无码人妻AV网站|99热只有在线观看|成人开心激情四射|国产亚洲天堂日韩|丰满五十路熟妇无码|97视频国产|久艹视频免费在线|午夜福利国产在线|亚洲高清欧美中字|国产人妻系列

首頁 > 新聞資訊 > 搜索

寬禁帶半導(dǎo)體超越照明材料與技術(shù)全國重點實驗室2025年度開放課題申請指南

寬禁帶半導(dǎo)體超越照明材料與技術(shù)全國重點實驗室2025年度開放課題申請指南

芯碁微裝向港交所提交上市申請為全球最大的PCB直接成像設(shè)備供應(yīng)商

負(fù)債1.1億美元，日本芯片制造商JS Foundry申請破產(chǎn)保護(hù)

總投資10億元，見聞錄半導(dǎo)體湖州濾波器項目被申請破產(chǎn)審查

安徽格恩半導(dǎo)體申請氮化鎵基半導(dǎo)體激光器元件專利，提升限制因子

新勢力正式被申請破產(chǎn)！

兆芯集成科創(chuàng)板IPO申請獲受理

國內(nèi)濕制程鍍層材料龍頭創(chuàng)智芯聯(lián)向港交所主板遞交上市申請!

盛美上海44.82億元定增申請獲上交所審核通過

專利公開 | 多家單位半導(dǎo)體激光器相關(guān)專利申請/授權(quán)公開

寒武紀(jì)49.8億元定增申請獲上交所受理

Wolfspeed擬申請破產(chǎn)后，瑞薩解散碳化硅團(tuán)隊！

瑤芯微申請溝槽型MOSFET器件結(jié)構(gòu)及其制備方法專利，降低器件動態(tài)損耗

重慶萬國半導(dǎo)體申請溝槽型功率半導(dǎo)體器件及其制備方法專利，提高開關(guān)速度與線性區(qū)能力

蘇州晶湛半導(dǎo)體申請發(fā)光器件相關(guān)專利，提高了發(fā)光器件生產(chǎn)良率

廣州南砂晶圓申請用于PVT法生長碳化硅單晶的裝料裝置及應(yīng)用專利，有效提高所制得碳化硅晶體的質(zhì)量

廣東比亞迪節(jié)能科技申請MEMS器件及其封裝方法專利，降低主體晶圓與襯底晶圓封裝難度

瀚天天成申請降低碳化硅外延薄膜表面 Bump 缺陷專利，可提高碳化硅外延片質(zhì)量

英飛凌科技申請功率半導(dǎo)體器件相關(guān)專利，提升功率半導(dǎo)體器件性能

中芯國際申請半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法專利，提高半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的電學(xué)性能

黑龍江匯芯半導(dǎo)體申請集成有SiC功率器件短路保護(hù)的智能功率模塊專利，短路保護(hù)精度和效率更高

蘇州無熱芯陽半導(dǎo)體申請新型襯底及其氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管專利

天科合達(dá)申請在坩堝內(nèi)部放置石墨件來提升碳化硅粉料利用率的專利，能夠明顯提高原料利用率

山東晶鎵申請一種紫外光催化輔助的氮化鎵晶圓拋光方法專利，提高了氮化鎵晶圓的拋光效率

江蘇超芯星半導(dǎo)體申請一種 8 英寸碳化硅晶圓單面拋光方法專利，顯著降低生產(chǎn)成本

安徽格恩半導(dǎo)體申請氮化鎵基化合物半導(dǎo)體激光器專利，提升遠(yuǎn)場圖像FFP質(zhì)量、光束質(zhì)量因子和激光相干性

上海光通信申請半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)相關(guān)專利，縮小半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)線寬提高器件密度

英飛凌科技申請功率半導(dǎo)體模塊裝置及其制作方法專利，實現(xiàn)材料固化形成固體層等操作

北方華創(chuàng)申請工藝腔室及半導(dǎo)體工藝設(shè)備專利，雙重密封提高射頻線圈處的密封性

第1頁/共7頁首頁下一頁上一頁尾頁

聯(lián)系客服投訴反饋頂部

<span id="ksmpn"></span>

<rt id="ksmpn"></rt>

<li id="ksmpn"></li>