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專利公開 | 多家單位半導體激光器相關專利申請/授權公開

寒武紀49.8億元定增申請獲上交所受理

Wolfspeed擬申請破產后，瑞薩解散碳化硅團隊！

瑤芯微申請溝槽型MOSFET器件結構及其制備方法專利，降低器件動態(tài)損耗

重慶萬國半導體申請溝槽型功率半導體器件及其制備方法專利，提高開關速度與線性區(qū)能力

蘇州晶湛半導體申請發(fā)光器件相關專利，提高了發(fā)光器件生產良率

廣州南砂晶圓申請用于PVT法生長碳化硅單晶的裝料裝置及應用專利，有效提高所制得碳化硅晶體的質量

廣東比亞迪節(jié)能科技申請MEMS器件及其封裝方法專利，降低主體晶圓與襯底晶圓封裝難度

瀚天天成申請降低碳化硅外延薄膜表面 Bump 缺陷專利，可提高碳化硅外延片質量

英飛凌科技申請功率半導體器件相關專利，提升功率半導體器件性能

中芯國際申請半導體結構及其形成方法專利，提高半導體結構的電學性能

黑龍江匯芯半導體申請集成有SiC功率器件短路保護的智能功率模塊專利，短路保護精度和效率更高

蘇州無熱芯陽半導體申請新型襯底及其氧化物半導體場效應晶體管專利

天科合達申請在坩堝內部放置石墨件來提升碳化硅粉料利用率的專利，能夠明顯提高原料利用率

山東晶鎵申請一種紫外光催化輔助的氮化鎵晶圓拋光方法專利，提高了氮化鎵晶圓的拋光效率

江蘇超芯星半導體申請一種 8 英寸碳化硅晶圓單面拋光方法專利，顯著降低生產成本

安徽格恩半導體申請氮化鎵基化合物半導體激光器專利，提升遠場圖像FFP質量、光束質量因子和激光相干性

上海光通信申請半導體結構相關專利，縮小半導體結構線寬提高器件密度

英飛凌科技申請功率半導體模塊裝置及其制作方法專利，實現(xiàn)材料固化形成固體層等操作

北方華創(chuàng)申請工藝腔室及半導體工藝設備專利，雙重密封提高射頻線圈處的密封性

長飛先進半導體申請功率器件及相關專利，降低功耗

提交申請，寧德時代赴港上市！

北京航天賽德申請氮化鎵襯底拋光液專利，極大提升氮化鎵襯底表面特性

成都士蘭半導體申請半導體外延結構及其制備方法專利，降低外延自摻雜效應

深圳晶源申請光刻膠模型優(yōu)化方法專利，能夠解決模型中存在的過擬合現(xiàn)象和一致性不佳的技術問題

河北同光半導體申請具有 p/n 結結構的碳化硅單晶柔性膜專利，實現(xiàn)碳化硅薄膜高效剝離且無損傷

上海天岳申請一種三維方向應力分布均勻的SiC襯底及SiC晶體專利，提高SiC襯底質量

安徽格恩半導體申請GaN基化合物半導體激光元件專利，提升光束質量因子

廣州華瑞升陽申請寬禁帶半導體器件專利，降低寬禁帶半導體器件導通損耗和柵介質層擊穿風險

奔馳車標制造商申請破產歐洲汽車產業(yè)危機蔓延

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