國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，山東晶鎵半導體有限公司申請一項名為“一種紫外光催化輔助的氮化鎵晶圓拋光方法”的專利，公開號 CN 119635419 A，申請日期為2024年12月。

專利摘要顯示，本發(fā)明屬于半導體制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種紫外光催化輔助的氮化鎵晶圓拋光方法，包括如下步驟：S1，將研磨沖洗后的氮化鎵晶圓固定于拋光機的夾具上；S2，對拋光機的密封艙進行抽真空處理，直至真空度達到設定的真空度閾值，然后向密封艙內(nèi)充入氧氣，直至密封艙內(nèi)氧氣的壓力值達到設定的壓力閾值；S3，打開紫外燈和加熱器，紫外燈照射拋光液，加熱器將拋光液加熱到設定的溫度并維持該溫度恒定，然后啟動拋光機，對氮化鎵晶圓進行拋光；S4，對拋光完成后對氮化鎵晶圓進行清洗。本方法提高了氧化速率，進而提高了氮化鎵晶圓的拋光效率。

天眼查資料顯示，山東晶鎵半導體有限公司，成立于2023年，位于濟南市，是一家以從事計算機、通信和其他電子設備制造業(yè)為主的企業(yè)。企業(yè)注冊資本1307.1895萬人民幣。通過天眼查大數(shù)據(jù)分析，山東晶鎵半導體有限公司參與招投標項目2次，專利信息9條，此外企業(yè)還擁有行政許可5個。