國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，英飛凌科技股份有限公司申請(qǐng)一項(xiàng)名為“功率半導(dǎo)體模塊裝置及其制作方法”的專利，公開(kāi)號(hào)CN 119495574 A，申請(qǐng)日期為2024年8月。

專利摘要顯示，本申請(qǐng)?zhí)峁┝艘环N方法，包括：在殼體中填充具有第一密度的第一材料，從而形成液體或凝膠狀的第一預(yù)層，其中殼體包括側(cè)壁，并且其上布置有至少一個(gè)半導(dǎo)體主體的襯底布置在殼體中或形成殼體的接地表面，并且其中，第一預(yù)層部分填充殼體并完全覆蓋襯底和其上布置的至少一個(gè)半導(dǎo)體主體；在殼體中填充不同于第一材料且具有第二密度的第二材料，其中第一密度高于第二密度，從而形成液體或凝膠狀的第二預(yù)層，其中第一預(yù)層由于其較高的密度而形成在第二預(yù)層和襯底之間；以及執(zhí)行固化步驟，從而同時(shí)固化第一材料和第二材料并形成固體的第一層和固體的第二層，其中第二層永久地粘附到第一層。