一、中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所

中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所申請(qǐng)公開(kāi)一項(xiàng)名為“一種基于超級(jí)電容的半導(dǎo)體激光器脈沖驅(qū)動(dòng)電路”的專利，申請(qǐng)公布號(hào)CN120090041A，申請(qǐng)公布日2025.06.03，申請(qǐng)日2025.01.22。專利摘要顯示，本申請(qǐng)公開(kāi)了一種基于超級(jí)電容的半導(dǎo)體激光器脈沖驅(qū)動(dòng)電路，屬于電子電路技術(shù)領(lǐng)域。該電路包括：至少一個(gè)超級(jí)電容，其為垂直腔面發(fā)射激光器供電；電流控制與采樣線路，其控制垂直腔面發(fā)射激光器的電流流通和關(guān)閉，同時(shí)通過(guò)其對(duì)超級(jí)電容的放電電流進(jìn)行采樣和監(jiān)測(cè)，電流控制與采樣線路與垂直腔面發(fā)射激光器和超級(jí)電容串聯(lián)組成激光器放電回路；充電電路，其通過(guò)電流采樣點(diǎn)的采樣結(jié)果動(dòng)態(tài)調(diào)節(jié)其所輸出的電壓，進(jìn)而調(diào)節(jié)超級(jí)電容的電壓值。本申請(qǐng)利用超級(jí)電容對(duì)垂直腔面發(fā)射激光器進(jìn)行供電能夠?qū)崿F(xiàn)毫秒級(jí)別長(zhǎng)脈沖、大電流的驅(qū)動(dòng)電流輸出，同時(shí)利用實(shí)際應(yīng)用的占空比限制，降低了電路前端電源的平均功率要求，進(jìn)而降低成本。
中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所授權(quán)公開(kāi)一項(xiàng)名為“半導(dǎo)體激光器”的專利，授權(quán)公告號(hào)CN115832870B，授權(quán)公告日2025.05.30，申請(qǐng)日2022.11.09。專利摘要顯示，本發(fā)明公開(kāi)提供了一種半導(dǎo)體激光器，所述半導(dǎo)體激光器包括在襯底表面依次生長(zhǎng)的緩沖層、下限制層、下波導(dǎo)層、有源區(qū)、上波導(dǎo)層、上限制層、帽層、頂部電極，和形成于襯底背面的底部電極，所述上限制層、帽層和頂部電極形成脊條，所述脊條上設(shè)置有模式調(diào)控陣列結(jié)構(gòu)，所述模式調(diào)控陣列結(jié)構(gòu)包括溝道和箭頭結(jié)構(gòu)陣列，所述溝道形成于所述脊條的兩側(cè)，所述箭頭結(jié)構(gòu)陣列包括多個(gè)箭頭結(jié)構(gòu)單元，每個(gè)所述箭頭結(jié)構(gòu)單元包括至少一個(gè)箭頭，其中，所述箭頭結(jié)構(gòu)陣列中的箭頭結(jié)構(gòu)單元形成于所述半導(dǎo)體激光器的側(cè)向光場(chǎng)分布的N1階模式的峰值位置，N為大于等于2的整數(shù)。

二、華光光電子

山東華光光電子股份有限公司申請(qǐng)公開(kāi)一項(xiàng)名為“一種具有模式控制的VCSEL器件及其制備方法”的專利，申請(qǐng)公布號(hào)CN120090046A，申請(qǐng)公布日2025.06.03，申請(qǐng)日2025.02.13。專利摘要顯示，本申請(qǐng)?zhí)峁┑囊环N具有模式控制的VCSEL器件及其制備方法涉及半導(dǎo)體激光器技術(shù)領(lǐng)域。該VCSEL器件沿著外延生長(zhǎng)方向依次包括襯底、緩沖層、氮化物外延DBR層、N型半導(dǎo)體材料層、多量子阱層、P型電子阻擋層、P型半導(dǎo)體材料層、電流限制層和電流擴(kuò)展層，并共同形成圓柱形臺(tái)階結(jié)構(gòu)，且臺(tái)階面位于N型半導(dǎo)體材料層。臺(tái)階面上設(shè)置有N型歐姆電極。電流擴(kuò)展層的上方設(shè)置有頂部DBR層，且頂部DBR層呈上端直徑小下端直徑大的錐臺(tái)結(jié)構(gòu)。頂部DBR層的圓錐側(cè)面上設(shè)置有吸收層。電流擴(kuò)展層上設(shè)置有P型歐姆電極。本申請(qǐng)?zhí)峁┑囊环N具有模式控制的VCSEL器件及其制備方法能夠有效解決VCSEL器件光場(chǎng)分布不均勻的問(wèn)題。

三、仕佳光子

河南仕佳光子科技股份有限公司申請(qǐng)公開(kāi)一項(xiàng)名為“一種光波長(zhǎng)可調(diào)節(jié)的激光器芯片及其制備方法”的專利，申請(qǐng)公布號(hào)CN120090044A，申請(qǐng)公布日2025.06.03，申請(qǐng)日2025.02.20。專利摘要顯示，本發(fā)明提出了一種光波長(zhǎng)可調(diào)節(jié)的激光器芯片及其制備方法，屬于激光器芯片及其制備的技術(shù)領(lǐng)域，用以解決半導(dǎo)體激光器波長(zhǎng)難以調(diào)節(jié)的技術(shù)問(wèn)題。本發(fā)明激光器芯片包括襯底，襯底背面設(shè)有N面電極，襯底正面生長(zhǎng)有外延材料，所述外延材料的上表面設(shè)有直波導(dǎo)和加熱波導(dǎo)，外延材料的上表面除直波導(dǎo)和加熱波導(dǎo)外的區(qū)域設(shè)有絕緣介質(zhì)層，直波導(dǎo)上設(shè)有P面電極，加熱波導(dǎo)上設(shè)有加熱電極；本發(fā)明還包括上述激光器芯片的制備方法。本發(fā)明在激光器P面電極工藝中，同時(shí)制備了P面電極和加熱電極，在P面電極加電的同時(shí)也在加熱電極上加電，改變材料的折射率，達(dá)到調(diào)節(jié)波長(zhǎng)的目的。

四、格恩半導(dǎo)體

安徽格恩半導(dǎo)體有限公司申請(qǐng)公開(kāi)一項(xiàng)名為“一種GaN基藍(lán)光半導(dǎo)體激光器芯片”的專利，申請(qǐng)公布號(hào)CN120073469A，申請(qǐng)公布日2025.05.30，申請(qǐng)日2025.02.27。專利摘要顯示，本發(fā)明公開(kāi)了一種GaN基藍(lán)光半導(dǎo)體激光器芯片，從下至上依次包括襯底、下限制層、下波導(dǎo)層、有源層、上波導(dǎo)層、上限制層，所述上波導(dǎo)層與上限制層之間具有聲子散射增強(qiáng)層，所述聲子散射增強(qiáng)層包括第一聲子散射增強(qiáng)層、第二聲子散射增強(qiáng)層和第三聲子散射增強(qiáng)層。本發(fā)明通過(guò)特定元素比例分布，進(jìn)一步抑制深能級(jí)陷阱和絕緣界面層，改善遠(yuǎn)離平衡態(tài)相變對(duì)應(yīng)的對(duì)稱性破缺使激光器在閾值處的突變現(xiàn)象，提升激光器的激光相干性和光束質(zhì)量因子。

五、中國(guó)科學(xué)院長(zhǎng)春光學(xué)精密機(jī)械與物理研究所

中國(guó)科學(xué)院長(zhǎng)春光學(xué)精密機(jī)械與物理研究所申請(qǐng)公開(kāi)一項(xiàng)名為“集成頻率轉(zhuǎn)換晶體的光泵浦半導(dǎo)體激光器”的專利，申請(qǐng)公布號(hào)CN120073476A，申請(qǐng)公布日2025.05.30，申請(qǐng)日2025.04.24。專利摘要顯示，本發(fā)明涉及激光器技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種集成頻率轉(zhuǎn)換晶體的光泵浦半導(dǎo)體激光器，包括：泵浦腔；設(shè)置在出光窗口的散熱結(jié)構(gòu)、非線性晶體以及輸出耦合鏡，其中，散熱結(jié)構(gòu)、非線性晶體以及輸出耦合鏡在出光窗口內(nèi)沿遠(yuǎn)離泵浦腔的方向依次間隔排布；設(shè)置在泵浦腔內(nèi)的增益芯片，增益芯片的頂面與散熱結(jié)構(gòu)朝向泵浦腔的表面相鍵合；反射鏡，反射鏡設(shè)置在底部側(cè)壁朝向泵浦腔的表面，且反射鏡與增益芯片正對(duì)，反射鏡用于與輸出耦合鏡構(gòu)成諧振腔；多個(gè)泵浦單元，多個(gè)泵浦單元用于向增益芯片的底面以及側(cè)面發(fā)射泵浦光。本發(fā)明至少有利于提升集成頻率轉(zhuǎn)換晶體的光泵浦半導(dǎo)體激光器的集成度，以及有利于保證集成頻率轉(zhuǎn)換晶體的光泵浦半導(dǎo)體激光器具有較優(yōu)的性能。

六、北京工業(yè)大學(xué)

北京工業(yè)大學(xué)授權(quán)公開(kāi)一項(xiàng)名為“一種孔徑完全裝填輸出相干陣半導(dǎo)體激光器及制備方法”的專利，授權(quán)公告號(hào)CN115189227B，授權(quán)公告日2025.06.03，申請(qǐng)日2022.07.07。專利摘要顯示，本發(fā)明公開(kāi)一種孔徑完全裝填輸出相干陣半導(dǎo)體激光器，該半導(dǎo)體激光器結(jié)構(gòu)包括：導(dǎo)電襯底和形成于導(dǎo)電襯底上的外延層，外延層表面設(shè)置一維陣列種子區(qū)、無(wú)損耗激光傳輸波導(dǎo)和相位光柵層。該半導(dǎo)體激光器通過(guò)刻蝕周期性排布的陣列單元，形成相干陣半導(dǎo)體激光器內(nèi)腔即種子區(qū)，再通過(guò)刻蝕無(wú)損耗激光傳輸波導(dǎo)形成相干陣半導(dǎo)體激光器外腔，進(jìn)而建立起一種單片集成型復(fù)合光腔結(jié)構(gòu)。該半導(dǎo)體激光器引入相位光柵層，改變相干陣半導(dǎo)體激光器非同相模的相位，使其與同相模相位一致，進(jìn)而獲得邊發(fā)射半導(dǎo)體激光器在慢軸方向孔徑完全裝填的相干陣列激光輸出。本發(fā)明公開(kāi)的該半導(dǎo)體激光器的制備方法具有簡(jiǎn)單易實(shí)施的優(yōu)點(diǎn)。

七、長(zhǎng)光華芯

蘇州長(zhǎng)光華芯光電技術(shù)股份有限公司、蘇州長(zhǎng)光華芯半導(dǎo)體激光創(chuàng)新研究院有限公司授權(quán)公開(kāi)一項(xiàng)名為“一種高可靠性半導(dǎo)體激光器陣列封裝結(jié)構(gòu)制備夾具及應(yīng)用其的封裝結(jié)構(gòu)制備方法”的專利，授權(quán)公告號(hào)CN119525640B，授權(quán)公告日2025.05.30，申請(qǐng)日2025.01.23。專利摘要顯示，本發(fā)明公開(kāi)了一種高可靠性半導(dǎo)體激光器陣列封裝結(jié)構(gòu)制備夾具及應(yīng)用其的封裝結(jié)構(gòu)制備方法。該夾具用于安裝封裝結(jié)構(gòu)的產(chǎn)品模塊，其包括基座、圓柱銷、水平移動(dòng)塊、楔形塊和垂直移動(dòng)塊，基座的中央具有一個(gè)內(nèi)陷的水平凹槽，水平凹槽的一端設(shè)置有一個(gè)內(nèi)陷的傾斜槽，傾斜槽遠(yuǎn)離水平凹槽的內(nèi)側(cè)面與楔形塊的側(cè)面均為粗糙的傾斜面，產(chǎn)品模塊、圓柱銷和水平移動(dòng)塊并排設(shè)置在水平凹槽中，楔形塊設(shè)置在傾斜槽中。本發(fā)明中的一種高可靠性半導(dǎo)體激光器陣列封裝結(jié)構(gòu)制備夾具能夠保證巴條與導(dǎo)電散熱隔塊間的焊料融化過(guò)程中焊縫不受擠壓而導(dǎo)致焊料擠出，并且解決了導(dǎo)電散熱隔塊底部高差影響帶來(lái)的空焊問(wèn)題以及焊料過(guò)量擠出問(wèn)題，同時(shí)避免了焊料二次融化問(wèn)題。

八、南京大學(xué)

南京大學(xué)授權(quán)公開(kāi)一項(xiàng)名為“一種單顆實(shí)現(xiàn)多波長(zhǎng)激射的半導(dǎo)體激光器”的專利，授權(quán)公告號(hào)CN115224585B，授權(quán)公告日2025.05.27，申請(qǐng)日2022.07.21。專利摘要顯示，本發(fā)明公開(kāi)了一種單顆實(shí)現(xiàn)多波長(zhǎng)激射的半導(dǎo)體激光器，包括激光器區(qū)域與集成在激光器地出光端的SOA區(qū)域；激光器區(qū)域與SOA區(qū)域均依次包括正電極層、電隔離、光柵層、有源層、緩沖層、負(fù)電極層；所述光柵層分為光柵分布區(qū)域和光柵空白區(qū)域，且光柵層的光柵由種子光柵和一次取樣光柵、二次取樣光柵疊加合成得到；正電極層由所述電隔離分隔為光柵電極與空白電極；光柵電極為光柵分布區(qū)域提供泵浦電流；空白電極為光柵空白區(qū)域提供透明電流；通過(guò)給SOA區(qū)域加電為激光提供額外的增益，提高激光器區(qū)域的輸出功率。本發(fā)明滿足WDM對(duì)于波長(zhǎng)的需求，可有效解決現(xiàn)有多波長(zhǎng)半導(dǎo)體激光器陣列存在的結(jié)構(gòu)復(fù)雜、難集成、額外功耗大、不便用于密集波分復(fù)用系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)不同激光器或通道的快速切換需要特殊考慮等問(wèn)題。

(來(lái)源：材料深一度)