專利摘要顯示，本發(fā)明公開了一種具有柵極突起結(jié)構(gòu)的溝槽型功率半導(dǎo)體器件及其制備方法，制備方法包括：在硅襯底上沉積外延層；在外延層上依次制備二氧化硅墊層、第一掩膜層和第二掩膜層；刻蝕形成柵極溝槽；形成柵氧化層；淀積柵極多晶硅；通過化學(xué)機械研磨去除第一掩膜層表面的柵極多晶硅；刻蝕去除第一掩膜層，并調(diào)整硅平臺區(qū)上的柵極多晶硅形貌；過離子注入形成體區(qū)與源區(qū)；制備源區(qū)接觸孔和鎢栓。本發(fā)明中，在溝槽型功率半導(dǎo)體器件制備過程中形成柵極突起結(jié)構(gòu)，解決了多晶硅蝕刻后增大溝道漏電的問題，并且通過增加?xùn)艠O多晶硅橫截面積減小了柵極電阻，提高了開關(guān)速度與線性區(qū)能力，優(yōu)化了器件性能。

天眼查資料顯示，重慶萬國半導(dǎo)體科技有限公司，成立于2016年，位于重慶市，是一家以從事計算機、通信和其他電子設(shè)備制造業(yè)為主的企業(yè)。企業(yè)注冊資本46093.126499萬美元。通過天眼查大數(shù)據(jù)分析，重慶萬國半導(dǎo)體科技有限公司參與招投標項目34次，財產(chǎn)線索方面有商標信息6條，專利信息138條，此外企業(yè)還擁有行政許可19個。