國家知識產權局信息顯示，無錫博通微電子技術有限公司申請一項名為“半橋GaN增強型開關器件及其制備方法”的專利，公開號CN 118825014 A，申請日期為2024年9月。

專利摘要顯示，本發(fā)明涉及半導體技術領域，具體公開了一種半橋GaN增強型開關器件及其制備方法。該半橋GaN增強型開關器件包括半橋連接的兩個開關元件；兩個開關元件水平設置在同一襯底上，其中一開關元件的漏極與柵極分別單獨電性引出，源極與另一開關元件的漏極連接并共同電性引出，另一開關元件的柵極和源極分別單獨電性引出。該半橋GaN增強型開關器件導電機制為二維電子氣，由柵極控制二維電子氣的導通和關斷，所以器件的柵電荷非常小，能保證器件的高速開關，器件整體呈現(xiàn)半橋連接特性，保證應用靈活性的同時，由于器件制備在同一襯底上，具備高集成度的特點，可以提高系統(tǒng)功率密度。