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問(wèn)卷 | SiC MOSFET開(kāi)關(guān)測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)預(yù)研問(wèn)卷

日期:2022-10-24 閱讀:245
核心提示:?jiǎn)柧碚f(shuō)明:第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟標(biāo)準(zhǔn)化委員會(huì)面向SiC功率器件行業(yè)群體,征求制定SiC MOSFET開(kāi)關(guān)測(cè)試相關(guān)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)的

問(wèn)卷說(shuō)明:第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟標(biāo)準(zhǔn)化委員會(huì)面向SiC功率器件行業(yè)群體,征求制定SiC MOSFET開(kāi)關(guān)測(cè)試相關(guān)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)的意見(jiàn)建議,創(chuàng)建該調(diào)查問(wèn)卷,懇請(qǐng)大家協(xié)助!請(qǐng)大家掃描二維碼填寫(xiě)問(wèn)卷!

 

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問(wèn)卷截止到2022年10月28日

 

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