天眼查顯示，江蘇捷捷微電子股份有限公司“一種縱向變摻雜的IGBT結構及制備方法”專利公布，申請公布日為2024年11月15日，申請公布號為CN118969825A。

本發(fā)明涉及半導體技術領域，尤其涉及一種縱向變摻雜的IGBT結構及制備方法。它包括第一導電類型的半導體襯底。所述半導體襯底的正面有元胞區(qū)。其特點是，所述半導體襯底的背面與集電極結構間有過渡區(qū)。所述過渡區(qū)包括依次覆蓋在半導體襯底背面的電場緩變層和場截止層，所述集電極結構覆蓋在場截止層的背面。所述電場緩變層為第一導電類型的變摻雜層，所述場截止層為第一導電類型的重摻雜層。采用該IGBT結構可避免后續(xù)電場抬高導致的器件失效的情況。