天眼查顯示，派恩杰半導體（浙江）有限公司“基于S參數(shù)的數(shù)據(jù)處理方法、裝置及電子設(shè)備”專利公布，申請公布日為2024年11月15日，申請公布號為CN118969603A。

本發(fā)明涉及碳化硅技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種碳化硅晶圓襯底的制備方法及碳化硅晶圓襯底，其包括：1）準備相同尺寸的多晶碳化硅晶圓和單晶碳化硅襯底片；2）將單晶碳化硅襯底片進行氫注入，將氫離子注入到單晶碳化硅襯底片表面下并形成氫注入層；3）將單晶碳化硅襯底片形成氫注入層的一側(cè)與多晶碳化硅晶圓進行鍵合并形成晶圓體；4）將步驟3）中得到的晶圓體沿氫注入層剝離單晶碳化硅襯底片。本申請由于使用基板是多晶碳化硅晶圓，單晶碳化硅襯底片層只有幾微米，大大降低了成本；同時多晶也不會產(chǎn)生翹曲；此外，多晶電導率要遠高于單晶，可以不用減薄。