无码人妻AV网站|99热只有在线观看|成人开心激情四射|国产亚洲天堂日韩|丰满五十路熟妇无码|97视频国产|久艹视频免费在线|午夜福利国产在线|亚洲高清欧美中字|国产人妻系列

<li id="x4qwj"><legend id="x4qwj"></legend></li>

首頁(yè) > 新聞資訊 > 搜索

浙之芯申請(qǐng)一種氮化鎵傳感器及制備方法和裝置專利，大大提高氮化鎵傳感器的制備效率

蘇州立琻半導(dǎo)體申請(qǐng)p型AlGaN材料及其制備等專利，提高了p型AlGaN材料的空穴濃度

上海積塔半導(dǎo)體申請(qǐng)?zhí)蓟杈w管結(jié)構(gòu)及其制備方法專利，有效降低器件VFSD

華虹半導(dǎo)體申請(qǐng)集成半導(dǎo)體器件及其制備方法專利，提高芯片整體抗EMI能力

許福軍、沈波團(tuán)隊(duì)成功實(shí)現(xiàn)垂直注入AlGaN基深紫外發(fā)光器件的晶圓級(jí)制備

芯導(dǎo)電子“一種靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)及制備方法、半導(dǎo)體器件及制備方法”專利公布

南京南瑞半導(dǎo)體申請(qǐng)溝槽型SiC器件及其制備方法專利，可防止器件過(guò)早擊穿燒毀

長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)申請(qǐng)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及制備方法專利，提高集成電路的存儲(chǔ)密度

無(wú)錫博通申請(qǐng)半橋GaN增強(qiáng)型開(kāi)關(guān)器件及其制備方法專利，保證器件的高速開(kāi)關(guān)

鎵仁半導(dǎo)體成功制備VB法(非銥坩堝)2英寸氧化鎵單晶

華潤(rùn)微“一種LIGBT器件及其制備方法”專利公布

格蘭菲申請(qǐng)功率半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)及其制備方法專利，有利于終端區(qū)面積縮小

科友半導(dǎo)體成功實(shí)現(xiàn)8英寸高品質(zhì)碳化硅襯底的批量制備

長(zhǎng)宇科技取得一項(xiàng)外延生長(zhǎng)基盤用高均質(zhì)性特種石墨材料的制備方法專利，能夠保持產(chǎn)品制備的穩(wěn)定性

揚(yáng)杰科技申請(qǐng)一種多導(dǎo)電溝道的平面柵 MOSFET 及制備方法專利，降低平面柵垂直導(dǎo)電 MOSFET 導(dǎo)通電阻

龍騰股份取得 SGT-MOSFET 半導(dǎo)體器件制備方法相關(guān)專利，避免出現(xiàn)第一氧化層過(guò)薄

芯導(dǎo)科技申請(qǐng)一種 T 型溝槽柵碳化硅 MOSFET 器件結(jié)構(gòu)及其制備方法專利，提高了柵極可靠性

揚(yáng)杰科技申請(qǐng)“一種提高可靠性能力的碳化硅二極管及其制備方法”專利，提高器件的高壓 H3TRB 的可靠性

士蘭微“MEMS微鏡及其制備方法”專利獲授權(quán)

揚(yáng)杰科技申請(qǐng)一種改善雙極退化的碳化硅 MOSFET 器件及制備方法的專利

盛合晶微半導(dǎo)體（江陰）申請(qǐng) 3D 垂直互連封裝結(jié)構(gòu)及其制備方法專利，實(shí)現(xiàn)高密度封裝

華羿微電取得一種寬 SOA 屏蔽柵 MOSFET 器件及制備方法專利，提升器件整體的 SOA

中圖科技申請(qǐng)一種高深度微結(jié)構(gòu)圖形化半導(dǎo)體襯底及其制備方法專利

河北博威集成電路取得集成 SBD 的碳化硅 MOSFET 器件及其制備方法專利

積塔半導(dǎo)體“基于TDDB優(yōu)化的MOSFET器件及其制備方法”專利公布

豪緯集團(tuán)申請(qǐng)一種基于微納陣列結(jié)構(gòu) GaN 基光電子芯片的制備方法專利，有效提高微納結(jié)構(gòu)中有源層的發(fā)光效率

華羿微電“新型功率MOSFET器件及其制備方法”專利獲授權(quán)

派恩杰“集成ESD的SiC功率MOSFET器件及制備方法”專利獲授權(quán)

芯聯(lián)集成“半導(dǎo)體器件的制備方法及半導(dǎo)體器件”專利獲授權(quán)

揚(yáng)杰科技申請(qǐng)降低柵極電容的 SiCMOSFET 及制備方法專利，降低 SiCMOSFET 柵極電容

第2頁(yè)/共6頁(yè) 首頁(yè) 下一頁(yè) 上一頁(yè) 尾頁(yè)

聯(lián)系客服投訴反饋頂部

<span id="48ulq"></span>