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微電子所在氮化鎵界面態(tài)研究方面取得進展

功率半導體行業(yè)研究：景氣向上，國產(chǎn)化替代正當時

中電科55所李士顏博士：碳化硅功率MOSFET研究進展

深圳第三代半導體研究院楊安麗：抑制4H-SiC功率器件雙極型退化的“復合提高層”設(shè)計

華北電力大學李學寶：高壓SiC器件中的封裝絕緣問題研究

浙江大學任娜：SiC功率器件短路、雪崩、浪涌等系列可靠性問題的研究

中山大學黎城朗：凹槽深度對GaN槽柵型縱向?qū)ňw管電學特性的影響研究

中國空間技術(shù)研究院北京衛(wèi)星制造廠鄭巖：寬禁帶功率器件的宇航應(yīng)用技術(shù)

中科院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所周宇：硅基GaN增強型HEMT電力電子器件

南方科技大學于洪宇：Si基GaN功率器件及其上電源系統(tǒng)的關(guān)鍵技術(shù)研究進展

中國電科十三所王元剛：高性能Ga2O3，SBD功率器件研究

上海光學精密機械研究所夏長泰:極寬禁帶半導體氧化鎵單晶摻質(zhì)之實踐與思考

中科院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所吳林楓：基于自隔離鍵合技術(shù)的大功率倒裝芯片單片集成發(fā)光二極管

中興通訊蔡小龍：針對5G基站中射頻氮化鎵HEMT的失效分析研究

南方科技大學汪青：Si基GaN射頻器件的關(guān)鍵技術(shù)研究進展

中電化合物半導體唐軍：SiC基GaN射頻材料熱阻研究進展

河北半導體研究所周幸葉：紫外探測用高性能4H-SiC雪崩光電二極管及其陣列

中科院寧波材料技術(shù)與工程研究所郭煒：鋁鎵氮深紫外量子阱及LED，斜切角襯底及橫向極性疇的影響研究

中科院半導體研究所研究員閆建昌：氮化物深紫外LED研發(fā)方向，從二維材料到納米結(jié)構(gòu)

研究報告：半導體深度研究報告之模擬芯片

南方科技大學孫小衛(wèi)：量子點顯示技術(shù)研究進展

北京大學陳志忠:Micro-LED大注入條件下的多體效應(yīng)研究

電子科技大學劉成藝：n型4H-SiC上Ti/TiN/Pt歐姆接觸電極在空氣中高溫退火處理的失效機理研究

佛山市香港科技大學趙惠珊：PWM脈沖驅(qū)動模式下UVLED動態(tài)結(jié)溫的無量綱化擬合研究

中國科學院特聘研究員李晉閩：“新冠疫情”下紫外LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展機遇與趨勢

第三代半導體發(fā)展研究

中國工程院發(fā)布《面向2035的新材料強國戰(zhàn)略研究》

首個微芯片內(nèi)集成液體冷卻系統(tǒng)問世

美國研究人員發(fā)現(xiàn)要想做一個更好的傳感器只需添加背景噪聲

浪潮AI加速中國頂尖語言聲學研究

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