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南京工業(yè)大學(xué)先進(jìn)材料AM：界面誘導(dǎo)生長(zhǎng)法制備高效錫基鈣鈦礦發(fā)光二極管

長(zhǎng)光華芯“半導(dǎo)體光子晶體發(fā)光結(jié)構(gòu)及其制備方法”專利公布

蘇州晶湛半導(dǎo)體申請(qǐng)發(fā)光器件相關(guān)專利，提高了發(fā)光器件生產(chǎn)良率

蘇州長(zhǎng)光華芯取得模式調(diào)控半導(dǎo)體發(fā)光結(jié)構(gòu)及其制備方法專利

中國科學(xué)院提出新型平面型面發(fā)光有機(jī)發(fā)光晶體管器件結(jié)構(gòu)

黃維院士團(tuán)隊(duì)在柔性聚合物發(fā)光二極管應(yīng)變穩(wěn)定性方面取得重要進(jìn)展

南開大學(xué)研發(fā)光學(xué)焦平面陣列堆疊芯片，實(shí)現(xiàn)毫米波高速成像

廈大團(tuán)隊(duì)突破：量子點(diǎn)發(fā)光微球打造超高效明亮Micro-LEDs

北京工業(yè)大學(xué)郭偉玲課題組聯(lián)合閩都創(chuàng)新實(shí)驗(yàn)室、福州大學(xué)孫捷課題組：局域表面等離子體增強(qiáng)納米柱Micro-LED發(fā)光

許福軍、沈波團(tuán)隊(duì)成功實(shí)現(xiàn)垂直注入AlGaN基深紫外發(fā)光器件的晶圓級(jí)制備

豪緯集團(tuán)申請(qǐng)一種基于微納陣列結(jié)構(gòu) GaN 基光電子芯片的制備方法專利，有效提高微納結(jié)構(gòu)中有源層的發(fā)光效率

清華大學(xué)研發(fā)光子芯片側(cè)重自動(dòng)駕駛等邊緣智能應(yīng)用

CASICON晶體大會(huì)前瞻 |江風(fēng)益院士：V形PN結(jié)銦鎵氮發(fā)光及應(yīng)用

萊特光電申請(qǐng)含氮化合物及有機(jī)電致發(fā)光器件和電子裝置專利

CSPSD 2024成都前瞻|上海大學(xué)任開琳：一種新型氮化鎵基發(fā)光高電子遷移率晶體管

國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃“單片集成GaN基可調(diào)控Micro-LED發(fā)光器件研究”項(xiàng)目啟動(dòng)

北京大學(xué)取得AlGaN基深紫外發(fā)光二極管器件結(jié)構(gòu)及其制備方法專利，顯著提升器件的光輸出功率

北京大學(xué)申請(qǐng)長(zhǎng)波長(zhǎng)InGaN基發(fā)光二極管專利，有利于提高發(fā)光多量子阱中的銦并入

英特爾與日本NTT合作開發(fā)光電融合半導(dǎo)體

4000多次試錯(cuò)，終于探索出全球第三條藍(lán)光LED技術(shù)路線

中國科學(xué)院半導(dǎo)體所伍紹騰：基于12英寸硅襯底的紅外鍺錫LED發(fā)光器件研究

研究機(jī)構(gòu)：2028年全球OLED發(fā)光材料市場(chǎng)將超24億美元，中國占44%

西安交通大學(xué)李虞鋒：SNOM對(duì)GaN基發(fā)光芯片的高空間分辨光學(xué)表征

CASICON 2023前瞻北京大學(xué)副教授許福軍：AlGaN基深紫外發(fā)光材料和器件研究

美國Bolb公司董事長(zhǎng)張劍平博士：透明紫外C波段發(fā)光二極管的光提取效率和性能

美國Bolb Inc.董事長(zhǎng)兼首席技術(shù)官張劍平：透明紫外C波段發(fā)光二極管的光提取效率和性能

長(zhǎng)春應(yīng)化所在晶態(tài)有機(jī)發(fā)光二極管研究中取得重要進(jìn)展

中科潞安牽頭大功率深紫外AlGaN基LED發(fā)光材料與器件產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù)獲得立項(xiàng)

武大研究團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)24.1%高效率鈣鈦礦近紅外發(fā)光LED

中國科大在純紅光鈣鈦礦電致發(fā)光二極管取得新進(jìn)展

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