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南京工業(yè)大學先進材料AM：界面誘導生長法制備高效錫基鈣鈦礦發(fā)光二極管

長光華芯“半導體光子晶體發(fā)光結構及其制備方法”專利公布

蘇州晶湛半導體申請發(fā)光器件相關專利，提高了發(fā)光器件生產(chǎn)良率

蘇州長光華芯取得模式調(diào)控半導體發(fā)光結構及其制備方法專利

中國科學院提出新型平面型面發(fā)光有機發(fā)光晶體管器件結構

黃維院士團隊在柔性聚合物發(fā)光二極管應變穩(wěn)定性方面取得重要進展

南開大學研發(fā)光學焦平面陣列堆疊芯片，實現(xiàn)毫米波高速成像

廈大團隊突破：量子點發(fā)光微球打造超高效明亮Micro-LEDs

北京工業(yè)大學郭偉玲課題組聯(lián)合閩都創(chuàng)新實驗室、福州大學孫捷課題組：局域表面等離子體增強納米柱Micro-LED發(fā)光

許福軍、沈波團隊成功實現(xiàn)垂直注入AlGaN基深紫外發(fā)光器件的晶圓級制備

豪緯集團申請一種基于微納陣列結構 GaN 基光電子芯片的制備方法專利，有效提高微納結構中有源層的發(fā)光效率

清華大學研發(fā)光子芯片側重自動駕駛等邊緣智能應用

CASICON晶體大會前瞻 |江風益院士：V形PN結銦鎵氮發(fā)光及應用

萊特光電申請含氮化合物及有機電致發(fā)光器件和電子裝置專利

CSPSD 2024成都前瞻|上海大學任開琳：一種新型氮化鎵基發(fā)光高電子遷移率晶體管

國家重點研發(fā)計劃“單片集成GaN基可調(diào)控Micro-LED發(fā)光器件研究”項目啟動

北京大學取得AlGaN基深紫外發(fā)光二極管器件結構及其制備方法專利，顯著提升器件的光輸出功率

北京大學申請長波長InGaN基發(fā)光二極管專利，有利于提高發(fā)光多量子阱中的銦并入

英特爾與日本NTT合作開發(fā)光電融合半導體

4000多次試錯，終于探索出全球第三條藍光LED技術路線

中國科學院半導體所伍紹騰：基于12英寸硅襯底的紅外鍺錫LED發(fā)光器件研究

研究機構：2028年全球OLED發(fā)光材料市場將超24億美元，中國占44%

西安交通大學李虞鋒：SNOM對GaN基發(fā)光芯片的高空間分辨光學表征

CASICON 2023前瞻北京大學副教授許福軍：AlGaN基深紫外發(fā)光材料和器件研究

美國Bolb公司董事長張劍平博士：透明紫外C波段發(fā)光二極管的光提取效率和性能

美國Bolb Inc.董事長兼首席技術官張劍平：透明紫外C波段發(fā)光二極管的光提取效率和性能

長春應化所在晶態(tài)有機發(fā)光二極管研究中取得重要進展

中科潞安牽頭大功率深紫外AlGaN基LED發(fā)光材料與器件產(chǎn)業(yè)化關鍵技術獲得立項

武大研究團隊實現(xiàn)24.1%高效率鈣鈦礦近紅外發(fā)光LED

中國科大在純紅光鈣鈦礦電致發(fā)光二極管取得新進展

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