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中國科學院半導體研究所特別研究助理（博士后）招聘啟事

【年薪可達50萬】廈門大學寬禁帶半導體研究組2025年誠聘博士后（理論計算模擬方向）

中國科學院半導體研究所獲批“北京國際科技合作基地”

Wolfspeed與紐約州立大學理工學院加強教育研究合作，助力推動碳化硅技術創(chuàng)新發(fā)展

[誠邀英才]新加坡科技研究局（A*STAR）微電子研究所（IME）功率半導體團隊

國家重點研發(fā)計劃“氧化鎵單片功率電子集成器件研究”項目啟動會暨實施方案論證會成功召開

浙江大學團隊多項碳化硅、氧化鎵相關研究成果閃耀IEEE ISPSD 2025

臺積電-東京大學實驗室啟用，雙方聯(lián)手推動半導體研究和教育

工業(yè)和信息化部專題研究部署推動人工智能產(chǎn)業(yè)發(fā)展和賦能新型工業(yè)化

CSPSD 2025前瞻|西安理工大學賀小敏：氧化鎵異質外延生長及材料特性研究

CSPSD 2025前瞻|上海大學任開琳：E型GaN HEMT和pFET的穩(wěn)定性增強研究

CSPSD 2025前瞻|南京郵電大學南通研究院邀您同聚“2025功率半導體器件與集成電路會議”

CSPSD 2025前瞻|復旦大學劉盼：1200V IGBT與SiC MOSFET的短路性能對比研究

CSPSD 2025前瞻|中國科學技術大學楊樹：高壓低阻垂直型GaN功率電子器件研究

CSPSD 2025前瞻|西安電子科技大學張進成:鎵系半導體功率器件研究進展

CSPSD 2025前瞻|東南大學劉斯揚：功率半導體集成技術研究進展

CSPSD 2025前瞻|山東大學彭燕：基于金剛石/碳化硅新型異質散熱結構的器件應用研究

CSPSD 2025前瞻|中國科學技術大學徐光偉：基于摻雜調(diào)控和缺陷工程的氧化鎵功率器件研究

CSPSD 2025前瞻|中電科四十六所蘭飛飛：金剛石材料研究進展

CSPSD 2025前瞻|北京智慧能源研究院陳中圓：基于正向壓降表征的碳化硅MOSFET結溫測量方法研究

CSPSD 2025前瞻|九峰山實驗室袁?。盒滦投嗉墱喜垩趸壒β势骷?span id="sioaaoe" class="highlight">研究

CSPSD 2025前瞻|西安電子科技大學宋慶文：高性能SiC功率器件關鍵技術研究進展

CSPSD 2025前瞻|江南大學黃偉：高性能宇航級SGT功率器件與輻照模型研究

CSPSD 2025前瞻|工信部第五研究所施宜軍：P-GaN HEMT柵極ESD魯棒性及改進方法

CSPSD 2025前瞻|南京大學周峰：氮化鎵功率器件輻射效應與加固技術研究

西湖大學光電研究院仇旻當選歐洲科學院院士

中國科學院半導體研究所光電子材料與器件全國重點實驗室誠邀全球英才加盟

中車株洲電力機車研究所李東林在人民大會堂接受“全國勞動模范”表彰

中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所投影式光刻機采購項目（第二次）公開招標公告

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