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中科半導(dǎo)體發(fā)布氮化鎵機(jī)器人智能快充芯片

比利時(shí)氮化鎵廠商BelGaN破產(chǎn)損失高達(dá)100萬(wàn)歐元

安徽格恩半導(dǎo)體申請(qǐng)氮化鎵基半導(dǎo)體激光器元件專利，提升限制因子

ROHM 回應(yīng)合作方臺(tái)積電計(jì)劃 2027 年退出氮化鎵：暫無(wú)重大影響

國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃“大尺寸氮化鎵單晶制備用高溫超高壓反應(yīng)釜設(shè)計(jì)制造技術(shù)”項(xiàng)目啟動(dòng)暨實(shí)施方案論證會(huì)召開

英飛凌宣布：在300mm氮化鎵生產(chǎn)路線圖方面取得突破！

臺(tái)積電證實(shí)：未來(lái)兩年內(nèi)逐步退出氮化鎵業(yè)務(wù)

納微半導(dǎo)體攜手力積電，啟動(dòng)8英寸氮化鎵晶圓量產(chǎn)計(jì)劃

雷電微力：研制低成本低剖面氮化鎵組件部分已量產(chǎn)

氮矽科技推出TOLL封裝的增強(qiáng)型硅基氮化鎵（GaN）晶體管

英諾賽科與美的威靈合作，加速氮化鎵在空調(diào)電機(jī)應(yīng)用！

英諾賽科與美的威靈達(dá)成氮化鎵戰(zhàn)略合作

西交利物浦大學(xué)劉雯課題組招收氮化鎵功率器件方向博士生（英國(guó)利物浦大學(xué)學(xué)位）

國(guó)產(chǎn)首顆機(jī)器人關(guān)節(jié)“氮化鎵驅(qū)動(dòng)器芯片”正式商用

CSPSD2025 | 近30位專家學(xué)者齊聚探討氮化鎵及超寬禁帶功率器件新未來(lái)！

CSPSD 2025前瞻|英諾賽科孟無(wú)忌：GaN“上車”之路——氮化鎵在電動(dòng)汽車中應(yīng)用方案與優(yōu)勢(shì)

CSPSD 2025前瞻|?氮矽科技羅鵬：集成驅(qū)動(dòng)氮化鎵芯片的必要性與發(fā)展趨勢(shì)

江南大學(xué)成果推介:氮化鎵微波功率器件

CSPSD 2025前瞻|南京大學(xué)周峰：氮化鎵功率器件輻射效應(yīng)與加固技術(shù)研究

CSPSD 2025前瞻|新微半導(dǎo)體王慶宇：氮化鎵賦能未來(lái)，突破功率極限，開啟能效革命

意見征集 | 北大光電院牽頭的異質(zhì)外延氮化鎵外延層厚度測(cè)試方法標(biāo)準(zhǔn)形成征求意見稿

Polar與瑞薩電子達(dá)成硅基氮化鎵技術(shù)授權(quán)協(xié)議

YS/T 1654-2023《氮化鎵化學(xué)分析方法痕量雜質(zhì)元素含量的測(cè)定輝光放電質(zhì)譜法》標(biāo)準(zhǔn)解讀

英諾賽科發(fā)布自主開發(fā)的1200V氮化鎵產(chǎn)品

比利時(shí)氮化鎵廠商BelGaN擬被2.5億歐元收購(gòu)，計(jì)劃生產(chǎn)光芯片

江西譽(yù)鴻錦取得亞垂直結(jié)構(gòu)氮化鎵肖特基勢(shì)壘二極管及其制造方法專利

意法半導(dǎo)體與英諾賽科簽署氮化鎵技術(shù)開發(fā)與制造協(xié)議

鎵特半導(dǎo)體取得一種HVPE大尺寸氮化鎵晶圓鎵舟反應(yīng)器專利，能夠提升氮化鎵晶圓片生長(zhǎng)尺寸

全球首創(chuàng)！九峰山實(shí)驗(yàn)室在氮極性氮化鎵材料制備領(lǐng)域取得新突破

山東晶鎵申請(qǐng)一種紫外光催化輔助的氮化鎵晶圓拋光方法專利，提高了氮化鎵晶圓的拋光效率

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