功率氮化鎵器件已經(jīng)在包括PD快充、激光雷達、Class D音響、微型逆變器、化成分容等多個領域得到了不同程度的應用，并向使用者展現(xiàn)了其獨特的優(yōu)勢。隨著功率氮化鎵在不同的應用場景中的落地，對氮化鎵器件本身可靠性和易用性提出了更高的要求，系統(tǒng)級集成或者單片式集成驅動的氮化鎵芯片在此基礎上應運而生。
5月22-24日， “2025功率半導體器件與集成電路會議（CSPSD 2025）”將于南京舉辦。本次論壇由第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）指導，南京郵電大學、極智半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)（www.huizhouyinshua.cn）、第三代半導體產(chǎn)業(yè)共同主辦。南京郵電大學集成電路科學與工程學院（產(chǎn)教融合學院）、北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司承辦。電子科技大學、南京郵電大學南通研究院、蘇州鎵和半導體有限公司、揚州揚杰電子科技股份有限公司等單位協(xié)辦。
會議設有開幕大會&主旨報告，以及硅及寬禁帶半導體材料、器件及集成應用，超寬禁帶材料、器件及集成應用，功率集成交叉與應用，先進封裝與異構集成等4個平行論壇，將覆蓋晶圓造、芯片設計、芯片加工、模塊封裝、測試分析、軟件工具、設備制造、整機應用等產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)。
屆時，南京氮矽科技有限公司/總經(jīng)理羅鵬將受邀出席會議，并帶來《集成驅動氮化鎵芯片的必要性與發(fā)展趨勢》的主題報告。報告將分享集成驅動氮化鎵芯片的優(yōu)勢、國內外此類芯片產(chǎn)品的分析、集成驅動氮化鎵芯片的痛點和未來的發(fā)展趨勢等內容，敬請關注！
嘉賓簡介
羅鵬，德國勃蘭登堡州科技大學碩士與博士，博士后就職于柏林費迪南德布朗-萊布尼茨研究所。碩士、博士方向主要為氮化鎵物理特性研究、GaN MMIC設計、失效與可靠性分析。 承擔兩項德國科學基金會（DFG）氮化鎵項目研發(fā)，2020年入選四川省“熊貓計劃創(chuàng)業(yè)領軍人才”。羅博士擁有超過10年第三代半導體氮化鎵的研發(fā)工作經(jīng)驗，作為團隊主要人員參與過多個世界領先的氮化鎵產(chǎn)品的研發(fā)，擁有成熟的開發(fā)思想和自主的技術。2019年創(chuàng)立成都氮矽科技有限公司并主導前期多款功率氮化鎵器件的研發(fā)和量產(chǎn)、建立完善氮化鎵芯片失效與可靠性測試平臺并在國內首次研發(fā)成功氮化鎵相關動態(tài)失效特性的FT模塊。
公司簡介
南京氮矽科技有限公司由海外歸國博士、數(shù)位電子科技大學頂尖教授和行業(yè)內精英聯(lián)合創(chuàng)辦的高新技術企業(yè)。自2019年成立以來，氮矽科技始終專注于全方位氮化鎵產(chǎn)品的研發(fā)與銷售，憑借強大的研發(fā)團隊和先進的技術實力，成功推出了多款高性能氮化鎵產(chǎn)品，產(chǎn)品覆蓋多種封裝形式，電壓范圍涵蓋40V-700V，廣泛應用于快充、數(shù)據(jù)中心電源、新能源汽車及光伏儲能等領域。公司憑借卓越的產(chǎn)品性能和優(yōu)質的客戶服務，贏得了市場的廣泛認可，并與多家國際知名廠商達成戰(zhàn)略合作。
會議時間：5月22-24日
會議酒店：中國·南京·熹禾涵田酒店
組織機構
指導單位：第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）
主辦單位：南京郵電大學、極智半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)（www.huizhouyinshua.cn）、第三代半導體產(chǎn)業(yè)
承辦單位：南京郵電大學集成電路科學與工程學院（產(chǎn)教融合學院）、北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司
協(xié)辦支持：電子科技大學、南京郵電大學南通研究院、蘇州鎵和半導體有限公司、揚州揚杰電子科技股份有限公司
大會主席：郭宇鋒
聯(lián)合主席：柏松 張波 趙璐冰
程序委員會：盛況 陳敬 張進成 陸海 唐為華 羅小蓉 張清純 龍世兵 王來利 程新紅 楊媛 楊樹 張宇昊 劉斯揚 章文通 陳敦軍 耿博 郭清 蔡志匡 劉雯 鄧小川 魏進 周琦 周弘 葉懷宇 許晟瑞 張龍 包琦龍 金銳 姚佳飛 蔣其夢 明鑫 周春華 等
組織委員會
主 任：姚佳飛
副主任：涂長峰
成 員:張茂林 周峰 徐光偉 劉盼 王珩宇 楊可萌 張珺 王曦 羅鵬 劉成 劉宇 馬慧芳 陳靜 李曼 賈欣龍等
主題方向
1. 硅基功率器件與集成技術
硅基、SOI基功率器件、可集成功率器件、器件仿真與設計技術、器件測試表征技術、器件可靠性、器件制造技術、功率集成IC技術
2.碳化硅功率器件與集成技術
碳化硅功率器件、器件設計與仿真技術、器件制造技術、器件測試與可靠性、可集成器件與功率集成技術
3.氮化鎵、III/V族化合物半導體功率器件與功率集成
氮化鎵功率器件、III/V族化合物（AlN、GaAs）半導體功率器件、器件設計與仿真技術、器件制造技術、器件測試與可靠性、可集成器件與功率集成技術
4.氧化鎵/金剛石功率器件與集成技術
氧化鎵/金剛石功率器件、器件設計與仿真技術、器件制造技術、器件測試與可靠性、可集成器件與功率集成技術
5.模組封裝與應用技術
功率器件、模組與封裝技術、先進封裝技術與封裝可靠性
6.面向功率器件及集成電路的核心材料、裝備及制造技術
核心外延材料、晶圓芯片及封裝材料；退火、刻蝕、離子注入等功率集成工藝平臺與制造技術；制造、封裝、檢測及測試設備等
7.功率器件交叉領域
基于新材料（柔性材料、有機材料、薄膜材料、二維材料）的功率半導體器件設計、制造與集成技術；人工智能驅動的功率器件仿真，建模與設計、封裝與測試
會議日程總覽
最新報告嘉賓
備注：以下為目前部分報告嘉賓和議題，不分先后！
張進成--西安電子科技大學副校長、教授
孫偉鋒--東南大學集成電路學院院長
唐為華--南京郵電大學教授、鎵和半導體董事長
用于XPU供電的DrMOS器件發(fā)展趨勢與技術挑戰(zhàn)
喬明--電子科技大學教授
用于XPU供電的DrMOS器件發(fā)展趨勢與技術挑戰(zhàn)
TBD--英諾賽科科技有限公司
TBD--揚杰科技
王慶宇--新微半導體總經(jīng)理
氮化鎵賦能未來，突破功率極限，開啟能效革命
陳敦軍--南京大學電子科學與工程學院副院長、教授
氧化鎵異質結構與器件
葉建東--南京大學電子科學與工程學院副院長、教授
氧化鎵異質結構與器件
魏進--北京大學集成電路學院研究員
Multidimensional Devices in GaN and Ga2O3: Superjunction, Multi-channel, and FinFET
張宇昊 鞏賀賀--香港大學教授、博士后研究員
宋慶文--西安電子科技大學教授
面向功率器件制造的先進離子注入解決方案：集成工藝與創(chuàng)新
王鶴鳴--愛發(fā)科（蘇州）技術研究開發(fā)有限公司研究員
高可靠GaN基MIS-HEMT功率器件與集成
黃森--中國科學院微電子研究所研究員
新能源時代半導體封測技術與趨勢
邢衛(wèi)兵--通富微電子股份有限公司/通富研究院Power技術中心負責人
功率器件封裝技術的發(fā)展及展望
朱正宇--熾芯微電子科技（蘇州）有限公司董事長&總經(jīng)理
面向車規(guī)應用的功率之”芯”SiC及封裝技術挑戰(zhàn)
李道會--北京昕感科技(集團)副總，功率模塊事業(yè)部負責人
氮化鎵功率器件輻射效應與加固技術研究
周 峰--南京大學副研究員
氮化鎵功率器件輻射效應與加固技術研究
宣融--南京百識電子科技有限公司總經(jīng)理
程新紅--中國科學院上海微系統(tǒng)研究所研究員
寬禁帶半導體3D集成技術
鄧小川--電子科技大學教授
劉盼--復旦大學上海碳化硅功率器件工程技術研究中心副主任
施宜軍--工業(yè)和信息化部電子第五研究所高級工程師
P-GaN HEMT柵極ESD魯棒性及改進方法
彭燕--山東大學教授
High Breakdown Voltage Low Dynamic RON Non-etching E-mode GaN HEMTs with Oxidized In-situ p-GaN Layer as Passivation
張潔--西交利物浦大學芯片學院助理教授、本科專業(yè)負責人
1.5 kV Fully-Vertical GaN-on-Si Power MOSFETs
劉超--山東大學集成電路學院/晶體材料全國重點實驗室教授
GaN Monolithic Integration for Power Conversion Applications
朱昱豪--青海大學能源與電氣工程學院講師
Enhancement-mode (001) β-Ga2O3 Vertical Multi-fin Power Transistors
郭高甫--中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所
3 kV級超寬禁帶Diamond/ε-Ga2O3異質p-n結二極管
章建國--中國科學院寧波材料技術與工程研究所博士
......更多報告嘉賓持續(xù)確認更新中
參會及擬邀單位
中電科五十五所、電子科技大學、英飛凌、華虹半導體、揚杰科技、士蘭微、捷捷微電、英諾賽科、中科院上海微系統(tǒng)所、氮矽科技、中科院微電子所、中科院半導體所、九峰山實驗室、三安半導體、芯聯(lián)集成、斯達半導體、中國科學技術大學、浙江大學、東南大學、復旦大學、西安電子科技大學、清華大學、北京大學、廈門大學、南京大學、天津大學、長飛半導體、華為、溫州大學、明義微電子、海思半導體、瞻芯電子、基本半導體、華大九天、博世、中鎵半導體、江蘇宏微、蘇州晶湛、百識電子、超芯星、南瑞半導體、西交利物浦大學、西安理工大學、北京智慧能源研究院、高芯（河南）半導體、中科院納米所、平湖實驗室、北京工業(yè)大學、南方科技大學、華南師范大學、立川、國電投核力創(chuàng)芯、華中科技大學等……
活動參與：
注冊費2800元，5月15日前注冊報名2500元（含會議資料袋，23日午餐、歡迎晚宴、24日自助午餐及晚餐）
繳費方式
①銀行匯款
開戶行：中國銀行北京科技會展中心支行
賬 號：336 356 029 261
名 稱：北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司
②移動支付
備注：通過銀行匯款/移動支付，請務必備注：單位簡稱+姓名+南京，以便后續(xù)查詢及開具發(fā)票。若需開具發(fā)票請將報名信息、轉賬憑證及開票信息發(fā)送至郵箱:lilyli@china-led.net。
掃碼預報名
備注：此碼為預報名通道，完成信息提交后，需要對公匯款或者掃碼支付注冊費。
論文投稿及報告咨詢：
賈老師 18310277858 jiaxl@casmita.com
姚老師 15951945951 jfyao@njupt.edu.cn
張老師 17798562651 mlzhang@njupt.edu.cn
李老師 18601994986 linan@casmita.com
贊助、展示及參會聯(lián)系：
賈先生 18310277858 jiaxl@casmita.com
張女士 13681329411 zhangww@casmita.com
投稿模板下載：投稿模板_CSPSD2025.docx 文章?lián)駜?yōu)推薦到EI期刊《半導體學報（英文）》。
會議酒店
南京熹禾涵田酒店
協(xié)議價格：標間&大床房，400元/晚，含早餐
地址：南京市浦口區(qū)象賢路158號
郵箱：503766958@qq.com
酒店聯(lián)系人
陸經(jīng)理 15050562332 025-58628888
