4月16日，美國Polar Semiconductor公司宣布與日本瑞薩電子株式會社（簡稱“瑞薩電子”）達成戰(zhàn)略協(xié)議，獲得其硅基氮化鎵（GaN-on-Si）技術授權。 Polar Semiconductor 作為美國唯一一家專門從事傳感器、電源和高壓半導體代工的廠商，在半導體制造領域擁有深厚的技術積累和豐富的生產經驗。瑞薩電子則是全球領先的半導體解決方案供應商，在嵌入式處理、模擬、電源及連接方面具備專業(yè)知識，提供完整的半導體解決方案。
此次雙方達成戰(zhàn)略協(xié)議，Polar Semiconductor 將獲得瑞薩電子的硅基氮化鎵技術授權，并在其明尼蘇達州工廠為瑞薩電子和其他客戶制造高壓650V級硅基氮化鎵器件。據(jù)悉，Polar Semiconductor 明尼蘇達州工廠最近擴建了最先進的加工和自動化設備，旨在滿足對下一代半導體解決方案日益增長的需求。 Polar Semiconductor 總裁兼首席運營官 Surya Iyer 表示：“這項許可和商業(yè)生產協(xié)議強調了我們對加強美國半導體生態(tài)系統(tǒng)的承諾。GaN 是電源和射頻領域改變游戲規(guī)則的技術，與瑞薩電子合作，我們有能力提高商業(yè)生產，推動下一波半導體創(chuàng)新。” 瑞薩電子電源產品集團高級副總裁兼總經理Chris Allexandre說：“我們很高興與Polar合作，將我們經過驗證的氮化鎵技術擴展到200毫米晶圓，并在廣泛的電源轉換市場中利用我們的專業(yè)知識，從基礎設施和人工智能到能源和工業(yè)到電動汽車和電動汽車到高價值物聯(lián)網。”
