目前，Si基和GaAs基器件在性能上存在一定的局限性，特別是在高頻微波與大功率應用方面難以同時達到理想狀態(tài)。具體而言，Si基器件雖然具備成熟的制造工藝和較低的成本，但在高頻性能上有所欠缺；而GaAs基器件雖然在高頻領域表現(xiàn)出色，但其大功率處理能力卻相對有限。

此外，就GaN基商用微波功率器件而言，盡管其在高頻微波與大功率應用方面展現(xiàn)出巨大的潛力，但當前國內在該領域尚未能實現(xiàn)具有自主知識產(chǎn)權的量產(chǎn)方案。這一現(xiàn)狀限制了GaN基器件在國內市場的廣泛應用和進一步發(fā)展。 

關鍵技術點

面向3-28GHz的5G微波功率放大器

采用了納米柵極結構設計，并結合了低接觸電阻的歐姆工藝，以此為基礎，創(chuàng)新性地開發(fā)了拓撲阻抗匹配網(wǎng)絡，以提升放大器的性能。 

面向65/100W20A的功率開關器件：

采用了MIS自對準柵極結構，并結合了優(yōu)化的鈍化技術，以確保器件在高功率條件下的穩(wěn)定性和可靠性。 

合作成效

本項目成果申請專利2項，授權專利1項。已完成功能驗證，證實該方案可行。未來可用于手機電腦快速充電等充電領域。

 專家介紹

敖金平教授

江南大學集成電路學院博士生導師 

科學研究

曾任電子部第十三研究所研究室副主任，高級工程師，從事 GaAs器件與集成電路的研究工作。主持過863計劃、預研和國家攻關計劃等項目。2001年赴日本國立德島大學工作，從事GaN材料與器件的研究工作。主持或參與過日本科學研究輔助金、JST、SCOPE和NEDO等多個項目的研究。與豐田、住友電工、日亞化學等日本著名公司有多年的合作關系。2016年入選國家高層次人才計劃，任西安電子科技大學特聘教授。作為項目負責人，完成了國家“十三五”重點研發(fā)計劃“戰(zhàn)略性先進電子材料”重點專項“GaN基新型電力電子器件關鍵技術”項目。在國際學術期刊和國際會議上發(fā)表論文300多篇，擁有三十多項發(fā)明專利。獲電子工業(yè)部科技進步獎三等獎、陜西省科學技術獎一等獎。 

學術兼職及榮譽

國際電氣電子工程師協(xié)會(IEEE)高級會員

華中科技大學客座教授（2010年-2012年）

徳島大學全球化大學院工學教育獎（2012年）

徳島大學工學部國際化貢獻獎（2013年）

深圳大學訪問教授（2017年-2019年）

王霄副教授

江南大學集成電路學院碩士生導師

科學研究

依托江南大學寬禁帶半導體研究中心，開展基于寬禁帶半導體器件、功率器件與集成電路、智能傳感系統(tǒng)等方向的研究。在國際刊物（IEEE EDL、IEEE TED等）發(fā)表論文40多篇，其中第一作者或通訊作者16篇，主持國家自然科學基金青年項目、江蘇省重點研發(fā)計劃子課題、重慶市科技創(chuàng)新重大研發(fā)項目子課題和中央高?？蒲袠I(yè)務費等多項，參與國家重點研發(fā)計劃、國家自然科學基金重大項目、國家自然科學基金面上項目等多項，申請/授權發(fā)明專利20余項，參加國際學術會議IFWS、APCSCRM、ISNE、INPEC等并作邀請報告多次，獲中國電子學會科技進步二等獎1項，指導學生獲“挑戰(zhàn)杯”、“集成電路創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽”、“睿抗機器人開發(fā)者大賽”等競賽國家級獎項多次。 

學術兼職及榮譽

中國電子學會科技進步二等獎（2022）

ISNE國際會議化合物半導體材料與器件分會場聯(lián)席主席（2022）

西安市D類人才

優(yōu)秀本科畢業(yè)設計指導教師

IEEE Electron Device Letters/ IEEE Transactions on Electron Devices/ Journal of Physics D-Applied Physics/Nanoscale Research Letters/Current Applied Physics等期刊審稿人 

聯(lián)系方式

敖金平教授，江南大學集成電路學院博士生導師。

聯(lián)系方式：jpao1800@jiangnan.edu.cn 

王霄副教授，江南大學集成電路學院碩士生導師。

聯(lián)系方式：x.wang@jiangnan.edu.cn

賈捷，江南大學無錫高新區(qū)工業(yè)智能產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新研究院。

聯(lián)系方式：17851306116

(來源：江南大學-高新區(qū)工業(yè)智能研究院)