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國(guó)博公司硅基氮化鎵功率放大器芯片在智能移動(dòng)終端實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)應(yīng)用

IFWS2025：碳化硅功率電子器件及其封裝技術(shù)分會(huì)最新報(bào)告出爐！

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|香港科技大學(xué)張薇葭：SiC功率MOSFET有源柵極驅(qū)動(dòng)器綜述

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|香港大學(xué)張宇昊：面向高壓、高溫及高功率的氧化鎵器件及應(yīng)用

立芯光電成功研發(fā)1940nm高功率半導(dǎo)體激光器芯片

機(jī)構(gòu)：十年內(nèi)車用SiC、GaN功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模將增長(zhǎng)兩倍，至420億美元

Allegro MicroSystems推出業(yè)界首款量產(chǎn)級(jí)10 MHz TMR電流傳感器為寬禁帶功率電子器件提供精準(zhǔn)保護(hù)與控制

東微半導(dǎo)體與晶湛半導(dǎo)體攜手推進(jìn)12英寸氮化鎵（GaN）功率器件研發(fā)和應(yīng)用

艾邁斯歐司朗首推高功率多芯片單源激光器，投影應(yīng)用一站式?

最新報(bào)告出爐！IFWS2025:氮化鎵功率電子及封裝技術(shù)論壇——驅(qū)動(dòng)能效革命，賦能AI芯動(dòng)力

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|航芯源呂曉峰：功率氮化鎵器件在宇航電源領(lǐng)域的機(jī)遇與挑戰(zhàn)

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|大連理工大學(xué)黃火林：氮化鎵高壓增強(qiáng)型功率器件與可靠性技術(shù)進(jìn)展

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)楊樹(shù)：GaN功率電子器件動(dòng)態(tài)性能提升與抗輻照加固技術(shù)

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|山東大學(xué)劉超：垂直氮化物功率器件

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|瑞士洛桑聯(lián)邦理工學(xué)院Elison Matioli：邁向高性能GaN功率器件-新興解決方案和創(chuàng)新

IFWS & SSLCHINA 2025前瞻|加拿大多倫多大學(xué)吳偉東：一種具備自動(dòng)時(shí)序功能適用于碳化硅功率MOSFET的智能動(dòng)態(tài)柵極驅(qū)動(dòng)器

Imec啟動(dòng)300mm GaN項(xiàng)目，專注低壓和高壓功率電子器件的300mm GaN技術(shù)

通合科技高功率充電模塊產(chǎn)業(yè)化建設(shè)項(xiàng)目（一期）主體結(jié)構(gòu)封頂

通合電子功率半導(dǎo)體項(xiàng)目（一期）封頂！

英飛凌與羅姆簽署合作備忘錄，攜手推進(jìn)SiC功率器件封裝兼容性

英飛凌功率模塊助力金風(fēng)科技構(gòu)網(wǎng)型風(fēng)機(jī)能效提升

解析 Wolfspeed 頂部散熱 (TSC) 碳化硅功率器件

2025云南晶體大會(huì)前瞻|廣東工業(yè)大學(xué)張紫輝：GaN功率半導(dǎo)體器件仿真建模與制備研究

SiC 新型功率 MOS 器件結(jié)構(gòu)以及柵驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)與研究

英諾賽科宣布第三代700V GaN增強(qiáng)型氮化鎵功率器件系列全面上市

重慶新陵微6寸功率半導(dǎo)體廠房及配套設(shè)施項(xiàng)目10月完工

總投資規(guī)模20億元，重慶新陵微6寸功率半導(dǎo)體廠房及配套設(shè)施項(xiàng)目將于10月投用

碳化硅功率器件的性能與應(yīng)用前景-國(guó)晶微半導(dǎo)體

派瑞股份與西電所簽署合作協(xié)議，研發(fā)制造中高壓IGBT功率器件

悉智科技寬禁帶功率模組生產(chǎn)基地項(xiàng)目簽約落戶!

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