從硅到寬禁帶半導(dǎo)體材料，不斷提升性能和應(yīng)用范圍，推動半導(dǎo)體行業(yè)的不斷進步。技術(shù)創(chuàng)新驅(qū)動性能迭代，國產(chǎn)碳化硅器件的市場應(yīng)用也已從單一領(lǐng)域向多行業(yè)擴展，碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈正加速國產(chǎn)化替代進程，展現(xiàn)出強勁的發(fā)展?jié)摿褪袌龈偁幜ΑｋS著材料科學(xué)和制造工藝的持續(xù)進步，功率半導(dǎo)體器件將進一步邁向高性能、高可靠性的境界。GaN和SiC材料的應(yīng)用將更加廣泛。 

5月23-24日，2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會議（CSPSD 2025）于南京召開。本次會議由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）指導(dǎo)，南京郵電大學(xué)、極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)（www.huizhouyinshua.cn）、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)共同主辦。南京郵電大學(xué)集成電路科學(xué)與工程學(xué)院（產(chǎn)教融合學(xué)院）、北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司承辦。電子科技大學(xué)、南京郵電大學(xué)南通研究院、蘇州鎵和半導(dǎo)體有限公司、揚州揚杰電子科技股份有限公司、北京國聯(lián)萬眾半導(dǎo)體科技有限公司、ULVAC愛發(fā)科集團等單位協(xié)辦。 

其中，“硅、碳化硅器件及其他高壓功率器件”分會圍繞硅基功率器件與集成技術(shù)、碳化硅功率器件與集成技術(shù)、模組封裝與應(yīng)用技術(shù)等主題，來自產(chǎn)業(yè)鏈相關(guān)專家、高?？蒲性核爸髽I(yè)二十余位代表共同深入探討，追蹤最新進展。浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院研究員王珩宇，復(fù)旦大學(xué)智能機器人與先進制造創(chuàng)新學(xué)院副教授劉盼，中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所研究員程新紅，西安理工大學(xué)教授、國際合作處處長楊媛受邀共同主持了本次分會。

西安理工大學(xué)教授、國際合作處處長楊媛

江蘇超芯星半導(dǎo)體有限公司創(chuàng)始人兼董事長劉欣宇做了”破界·賦能·引領(lǐng)——化學(xué)氣相法碳化硅襯底技術(shù)創(chuàng)新開啟未來產(chǎn)業(yè)新紀元“的主題報告。分享了SiC用于射頻器件，光學(xué)器件-AR眼鏡，量子技術(shù)，量子互聯(lián)網(wǎng)絡(luò)建設(shè)，量子中繼器的功能需求，SiC色心控制，SiC用于光催化水分解，SiC的帶隙調(diào)控等方面的進展。報告指出，HTCVD原料中沒有N原子，可以更高效的制備半絕緣SiC襯底。HTCVD可有效減少雜質(zhì)原子，降低內(nèi)部缺陷濃度，減少材料的光散射/吸收，提高透光率。

西安電子科技大學(xué)杜豐羽做了”高性能SiC功率器件關(guān)鍵技術(shù)研究進展“的主題報告，報告介紹了包括高性能平面和Trench 柵型SiC功率MOSFET等代表性器件的現(xiàn)狀和最新進展，討論高性能SiC功率器件關(guān)鍵性能提升和可靠性等方面熱點問題，旨在通過關(guān)鍵工藝技術(shù)和芯片結(jié)構(gòu)的創(chuàng)新，提高器件的綜合性能和長期可靠性。報告顯示，研究采用鎢基金屬體系，開發(fā)出可用于500℃環(huán)境長時工作的新型SiC歐姆接觸。對器件進行大規(guī)模陣列化探索。設(shè)計并制備8 X 8 64位圖形傳感器陣列?？蓪崿F(xiàn)500℃環(huán)境下的的成像功能。

通富微電子股份有限公司通富研究院Power技術(shù)中心負責人邢衛(wèi)兵做了“新能源時代的封測技術(shù)與趨勢”的主題報告，分享了汽車半導(dǎo)體封裝最新趨勢等。報告指出，汽車電子短期內(nèi)依靠新能源車普及所帶來的動力電子化，其中功率半導(dǎo)體和車載MCU首先獲益。新能源車中功率半導(dǎo)體芯片使用量對比燃油車接近翻番，而隨著高壓、高功率應(yīng)用平臺的使用，功率模塊將成為核心，包括IGBT模塊，以及具備耐高溫、高壓、低功耗的第三代半導(dǎo)體SiC、GaN的應(yīng)用。

北京國聯(lián)萬眾半導(dǎo)體科技有限公司王帥做了“SiC電力電子芯片技術(shù)與SiC基GaN射頻芯片技術(shù)進展”的主題報告，分享了相關(guān)進展。報告指出，國聯(lián)萬眾主要在晶圓加工和模塊封裝測試進行布局，具備完善的6英寸SiC功率芯片量產(chǎn)生產(chǎn)線，8英寸芯片研發(fā)線也將在2025年第四季度完成升級通線。GaN射頻芯片是基于GaN材料制造的高頻高功率半導(dǎo)體芯片，廣泛應(yīng)用在通信、干擾、加熱，電子戰(zhàn)等領(lǐng)域。目前在通信行業(yè)主要發(fā)展方向為高頻高效率，在射頻能源應(yīng)用主要發(fā)展方向為高壓大功率，射頻電源應(yīng)用方向主要為低頻大功率。國聯(lián)萬眾作為國內(nèi)SiC基GaN的重要供應(yīng)商，在以上領(lǐng)域已有全面布局，并進行大批量供貨。

3D集成技術(shù)通過垂直堆疊與多維互聯(lián)，進一步突破傳統(tǒng)平面器件的性能瓶頸，推動寬禁帶半導(dǎo)體在能源、通信、國防等領(lǐng)域的革新應(yīng)用。中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所研究員程新紅做了“寬禁帶半導(dǎo)體3D集成技術(shù)”的主題報告，報告圍繞材料異質(zhì)集成、器件3D集成與功能模塊3D集成三大方向展開分析。報告指出，寬禁帶半導(dǎo)體3D集成技術(shù)正從單點突破向系統(tǒng)化發(fā)展邁進，但異質(zhì)界面質(zhì)量控制、熱應(yīng)力調(diào)控及成本優(yōu)化仍是關(guān)鍵挑戰(zhàn)。未來需結(jié)合新型材料、先進工藝與異質(zhì)融合架構(gòu)，推動寬禁帶半導(dǎo)體在AI計算、新能源汽車、航空航天等領(lǐng)域的規(guī)?；瘧?yīng)用。

電子科技大學(xué)教授章文通做了“基于電荷場調(diào)制機理的高溫高壓車規(guī)SOI BCD技術(shù)”的主題報告，分享了電荷場調(diào)制機理、高溫高壓SOI超結(jié)BCD技術(shù)等研究成果。研究將功率半導(dǎo)體器件電場分解為電離電荷產(chǎn)生的電荷場和外加電勢產(chǎn)生的電勢場，從而將功率半導(dǎo)體優(yōu)化的本質(zhì)歸結(jié)為電荷場對電勢場的調(diào)制。研究有效解決了傳統(tǒng)平衡超結(jié)因高劑量引起的PN結(jié)提前擊穿問題，顯著提升了器件性能。

場板技術(shù)是高壓器件設(shè)計中廣泛使用的電場優(yōu)化技術(shù)，因為它與制造工藝完全兼容。濟南大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院教授張春偉做了“場板技術(shù)中的電場調(diào)制機制研究：基于電荷的視角”的主題報告，分享最新研究成果。其中，為了控制感應(yīng)電荷密度，研究提出了沿源極到漏極方向?qū)挾戎饾u減小的三維場板（3D-VDFP）。此外，提出了一種由感應(yīng)板和調(diào)節(jié)板組成的新型超場板（SuFP）?；?00V LIGBT的實驗結(jié)果表明，所提出的超場板實現(xiàn)了電荷平衡和均勻的電子傳輸

南京郵電大學(xué)博士代玙璇做了“智能TCAD技術(shù)—AI賦能微納電子器件的仿真、建模與設(shè)計”的主題報告，分享了相關(guān)研究成果。報告顯示，針對仿真技術(shù)，采用機器學(xué)習(xí)可實現(xiàn)預(yù)測精度> 95%, 預(yù)測速度提升了106 ；針對建模技術(shù)，物理模型的引入可進一步優(yōu)化訓(xùn)練數(shù)據(jù)量；建模難度大幅度降低，預(yù)測精度> 95%；針對設(shè)計技術(shù)，可自動實現(xiàn)滿足目標性能的要求，無人工干預(yù)，預(yù)測誤差<5%，設(shè)計時間降至數(shù)分鐘。另外，物理知識的引入不僅可使設(shè)計滿足目標性能，還可加速器件的設(shè)計進程。同時，超過71%的結(jié)構(gòu)都是理想設(shè)計，僅3%不符合預(yù)期。

北京昕感科技（集團）副總，功率模塊事業(yè)部負責人李道會做了“面向車規(guī)應(yīng)用的功率之”芯”SiC及封裝技術(shù)挑戰(zhàn)”的主題報告，報告指出，車規(guī)主驅(qū)應(yīng)用對于碳化硅器件設(shè)計制造技術(shù)，以及碳化硅封裝技術(shù)的設(shè)計-工藝-材料-電性能及可靠性等方面提出了更具挑戰(zhàn)性的要求，需要碳化硅從業(yè)者面對挑戰(zhàn)，與車企高度配合形成技術(shù)產(chǎn)品閉環(huán)。

愛發(fā)科（蘇州）技術(shù)研究開發(fā)有限公司研究員王鶴鳴做了“面向功率器件制造的先進離子注入解決方案：集成工藝與創(chuàng)新”的主題報告，分享了面向碳化硅離子注入、IGBT離子注入、GaN器件離子注入的技術(shù)方案。報告指出，IGBT、碳化硅MOSFET等功率器件需精確控制摻雜以優(yōu)化載流子遷移率、擊穿電壓及熱穩(wěn)定性。傳統(tǒng)摻雜工藝在碳化硅（SiC）材料中面臨極端硬度與高溫處理需求的雙重限制。盡管離子注入已成為主流技術(shù)，但在生產(chǎn)效率（如SiC器件）、缺陷控制及能量可擴展性方面仍存在顯著挑戰(zhàn)。

山東大學(xué)教授彭燕做了“基于金剛石/碳化硅新型異質(zhì)散熱結(jié)構(gòu)的器件應(yīng)用研究”的主題報告，報告系統(tǒng)探討了SiC/金剛石異質(zhì)結(jié)構(gòu)界面的應(yīng)力演變特征。揭示了不同溫度和厚度條件下金剛石膜的應(yīng)力分布規(guī)律及其影響機制。通過將實驗數(shù)據(jù)與有限元仿真結(jié)果進行對比，證明基于溫度修正的應(yīng)力計算方法是評估多層系統(tǒng)熱應(yīng)力的有效手段，為相關(guān)器件的設(shè)計和優(yōu)化提供了重要的理論依據(jù)和實踐指導(dǎo)。

中國電子科技集團公司第四十六研究所董剛做了“金剛石材料研究進展”的主題報告，分享了國內(nèi)外研究進展以及46所研究進展。報告顯示，金剛石多晶在散熱領(lǐng)域的應(yīng)用，面臨著 大尺寸金剛石多晶的加工、金剛石與其他材料的界面問題、成本問題等挑戰(zhàn)。金剛石單晶面臨著 大尺寸、高質(zhì)量單晶的批量研制、金剛石單晶的加工問題；金剛石的n型摻雜問題等。報告指出，以金剛石作為散熱材料解決GaN等典型功率器件的散熱問題，面臨材料、成本、技術(shù)等多重挑戰(zhàn)，但是隨著技術(shù)進步和產(chǎn)業(yè)鏈的逐漸成熟，有望在未來5-10年內(nèi)實現(xiàn)規(guī)?；瘧?yīng)用，成為高功率器件的主流解決方案。

江南大學(xué)喻俊峰做了“高性能宇航級SGT功率器件與輻照模型研究”的主題報告，分享了SGT MOS輻照現(xiàn)象及機理、新型SGT MOS輻照加固設(shè)計等研究進展。報告顯示，研究定性給出SGT MOSFET總劑量輻照在OFF態(tài)下由電荷失衡主導(dǎo)，ON態(tài)下由DIBL效應(yīng)主導(dǎo)的失效機理，并建立了較完善的輻照失效模型；創(chuàng)新地提出降低輻照電荷敏感點的關(guān)鍵技術(shù)，進而開發(fā)抗輻照加固關(guān)鍵工藝，建立了相關(guān)電荷輻照模型；研制滿足同時滿足ON/OFF TID 100 Krad、150 Krad指標的30 V抗輻照G2-SGT新器件，有利地支持后續(xù)的抗輻照SGT器件研究。

浙江大學(xué)電氣工程學(xué)院研究員王珩宇做了“碳化硅功率器件空間電荷補償技術(shù)”的主題報告，探討碳化硅超級結(jié)器、碳化硅浮島結(jié)器件研究進展。報告指出，SiC功率器件性能逐漸接近了其一維理論極限，進一步降低電阻和功率損耗遇到了技術(shù)瓶頸，超級結(jié)和浮島結(jié)技術(shù)通過空間電荷補償，可以實現(xiàn)高效電場分布，進而突破SiC器件一維電阻極限。SiC超級結(jié)和浮島結(jié)技術(shù)都分別提高了碳化硅器件的性能，并成功實現(xiàn)了一維極限的突破。SiC超級結(jié)和浮島結(jié)系列器件的性能尚未兌現(xiàn)其理論性能優(yōu)勢，未來有希望將呈倍數(shù)級提升器件性能（功率品質(zhì)因數(shù)FOM），并實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。SiC超級結(jié)器件的動態(tài)特性、可靠性有待深入研究。

熾芯微電子科技（蘇州）有限公司董事長&總經(jīng)理朱正宇做了“功率器件封裝技術(shù)的發(fā)展及展望”的主題報告，分享市場驅(qū)動與功率器件封裝技術(shù)趨勢與現(xiàn)代封裝技術(shù)的關(guān)鍵突破。報告指出，隨著對功率密度的追求和性價比的提升，新一代器件的誕生必將需要相匹配的功率器件封裝技術(shù)； 封裝制約著器件的應(yīng)用，應(yīng)該重視封裝技術(shù)的發(fā)展以發(fā)揮新一代器件的特性優(yōu)勢； 導(dǎo)熱和散熱結(jié)構(gòu)和材料的創(chuàng)新迭代是新一代器件發(fā)展應(yīng)用的關(guān)鍵；功率封裝的設(shè)計需要經(jīng)大數(shù)據(jù)和智能化加持的設(shè)計工具包（EDA）；新一代器件及其封裝的可靠性評價方法和標準需要結(jié)合實際的應(yīng)用不斷發(fā)展完善。

功率器件結(jié)溫的準確提取是其狀態(tài)監(jiān)測、可靠性評估和健康管理的重要基礎(chǔ)。北京智慧能源研究院任海做了“基于正向壓降表征的碳化硅MOSFET結(jié)溫測量方法研究”的主題報告，分享了溫敏參數(shù)及校溫曲線系統(tǒng)評估、碳化硅MOSFET模塊測試驗證等研究進展。報告指出，碳化硅MOSFET柵氧界面態(tài)缺陷密度高，需要對溫敏參數(shù)及對應(yīng)校溫曲線開展穩(wěn)定性、重復(fù)性、溫敏性的系統(tǒng)評估。提出基于導(dǎo)通壓降VDS的短脈沖大電流結(jié)溫測量方法，可用于并聯(lián)SBD芯片的碳化硅MOSFET模塊結(jié)溫測量。通過與紅外熱成像方法和電學(xué)方法的比較，驗證了所提出的測量方法的準確性，碳化硅MOSFET模塊的熱阻（Rth）重復(fù)性測量誤差小于3%，與紅外法相比，結(jié)溫（Tj）測量的誤差約為1%。碳化硅器件的結(jié)溫測量相比硅器件面臨更多挑戰(zhàn)，可滿足實際應(yīng)用需求的溫敏參數(shù)較少，亟需研究新的結(jié)溫測量方法和測量技術(shù)。

南京郵電大學(xué)教授劉宇做了“可調(diào)節(jié)柵級輔助LIGBT實現(xiàn)Von與Eoff的更優(yōu)平衡研究”的主題報告。報告圍繞研究背景、結(jié)構(gòu)設(shè)計、實驗+仿真驗證、原理分析及結(jié)果討論做了介紹。報告介紹，目前器件角度還只處于仿真階段，如何從工藝角度實現(xiàn)并應(yīng)用需要繼續(xù)摸索。鐵電非易失特性還有更多可以發(fā)掘的地方，同時非易失特性在功耗方面可能存在優(yōu)勢可以探索。

南京第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心有限公司研發(fā)總監(jiān)李士顏做了“新一代SiC功率MOSFET產(chǎn)品研制進展”的主題報告，報告介紹國際上SiC電力電子芯片及模塊的研究現(xiàn)狀及趨勢，展示中國電科55所針對數(shù)據(jù)中心和新能源汽車應(yīng)用，在400V-1200V電壓等級SiC芯片及模塊的研究進展，展示了最新一代平面型和溝槽型SiC MOSFET研究成果，討論SiC芯片及模塊在數(shù)據(jù)中心和新能源汽車領(lǐng)域應(yīng)用面臨的機遇與挑戰(zhàn)。

復(fù)旦大學(xué)智能機器人與先進制造創(chuàng)新學(xué)院副教授劉盼做了“1200V IGBT與SiC MOSFET的短路性能對比研究”的主題報告。她表示，對兩類功率器件Si IGBT與SiC MOSFET在短路工況下的電學(xué)特性與失效機理進行探究，分析了兩種器件在短路條件下的失效類型與失效機理，提出提升器件短路性能的優(yōu)化方案?；诠に嚨母呔裙β势骷Ｐ蛯κХ治?、失效機理的研究至關(guān)重要。利用多準則TOPSIS算法可快速對器件工藝參數(shù)優(yōu)化，在保證關(guān)鍵電學(xué)參數(shù)的同時，提升器件短路性能。結(jié)合深P阱設(shè)計和器件結(jié)構(gòu)改進，可進一步提升SiC MOSFET短路性能。

東南大學(xué)副研究員魏家行做了“碳化硅功率MOS器件技術(shù)新進展”的主題報告，從產(chǎn)品結(jié)構(gòu)、制造工藝、可靠性、典型應(yīng)用等方面出發(fā)，介紹當下SiC功率MOSFET器件關(guān)鍵技術(shù)的最新進展，并對未來的發(fā)展趨勢做出展望。

廣東工業(yè)大學(xué)副教授周賢達做了“功率MOSFET的非嵌位感性開關(guān)”的主題報告，為了評估功率MOSFET在雪崩條件下的堅固性，非嵌位感性開關(guān)（UIS）已成為一種標準方法。在UIS測試中，器件內(nèi)部寄生三極管開啟是主要的失效機制。報告對改善UIS性能的方法進行綜述，并討論了一些特例。

南京郵電大學(xué)胡子偉博士做了“碳化硅功率器件高K介質(zhì)調(diào)制技術(shù)”的主題報告

深圳平湖實驗室，西安理工大學(xué)汪雅馨做了“碳化硅功率LDMOS與CMOS集成技術(shù)的研究”的主題報告，結(jié)合國內(nèi)外研究現(xiàn)狀，分享了新型功率SiC LDMOS設(shè)計的研究進展。結(jié)果顯示，通過研究高電壓功率SiC LDMOS和低壓器件的設(shè)計和工藝，以實現(xiàn)控制電路與功率器件的全SiC集成技術(shù)，對于提升功率系統(tǒng)整體的最高工作溫度、工作效率和可靠性具有極大意義。

圓桌對話 

在圓桌對話環(huán)節(jié)，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟副秘書長趙璐冰博士主持下，與揚杰科技功率器件事業(yè)部副總經(jīng)理施俊、鎵和半導(dǎo)體董事長/南京郵電大學(xué)教授唐為華、中國科學(xué)院微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所研究員程新紅、超芯星半導(dǎo)體董事長劉欣宇、昕感科技副總經(jīng)理李道會、西安理工大學(xué)國際合作與交流處處長楊媛一起，就國產(chǎn)功率半導(dǎo)體如何有效打開應(yīng)用市場、技術(shù)迭代、成本下降、新場景，以及國內(nèi)外技術(shù)&市場等主要核心點的對比，氧化鎵等材料未來市場的競爭等熱點問題展開討論。

（會議內(nèi)容詳情，敬請關(guān)注半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)、第三代半導(dǎo)體公號）