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CSPSD 2025前瞻|東南大學(xué)魏家行:碳化硅功率MOSFET關(guān)鍵技術(shù)新進(jìn)展

日期:2025-05-19 來源:半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)閱讀:397
核心提示:5月22-24日, “2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會議(CSPSD 2025)”將于南京舉辦。東南大學(xué)副教授魏家行將受邀出席會議,并帶來《碳化硅功率MOSFET關(guān)鍵技術(shù)新進(jìn)展》的主題報告,報告將從產(chǎn)品結(jié)構(gòu)、制造工藝、可靠性、典型應(yīng)用等方面出發(fā),介紹當(dāng)下SiC功率MOSFET器件關(guān)鍵技術(shù)的最新進(jìn)展,并對未來的發(fā)展趨勢做出展望,敬請關(guān)注!

頭圖

基于寬禁帶碳化硅(SiC)材料制備的功率MOSFET器件,具有擊穿電壓高、電流密度大、高溫性能穩(wěn)定、高頻特性好等優(yōu)點,在電動汽車、光伏儲能、軌道交通、智能電網(wǎng)等中高壓領(lǐng)域前景廣闊。

5月22-24日, “2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會議(CSPSD 2025)”將于南京舉辦。本次論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟(CASA)指導(dǎo),南京郵電大學(xué)、極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)(www.huizhouyinshua.cn)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)共同主辦。南京郵電大學(xué)集成電路科學(xué)與工程學(xué)院(產(chǎn)教融合學(xué)院)、北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司承辦。電子科技大學(xué)、南京郵電大學(xué)南通研究院、蘇州鎵和半導(dǎo)體有限公司、揚州揚杰電子科技股份有限公司等單位協(xié)辦。 

會議設(shè)有開幕大會&主旨報告,以及硅及寬禁帶半導(dǎo)體材料、器件及集成應(yīng)用,超寬禁帶材料、器件及集成應(yīng)用,功率集成交叉與應(yīng)用,先進(jìn)封裝與異構(gòu)集成等4個平行論壇,將覆蓋晶圓造、芯片設(shè)計、芯片加工、模塊封裝、測試分析、軟件工具、設(shè)備制造、整機(jī)應(yīng)用等產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)。 

屆時,東南大學(xué)副教授魏家行將受邀出席會議,并帶來《碳化硅功率MOSFET關(guān)鍵技術(shù)新進(jìn)展》的主題報告,報告將從產(chǎn)品結(jié)構(gòu)、制造工藝、可靠性、典型應(yīng)用等方面出發(fā),介紹當(dāng)下SiC功率MOSFET器件關(guān)鍵技術(shù)的最新進(jìn)展,并對未來的發(fā)展趨勢做出展望,敬請關(guān)注! 

0519-魏家行

嘉賓簡介:魏家行,東南大學(xué)副教授,博士生導(dǎo)師。主要從事碳化硅功率半導(dǎo)體器件及其集成技術(shù)的研究工作。共發(fā)表權(quán)威期刊和國際會議論文50余篇,其中一作/通訊23篇;授權(quán)PCT專利2項,中國發(fā)明專利15項;主持/骨干參與國家自然科學(xué)基金、國家重點研發(fā)計劃等國家和省部級項目10余項;出版專著1部;獲東南大學(xué)“至善青年學(xué)者”支持;獲2021年和2023年江蘇省科學(xué)技術(shù)二等獎。

會議時間:5月22-24日(5月22日下午報到,23-24日會議日)

會議酒店:中國·南京·熹禾涵田酒店(南京市浦口區(qū)象賢路158號)

組織機(jī)構(gòu)

指導(dǎo)單位:第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟(CASA)

主辦單位:南京郵電大學(xué)、極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)(www.huizhouyinshua.cn)、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

承辦單位:南京郵電大學(xué)集成電路科學(xué)與工程學(xué)院(產(chǎn)教融合學(xué)院)、北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司

協(xié)辦支持:電子科技大學(xué)、南京郵電大學(xué)南通研究院、蘇州鎵和半導(dǎo)體有限公司、揚州揚杰電子科技股份有限公司

大會主席:郭宇鋒

聯(lián)合主席:柏松 張波 趙璐冰

程序委員會:盛況 陳敬 張進(jìn)成 陸海 唐為華 羅小蓉 張清純 龍世兵 王來利 程新紅 楊媛 楊樹 張宇昊 劉斯揚 章文通 陳敦軍 耿博 郭清 蔡志匡 劉雯 鄧小川 魏進(jìn) 周琦 周弘 葉懷宇 許晟瑞 張龍 包琦龍 金銳 姚佳飛 蔣其夢 明鑫 周春華 等

組織委員會

主 任:姚佳飛

副主任:涂長峰

成 員:張茂林 周峰 徐光偉 劉盼 王珩宇 楊可萌 張珺 王曦 羅鵬 劉成 劉宇 馬慧芳 陳靜 李曼 賈欣龍等

主題方向

1. 硅基功率器件與集成技術(shù)

硅基、SOI基功率器件、可集成功率器件、器件仿真與設(shè)計技術(shù)、器件測試表征技術(shù)、器件可靠性、器件制造技術(shù)、功率集成IC技術(shù)

2.碳化硅功率器件與集成技術(shù)

碳化硅功率器件、器件設(shè)計與仿真技術(shù)、器件制造技術(shù)、器件測試與可靠性、可集成器件與功率集成技術(shù)

3.氮化鎵、III/V族化合物半導(dǎo)體功率器件與功率集成

氮化鎵功率器件、III/V族化合物(AlN、GaAs)半導(dǎo)體功率器件、器件設(shè)計與仿真技術(shù)、器件制造技術(shù)、器件測試與可靠性、可集成器件與功率集成技術(shù)

4.氧化鎵/金剛石功率器件與集成技術(shù)

氧化鎵/金剛石功率器件、器件設(shè)計與仿真技術(shù)、器件制造技術(shù)、器件測試與可靠性、可集成器件與功率集成技術(shù)

5.模組封裝與應(yīng)用技術(shù)

功率器件、模組與封裝技術(shù)、先進(jìn)封裝技術(shù)與封裝可靠性

6.面向功率器件及集成電路的核心材料、裝備及制造技術(shù)

核心外延材料、晶圓芯片及封裝材料;退火、刻蝕、離子注入等功率集成工藝平臺與制造技術(shù);制造、封裝、檢測及測試設(shè)備等

7.功率器件交叉領(lǐng)域

基于新材料(柔性材料、有機(jī)材料、薄膜材料、二維材料)的功率半導(dǎo)體器件設(shè)計、制造與集成技術(shù);人工智能驅(qū)動的功率器件仿真,建模與設(shè)計、封裝與測試

會議日程

南京CSPSD整體日程

南京CSPSD整體日程

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南京CSPSD整體日程

備注:上述日程或有微調(diào),最終以現(xiàn)場為準(zhǔn)。

參會及擬邀單位

中電科五十五所、電子科技大學(xué)、英飛凌、華虹半導(dǎo)體、揚杰科技、士蘭微、捷捷微電、英諾賽科、中科院上海微系統(tǒng)所、氮矽科技、中科院微電子所、中科院半導(dǎo)體所、三安半導(dǎo)體、芯聯(lián)集成、斯達(dá)半導(dǎo)體、中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)、浙江大學(xué)、東南大學(xué)、復(fù)旦大學(xué)、西安電子科技大學(xué)、清華大學(xué)、北京大學(xué)、廈門大學(xué)、南京大學(xué)、香港大學(xué)、天津大學(xué)、長飛半導(dǎo)體、華為、溫州大學(xué)、明義微電子、海思半導(dǎo)體、瞻芯電子、基本半導(dǎo)體、華大九天、博世、中鎵半導(dǎo)體、江蘇宏微、蘇州晶湛、百識電子、超芯星、南瑞半導(dǎo)體、國聯(lián)萬眾、西交利物浦大學(xué)、西安理工大學(xué)、北京智慧能源研究院、高芯(河南)半導(dǎo)體、中科院納米所、九峰山實驗室、平湖實驗室、北京工業(yè)大學(xué)、深圳大學(xué)、南方科技大學(xué)、華南師范大學(xué)、立川、國電投核力創(chuàng)芯、華中科技大學(xué)……等等

動參與:   

注冊費2800元,5月15日前注冊報名2500元(含會議資料袋,23日午餐、歡迎晚宴、24日自助午餐及晚餐)

繳費方式

①銀行匯款

開戶行:中國銀行北京科技會展中心支行

賬 號:336 356 029 261

名 稱:北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司

②移動支付

移動支付

備注:通過銀行匯款/移動支付,請務(wù)必備注:單位簡稱+姓名+南京,以便后續(xù)查詢及開具發(fā)票。若需開具發(fā)票請將報名信息、轉(zhuǎn)賬憑證及開票信息發(fā)送至郵箱:lilyli@china-led.net。

掃碼預(yù)報名

掃碼報名

備注:此碼為預(yù)報名通道,完成信息提交后,需要對公匯款或者掃碼支付注冊費。

論文投稿及報告咨詢:

賈老師  18310277858  jiaxl@casmita.com

姚老師  15951945951  jfyao@njupt.edu.cn

張老師  17798562651  mlzhang@njupt.edu.cn 

李老師  18601994986  linan@casmita.com

贊助、展示及參會聯(lián)系:

賈先生  18310277858   jiaxl@casmita.com

張女士  13681329411  zhangww@casmita.com

投稿模板下載:投稿模板_CSPSD2025.docx    文章?lián)駜?yōu)推薦到EI期刊《半導(dǎo)體學(xué)報(英文)》。 

會議酒店

南京熹禾涵田酒店

協(xié)議價格:標(biāo)間&大床房,400元/晚,含早餐

地址:南京市浦口區(qū)象賢路158號

郵箱:503766958@qq.com

酒店聯(lián)系人

陸經(jīng)理 15050562332  025-58628888 

嘉賓簡介

魏家行,東南大學(xué)副教授,博士生導(dǎo)師。主要從事碳化硅功率半導(dǎo)體器件及其集成技術(shù)的研究工作。共發(fā)表權(quán)威期刊和國際會議論文50余篇,其中一作/通訊23篇;授權(quán)PCT專利2項,中國發(fā)明專利15項;主持/骨干參與國家自然科學(xué)基金、國家重點研發(fā)計劃等國家和省部級項目10余項;出版專著1部;獲東南大學(xué)“至善青年學(xué)者”支持;獲2021年和2023年江蘇省科學(xué)技術(shù)二等獎。

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