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CSPSD 2025前瞻|南京郵電大學(xué)南通研究院邀您同聚“2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議”

CSPSD 2025前瞻|揚(yáng)杰科技邀您同聚“2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議”

CSPSD 2025前瞻|國(guó)聯(lián)萬(wàn)眾邀您同聚“2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議”

CSPSD 2025前瞻|矢量科學(xué)儀器邀您同聚“2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議”

詳細(xì)日程| 2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議（CSPSD 2025）5月22-24日南京見!

CSPSD 2025前瞻|中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)楊樹：高壓低阻垂直型GaN功率電子器件研究

CSPSD 2025前瞻|西安電子科技大學(xué)張進(jìn)成:鎵系半導(dǎo)體功率器件研究進(jìn)展

CSPSD 2025前瞻|東南大學(xué)劉斯揚(yáng)：功率半導(dǎo)體集成技術(shù)研究進(jìn)展

CSPSD 2025前瞻|中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)徐光偉：基于摻雜調(diào)控和缺陷工程的氧化鎵功率器件研究

CSPSD 2025前瞻|浙江大學(xué)王珩宇：碳化硅功率器件空間電荷補(bǔ)償技術(shù)

CSPSD 2025前瞻|揚(yáng)杰科技施俊：SiC功率器件的技術(shù)發(fā)展和應(yīng)用、挑戰(zhàn)和未來趨勢(shì)

揚(yáng)杰科技車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體模塊封裝項(xiàng)目開工

CSPSD 2025前瞻|南京大學(xué)陳敦軍：p-NiO/AlGaN/GaN HEMT功率器件及其載流子輸運(yùn)與調(diào)控

CSPSD 2025前瞻|山東大學(xué)劉超：1.5 kV全垂直GaN-on-Si功率MOSFET

CSPSD 2025前瞻|九峰山實(shí)驗(yàn)室袁?。盒滦投嗉?jí)溝槽氧化鎵功率器件的研究

CSPSD 2025前瞻|?深圳大學(xué)劉新科：低成本GaN基GaN功率器件

CSPSD 2025前瞻|南京第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心有限公司李士顏:新一代SiC功率MOSFET產(chǎn)品研制進(jìn)展

揚(yáng)杰科技10億元SiC車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體模塊封裝項(xiàng)目開工

CSPSD 2025前瞻|西安電子科技大學(xué)宋慶文：高性能SiC功率器件關(guān)鍵技術(shù)研究進(jìn)展

CSPSD 2025前瞻|江南大學(xué)黃偉：高性能宇航級(jí)SGT功率器件與輻照模型研究

TMC2025車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體論壇劇透：破解新能源“卡脖子”技術(shù)

江南大學(xué)成果推介:氮化鎵微波功率器件

總投資超50億元，中低壓功率器件產(chǎn)業(yè)化（株洲）建設(shè)項(xiàng)目封頂

CSPSD 2025前瞻|南京大學(xué)周峰：氮化鎵功率器件輻射效應(yīng)與加固技術(shù)研究

2025車用功率半導(dǎo)體應(yīng)用技術(shù)培訓(xùn)會(huì)將在廣州南沙舉辦

CSPSD 2025前瞻|新微半導(dǎo)體王慶宇：氮化鎵賦能未來，突破功率極限，開啟能效革命

CSPSD 2025前瞻|愛發(fā)科王鶴鳴：面向功率器件制造的先進(jìn)離子注入解決方案的集成工藝與創(chuàng)新

CSPSD 2025前瞻|昕感科技李道會(huì)：面向車規(guī)應(yīng)用的功率之”芯”SiC及封裝技術(shù)挑戰(zhàn)

最新報(bào)告嘉賓公布！2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議（CSPSD2025）

CSPSD 2025前瞻|北京大學(xué)魏進(jìn)：GaN功率器件動(dòng)態(tài)電阻與動(dòng)態(tài)閾值電壓

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