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上海大學張建華教授、任開琳副教授與晶湛半導體合作在氮化鎵光電單片集成方面取得新進展

深圳大學寬禁帶半導體功率器件劉新科研究員團隊：通過PEALD-GaO?界面工程實現(xiàn)高性能垂直氮化鎵MOS電容器

北京大學電子學院魏賢龍課題組在二維氮化硼的介電強度研究中取得重要進展

1200V全垂直硅基氮化鎵MOSFET

王新強、李新征及合作者確定石墨烯上氮化物半導體單晶材料外延范式

上海微系統(tǒng)所成功實現(xiàn)六方氮化硼納米帶的帶隙調控

中國人大陳珊珊教授團隊在寬帶隙超薄二維氮化鎵的可控制備方面獲新進展

北大物理學院量子材料科學中心高鵬研究員與合作者首次在玻璃襯底上異質外延出準單晶氮化鎵薄膜

奧趨光電正式批量量產新一代超寬禁帶半導體高端材料—— 高質量氮化鋁單晶襯底系列產品

5G 時代熱門半導體：碳化硅、氮化鎵有什么差別？

氮化鎵材料的發(fā)展歷程

隨著5G的到來，氮化鎵能否成為新的“材料寵兒”？

最近熱炒的“氮化鎵”到底是什么？

第三代半導體——氮化鎵（GaN）

日本半導體的突破，2英寸氮化鎵單晶基板量產

金剛石基氮化鎵將在下一代功率器件中大展拳腳

成型體積密度對氮化硅結合碳化硅磚性能的影響

第三代半導體材料氮化鎵（GaN）或引發(fā)充電革命？

2019年中國氮化鎵（GaN）供給與需求、電子電力器件及其他氮化鎵應用情況[圖]

南昌大學江風益教授新當選中科院院士

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