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北京大學取得AlGaN基深紫外發(fā)光二極管器件結(jié)構(gòu)及其制備方法專利，顯著提升器件的光輸出功率

半導體所研制出室溫連續(xù)功率4.6W的GaN基大功率紫外激光器

日本初創(chuàng)公司開發(fā)功率半導體生產(chǎn)新材料成本降低75%

上海光機所在高重頻高功率超快激光器研究取得進展

山東大學彭燕、徐現(xiàn)剛團隊在面向大功率高效散熱GaN器件用金剛石-碳化硅復合襯底的進展

嘉善復旦研究院與復旦大學科研團隊在低傳導損耗功率器件方面取得重大進展

我國取得深海大功率人工源電磁探測技術(shù)新突破

西安電子科技大學郝躍院士團隊：氧化鎵功率器件研究成果

電子科技大學羅小蓉課題組在超寬禁帶半導體氧化鎵功率器件領域取得研究進展

中山大學王鋼教授團隊在NiO/β-Ga?O?異質(zhì)結(jié)在功率器件領域的研究進展

中國科大在功率電子器件領域取得重要進展

中科院微電子所：在硅基氮化鎵橫向功率器件的動態(tài)可靠性研究方面取得進展

CASA發(fā)布《SiC MOSFET功率器件的應用可靠性評價技術(shù)體系報告》

簡述功率半導體器件之IGBT技術(shù)及市場發(fā)展概況

簡述金剛石在 GaN 功率放大器熱設計中的應用

簡述一種具有疊層鈍化結(jié)構(gòu)的高耐壓低功耗GaN功率器件

簡述碳化硅功率器件封裝的三個關(guān)鍵技術(shù)

簡述GaN功率器件應用可靠性增長研究

上海光機所在高峰值功率皮秒深紫外光源方面取得研究進展

簡述通過柵極驅(qū)動器提高開關(guān)電源功率密度

蘇州納米所孫錢團隊研制出國際首支1200V的硅襯底GaN基縱向功率器件

東風汽車碳化硅功率模塊將于2023年實現(xiàn)量產(chǎn)

SiC MOSFET功率模塊的各種參數(shù)電動汽車

淺述GaN功率器件的發(fā)展

簡述功率MOSFET電流額定值和熱設計

Nature Electronics 電力電子首篇綜述 - 功率器件的多維結(jié)構(gòu)

中科院微電子所研制高功率密度5結(jié)級聯(lián)905nm VCSEL

簡述SiC功率器件的新發(fā)展和挑戰(zhàn)

簡述碳化硅功率器件封裝關(guān)鍵技術(shù)

簡述使用不同類型GaN FET 設計提高系統(tǒng)設計功率密度

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