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中科院微電子所黃森、劉新宇團隊在GaN外延位錯傳導載流子及其導致功率電子器件可靠性退化機制方面取得重要進展

南京大學團隊在國際功率半導體會議ISPSD上發(fā)布兩項宇航用氮化鎵功率器件輻照效應研究成果

科研成果| 硅基金剛石熱沉在GaN功率放大器中的應用

浙江大學電氣工程學院PEDL團隊五項重要成果在功率器件頂級會議ISPSD發(fā)表

新成果！深圳大學在寬禁帶半導體功率器件領域取得突破性進展

集成電路學院功率集成技術實驗室第9次斬獲IEEE ISPSD 發(fā)表論文數(shù)全球第一

九峰山實驗室推氧化鎵科研級功率單管及coupon to wafer流片平臺

西電張進成教授等在金剛石高壓功率器件領域取得重要進展

浙江大學柯徐剛研究員團隊發(fā)布應用于大功率AI數(shù)據(jù)中心的第三代半導體氮化鎵高效率智能供電芯片

中國科大楊樹教授和龍世兵教授課題組在垂直型GaN功率晶體管研究方向取得重要進展

我國在太空成功驗證第三代半導體材料制造的功率器件

中國首款高壓抗輻射碳化硅功率器件研制成功通過太空驗證

中國太空科技新突破！首款高壓抗輻射碳化硅功率器件研制成功并驗證

南京郵電大學研究團隊在用于低功率光通信的GaN/CuI異質(zhì)結(jié)構(gòu)紫外光伏探測器取得進展

北京大學團隊在GaN基功率電子器件研究上取得系列重要進展

北大集成電路學院研究團隊在GaN基功率電子器件研究上取得系列重要進展

南京大學在宇航用抗輻照GaN功率器件方面取得新進展

脈沖模式下輸出功率超15 W的氮化鎵藍光激光器

西湖大學工學院仇旻團隊研究進展 | 4H-SiC超透鏡：抑制高功率激光輻照的熱漂移效應

廈門大學與三安光電關于大功率激光器壽命研究取得新進展

英飛凌推出全球最薄硅功率晶圓，突破技術極限并提高能效

睿創(chuàng)微納在微波功率放大器研究中取得重要進展

從三種充電方式，解鎖不同功率電動汽車充電樁設計方案全攻略

中國科大微電子學院在GaN功率電子器件浪涌特性研究方向取得新進展

北京大學王新強教授團隊：推動高功率UVC-LED晶圓進入低成本4英寸時代！

英飛凌率先開發(fā)全球首項300mm氮化鎵功率半導體技術，推動行業(yè)變革

基本半導體銅燒結(jié)技術在碳化硅功率模塊中的應用

北京大學在GaN功率器件可靠性與集成技術方面取得系列進展

808nm高功率半導體激光芯片取得重大突破

復旦大學芯片院在高速低EMI功率集成電路設計領域取得重要進展

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