氮化鎵功率器件于傳統器件相比，有著功率密度更高，耐壓高，效率高的顯著優(yōu)點。GaN整流二極管是功率整流器是功率管理系統中的重要組成部分，目前主要包括SBD和PIN功率二極管。在1999年，加工理工學院便做出了擊穿電壓為450V，正向導通壓降為4.2V的GaN SBD功率整流器。2001年，弗羅里達州立大學便通過設置P型保護環(huán)和場版結構將反向擊穿電壓做到了1000V。隨著不斷發(fā)展，器件的擊穿電壓在不斷提高，正向開啟電壓在減小，應用場景更廣闊能耗更小。

平面型P保護環(huán)和場板技術的功率整流器

GaN功率開關器件：由于AlGaN /GaN HEMT具有工藝簡單、技術成熟、正向導通特性優(yōu)良和工作頻率高等優(yōu)點 ,已是GaN功率開關器件中最受關注的結構。如何改善器件在高壓高流高速與低導通電阻低能耗之間的關系，是設計功率器件中需要重視的關鍵問題。2003年，美國率先實現了具有900V擊穿電壓、最大漏極電流為700mA/mm多場板結構的GaN HEMT器件結構。攻克耗盡型器件的難題之后，還需要繼續(xù)研究增強型器件結構。因為常關型結構件才能夠確保功率電子系統的安全性、降低系統成本和復雜性等，是功率系統中的首選器件。

（來源：微納研究院）