11月22日，世界先進(jìn)宣布，其領(lǐng)先的八英寸0.35微米650 V的新基底高電壓氮化鎵制程（GaN-on-QST）已于客戶端完成首批產(chǎn)品系統(tǒng)及可靠性驗(yàn)證，正式進(jìn)入量產(chǎn)，為特殊集成電路制造服務(wù)領(lǐng)域首家量產(chǎn)此技術(shù)的公司。世界先進(jìn)說明，公司的0.35微米650 V GaN-on-QST制程能與公司既有的八英寸硅晶圓機(jī)臺(tái)設(shè)備在開發(fā)與生產(chǎn)上相互配合使用，以達(dá)最佳生產(chǎn)效率及良率。

　　世界先進(jìn)指出，2018年以Qromis基板技術(shù)（簡(jiǎn)稱QST TM）進(jìn)行八英寸QST基板的0.35微米650 V GaN-on-QST制程開發(fā)，于今年第一季開發(fā)完成，于第四季成功量產(chǎn)，世界先進(jìn)同時(shí)已和海內(nèi)外整合元件制造（IDM）廠及IC設(shè)計(jì)公司展開合作。

 

　　QST 基板相較于以矽（Si）作為基板，具有與氮化鎵磊晶層更匹配的熱膨脹系數(shù)（CTE），在制程中堆疊氮化鎵的同時(shí)，也能降低翹曲（warpage）破片，更有利于實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。世界先進(jìn)公司的 0.35 微米 650V GaN-on-QST 制程能與公司既有的八寸矽晶圓機(jī)臺(tái)設(shè)備在開發(fā)與生產(chǎn)上相互配合使用，以達(dá)最佳生產(chǎn)效率及良率。根據(jù)客戶端的系統(tǒng)驗(yàn)證結(jié)果，世界先進(jìn)公司提供的氮化鎵晶圓于快充市場(chǎng)的應(yīng)用上，針對(duì) 65W 以上的快充產(chǎn)品，其系統(tǒng)效率已達(dá)世界領(lǐng)先的水準(zhǔn)。此外，基于 QST 基板的良好散熱特性，在整體快充方案效能上，世界先進(jìn)公司提供的氮化鎵晶圓具有更優(yōu)良的散熱表現(xiàn)。

 

　　世界先進(jìn)公司營運(yùn)長尉濟(jì)時(shí)博士表示：“世界先進(jìn)公司身為特殊積體電路制造服務(wù)的領(lǐng)導(dǎo)廠商，不斷精進(jìn)制程技術(shù)，以提供客戶最具效益的完整解決方案及高附加價(jià)值的服務(wù)。我們的 0.35 微米 650V GaN-on-QST 制程具備效能及可靠性優(yōu)勢(shì)，不僅提供客戶更優(yōu)化的積體電路設(shè)計(jì)選擇，亦協(xié)助提升客戶產(chǎn)品的競(jìng)爭(zhēng)力。”

 

　　據(jù)悉，世界先進(jìn)0.35微米650 V GaN-on-QST制程除了650 V的元件選擇外，也提供內(nèi)建靜電保護(hù)元件（ESD），客戶得以更便利的進(jìn)行設(shè)計(jì)選擇。此外，該制程除具備更優(yōu)異的可靠性與信賴性，針對(duì)更高電壓（超過1000 V）的擴(kuò)充性，世界先進(jìn)也已經(jīng)與部分客戶展開合作，以滿足客戶的產(chǎn)品需求。