為推動我國寬禁帶半導體領域的發(fā)展，促進產(chǎn)學研交流與協(xié)同創(chuàng)新，中國有色金屬學會寬禁帶半導體專業(yè)委員會、中國電子學會電子材料學分會共同主辦全國寬禁帶半導體學術會議，會議每兩年一屆，至今已成功舉辦了五屆，已發(fā)展成為我國寬禁帶半導體領域的行業(yè)盛會。
2025年8月10日-13日，第六屆“全國寬禁帶半導體學術會議”將于大連舉辦，會議由大連理工大學、東北師范大學和第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟聯(lián)合承辦。屆時，來自國內(nèi)寬禁帶半導體領域學術界、產(chǎn)業(yè)界的專家學者、科研技術人員、院校師生、企業(yè)家代表等，將圍繞寬禁帶半導體材料生長技術、材料結構與物性、光電子和電子器件研發(fā)以及相關設備研發(fā)等領域開展廣泛交流，促進產(chǎn)學研用的交流合作。這次會議必將對我國寬禁帶半導體材料與器件的學術研究、技術進步、產(chǎn)業(yè)發(fā)展起到有力的推動作用。
目前會議組織正有序進行中，據(jù)悉，會議邀請到美國國家工程院院士、香港科技大學講席教授劉紀美，中國科學院院士、武漢大學集成電路院教授劉勝，中國科學院半導體研究所研究員王軍喜，浙江大學教授皮孝東，北京大學教授王新強，山東大學教授陳秀芳，鄭州大學教授單崇新，華夏芯智慧光子科技(北京)有限公司首席戰(zhàn)略官兼首席科學家、路明科技集團董事長兼總工程師肖志國，中國科學院物理研究所博導李輝等重量級嘉賓帶來精彩的大會報告。
大會報告
Wide bandgap semiconductor for Display and Power Applications
美國國家工程院、香港科技大學 劉紀美 院士/講席教授
功率半導體材料與器件集成建模仿真
中國科學院、武漢大學集成電路院 劉勝 院士/教授
紫外LED技術研究與應用
中國科學院半導體研究所王軍喜 研究員
超厚碳化硅單晶錠和外延薄膜的生長
浙江大學皮孝東 教授
氮化物半導體的大失配異質(zhì)外延及其器件研制
北京大學王新強 教授
碳化硅單晶技術及產(chǎn)業(yè)化進展及展望
山東大學陳秀芳 教授
高功率寬禁帶半導體材料與器件研究
西安電子科技大學張進成 教授
金剛石懸臂梁光聲光譜儀及多組分氣體傳感
鄭州大學單崇新 教授
寬禁帶半導體材料生長與光電子芯片技術進展和應用研究
肖志國 首席戰(zhàn)略官兼首席科學家 董事長兼總工程師
華夏芯智慧光子科技(北京)有限公司、路明科技集團
寬禁帶半導體碳化硅的晶體生長和應用進展
中國科學院物理研究所李輝 博導
題目待定
大連理工大學梁紅偉 教授
部分分會報告（持續(xù)更新中）
缺陷工程克服III族氮化物LED中的不對稱載流子注入
中國科學院長春光學精密機械與物理研究所石芝銘 研究員
題目待定
中國電子科技集團公司第十三研究所房玉龍 高級工程師
SiC襯底氮極性GaN薄膜極性可控生長和異質(zhì)結制備研究
吉林大學電子科學與工程學院集成光電子全國重點實驗室 鄧高強 副教授
寬禁帶半導體范德華異質(zhì)結構及器件
西安電子科技大學寧靜 教授
SiC襯底位錯無損檢測技術助力晶圓良率預測與提升
中國科學院大連化學物理研究所金盛燁
GaN基功率器件柵介質(zhì)技術與可靠性研究
南京大學電子科學與工程學院陳敦軍 副院長、教授
金剛石輻射探測器級材料制備和器件性能研究
西安電子科技大學張金風 教授
氮化物寬禁帶半導體材料的深紫外光譜研究
北京大學唐寧
題目待定
電子科技大學魏杰
具有可調(diào)閾值電壓和低界面態(tài)密度的GaN HEMT研究進展
中國科學院寧波材料技術與工程研究所郭煒
題目待定
香港大學凌志聰 教授
題目待定
南京大學陸海 教授
宇航用GaN功率器件SEB機制及評估研究
中國科學院大學馬英起 教授
AlGaN基深紫外發(fā)光器件研究
北京大學王嘉銘
面向智能時代的GaN基人工突觸器件技術研究
中國科學院半導體研究所伊曉燕 研究員
室溫電注入激射的氮化鎵基光子晶體面發(fā)射激光器
中國科學院蘇州納米技術與納米仿生研究所馮美鑫 研究員
題目待定
中國科學院半導體研究所魏同波
AI賦能的AlGaN基深紫外LED特性參數(shù)反演方法研究
路慧敏 朱一帆 王敬雷 馮麗雅 魏學成 于彤軍
北京科技大學計算機與通信工程學院
中國科學院半導體研究所寬禁帶半導體研發(fā)中心
北京大學物理學院
GaN半導體自旋注入、輸運與器件應用
廈門大學物理科學與技術學院微納光電材料與器件教育部工程研究中心
氮化鎵基光電集成芯片
中國科學技術大學孫海定 教授
基于深能級瞬態(tài)譜方法的GaN基電子器件可靠性機理探究
中國科學院微電子研究所黃森 研究員
基于GaN/Si混并聯(lián)開關的Buck電路應用
成都信息工程大學，電子科技大學羅小蓉 副校長，教授
氮化鎵新型電子器件的研究與應用
日本德島大學、江南大學敖金平 教授
題目待定
株洲中車時代電氣股份有限公司劉國友 副總工程師
題目待定
廣東致能科技有限公司黎子蘭 總經(jīng)理
GaN功率集成技術的挑戰(zhàn)與展望
北京大學集成電路學院魏進 研究員
題目待定
中國科學院蘇州納米所孫錢 研究員
1500伏垂直型硅基氮化鎵功率MOSFET器件
山東大學劉超
題目待定
復旦大學桑立雯
SiC基IGBT器件與少子壽命研究
廈門大學張峰 教授
題目待定
西交利物浦大學劉雯 高級副教授
高質(zhì)量大尺寸氧化鎵單晶的生長及缺陷
浙江大學硅材料國家重點實驗室和浙江大學杭州國際科創(chuàng)中心先進半導體研究院張輝 雙聘教授
氧化鎵功率二極管的研究
廈門大學楊偉鋒 特聘教授
超寬禁帶半導體氧化鎵異質(zhì)異構界面工程協(xié)同設計
武漢大學張召富 教授
題目待定
中國電子科技集團公司第十三所馮志紅 研究員
超寬禁帶半導體氮化硼材料與器件
吉林大學超硬材料國家重點實驗室殷紅 教授
超寬禁帶半導體AlN單晶生長及其器件開發(fā)最新進展
奧趨光電CEO吳亮
附：會議信息
會議時間：2025年8月10日-13日
會議地點：中國·大連
主辦單位：
中國有色金屬學會寬禁帶半導體專業(yè)委員會
中國電子學會電子材料學分會
承辦單位：
大連理工大學
東北師范大學
第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟
協(xié)辦單位：
集成光電子全國重點實驗室
寬禁帶半導體超越照明材料與技術全國重點實驗室
國家第三代半導體技術創(chuàng)新中心（蘇州）
北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司
一、組織機構
名譽主席：甘子釗、王占國、鄭有炓
顧問委員會（按姓氏首字母排序）：褚君浩、杜國同、顧 瑛、關白玉、郝 躍、黃 如、賈明星、江風益、李愛珍、李晉閩、李樹深、劉紀美、劉 明、劉 勝、羅 毅、申德振、孫祥楨、王立軍、許寧生、楊德仁、葉志鎮(zhèn)、俞大鵬、張國義、張 榮、張 躍、鄭婉華
大會主席：劉益春
共同主席：沈 波、楊 輝、吳 玲
程序委員會
主 席: 徐 科
副主席：黎大兵、張源濤、朱嘉崎
委 員（按姓氏首字母排序）：敖金平、蔡樹軍、陳長清、陳敦軍、陳 弘、陳 敬、陳堂勝、陳萬軍、陳小龍、陳秀芳、程 凱、遲 楠、單崇新、丁琪超、董博宇、馮士維、馮志紅、顧書林、賀東江、黃伯寧、黃 豐、黃 凱、康俊勇、賴占平、李國強、梁 建、劉 斌、劉國友、劉建平、劉木清、劉 榕、劉斯揚、劉新宇、劉 揚、龍世兵、陸 海、羅小蓉、馬曉華、毛 維、歐 欣、潘 毅、裴 軼、彭俊彪、皮孝東、邱宇峰、盛 況、孫 錢、孫偉鋒、孫小衛(wèi)、孫曉娟、唐 寧、陶緒堂、萬成安、萬玉喜、汪 萊、王德君、王 鋼、王宏興、王建峰、王江波、王軍喜、王來利、王 立、王新強、吳毅鋒、肖國偉、徐海陽、徐士杰、徐現(xiàn)剛、許福軍、薛玉雄、閆建昌、楊富華、葉建東、伊曉燕、于洪宇、云 峰、張保平、張 波、張國旗、張進成、張金風、張 龍、張乃千、張清純、鄭雪峰、張玉明、趙德剛、趙麗霞、鄭晨焱
組織委員會
主 席: 梁紅偉
副主席：陳志濤、阮軍、張書明
委 員（按姓氏首字母排序）：蔡端俊、曹峻松、陳 鵬、陳義強、陳志忠、程紅娟、方 方、方文饒、房玉龍、和巍巍、黃少華、黃文海、耿 博、龔 政、郭 清、郭世平、郭 煒、郝茂盛、胡衛(wèi)國、化夢媛、黃火林、黃 森、何晨光、賀致遠、紀志坡、賈 銳、賈志泰、蔣 科、矯淑杰、江 灝、鞠光旭、孔月蟬、李炳生、李金釵、李述體、李忠輝、梁劍波、劉 超、劉軍林、劉可為、劉 雯、劉新科、劉玉懷、劉召軍、劉志強、劉宗亮、陸 敏、呂元杰、梅云輝、馬劍鋼、苗振林、母鳳文、牛萍娟、潘堯波、齊紅基、全知覺、任國強、賽青林、桑立雯、宋 波、孫海定、孫文紅、孫永強、田朋飛、王光緒、王嘉銘、王茂俊、王 琦、王榮華、王鑫華、王英民、魏同波、汪煉成、吳 亮、吳嘉偉、吳雅蘋、謝志國、徐明升、楊 霏、楊蘭芳、楊 樹、楊學林、殷 紅、于彤軍、張佰君、張 峰、張 輝、張紀才、張建立、張景文、張葦杭、張 嵩、張 雄、張宇昊、張 韻、張紫輝、趙璐冰、趙 維、周春華、周 弘、周 琦
大會秘書處
秘書長： 張振中 黃火林
副秘書長： 趙 紅 張克雄 張赫之
成 員： 賈欣龍、馬浩然、夏曉川、孫雨周、代建勛、柳陽、李鵬、王月飛、楊霖等
三、主要日程
四、大會主題
綠色能源與智能時代的寬禁帶半導體技術
五、會議征文方向：
1.材料生長(氮化物半導體、氧化物半導體、碳化硅、金剛石等)
2.材料物性和表征技術(光、電、磁、熱性質(zhì)、缺陷物理等)
3.光電子器件及其應用(LED、Micro-LED、LD、光電探測器等)
4.電子器件及其應用(射頻電子器件、功率電子器件、傳感器及集成電路等)
5.新型寬禁帶材料與器件(超寬禁帶半導體、二維寬禁帶半導體、有機寬禁帶半導體等)
6.輻射及高能粒子探測器件
征文要求：
1.符合上述內(nèi)容的論文摘要；
2.論文摘要主題突出、內(nèi)容層次分明、數(shù)據(jù)準確、論述嚴謹、結論明確、采用法定計量單位；
3.論文摘要須以WORD文檔格式，包含標題、作者及其單位地址、正文、圖表、參考文獻等在內(nèi)不超過一頁A4紙；
4.提交截止日前,以電子郵件方式（投稿郵箱: kxzhang@dlut.edu.cn、hez.zhang@dlut.edu.cn、zhangzhenzhong@nenu.edu.cn）提交至會議組委會秘書組；相關模板可登錄大會官網(wǎng)（http://www.wbsc.org.cn）或查詢附件；
5.所有論文摘要均編入會議文集。
六、會議注冊費
1.普通代表（A類票）：
2800元（含會議文集、日程等會議資料及會議期間相關服務）
2.學生代表（B類票）：
2300元（與普通代表會議待遇相同，但須提交相關證件）
掃碼注冊報名
掃碼注冊報名
七、注冊費繳費方式
1.通過銀行匯款
開戶行：中國工商銀行北京市分行百萬莊支行
賬 號：0200001409014413573
名 稱：中國有色金屬學會
注：銀行匯款請務必備注“寬禁帶會議+參會代表姓名”
2.線上繳費，登錄官網(wǎng)，
3.現(xiàn)場繳費（接受掃碼、刷卡）
八、會議信息及聯(lián)系人
1.會議官網(wǎng)：http://www.wbsc.org.cn
（會議詳細信息請掃碼關注大會官網(wǎng)）
2.論文征集聯(lián)系人
張克雄：15382208398；Email: kxzhang@dlut.edu.cn
張赫之：13478911634；Email: hez.zhang@dlut.edu.cn
張振中：18626668329；Email: zhangzhenzhong@nenu.edu.cn
3.合作咨詢
參會咨詢：
蘆老師：13601372457，E：lul@casmita.com
商務合作：
賈先生：18310277858，E：jiaxl@ casmita.com
張小姐：13681329411，E：zhangww@ casmita.com
參會代表財務咨詢：
龐老師：15010359809
熱烈歡迎相關領域的專家、學者、行業(yè)企事業(yè)單位參會交流！
4、酒店信息
會議酒店：大連香格里拉大酒店
位于人民路商業(yè)街，與中山廣場相鄰（大連市中山區(qū)人民路66號）。
房間價格：高級房：1000元/間夜（含單早），豪華房：1100元/間夜（含單早）
掃碼跳轉酒店官網(wǎng)預定鏈接：
住宿協(xié)議酒店:
·大連心悅大酒店（中山區(qū)人民路81號）
商務大床房：420元間/夜（含單早）
商務雙人房：420元間/夜（含雙早）
訂房聯(lián)系方式：宋經(jīng)理18640869188
距離會議酒店：477米
·大連新嘉信酒店（中山區(qū)五五路53號）
大床房：468元間/夜（含雙早）
雙床房：468元間/夜（含雙早）
訂房聯(lián)系方式：任經(jīng)理18940991977
距離會議酒店:約1公里
·桔子水晶酒店（大連中山廣場店）
高級大床房：500元間/夜（含單早）
訂房聯(lián)系方式：朱經(jīng)理18642677723
距離會議酒店:約1.1公里
·大連渤海明珠酒店（中山區(qū)勝利廣場8號）
標準大床房：440元間/夜（含雙早）
標準雙床房：440元間/夜（含雙早）
訂房聯(lián)系方式：張經(jīng)理15840631085
備注：10間以上價格為420元
距離會議酒店:約1.9公里
注：大連旅游城市正值旅游旺季，酒店實際價格有可能調(diào)整，以酒店公布為準。
5.交通信息
