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瑤芯微申請溝槽型MOSFET器件結(jié)構(gòu)及其制備方法專利，降低器件動態(tài)損耗

江蘇芯旺電子科技取得MOSFET器件用制造加工裝置專利，提高加工效率

報告前瞻|湖南三安半導體許志維：SiC MOSFET器件技術(shù)之發(fā)展與挑戰(zhàn)

揚杰電子申請?zhí)岣叻聪蚶m(xù)流的雙溝槽SiC MOSFET器件專利，改善溝槽MOSFET柵氧化層可靠性

積塔半導體“基于TDDB優(yōu)化的MOSFET器件及其制備方法”專利公布

捷捷微電取得降低開關(guān)損耗的分離柵MOSFET器件及其制造方法專利，降低了開關(guān)損耗

華羿微電“新型功率MOSFET器件及其制備方法”專利獲授權(quán)

華羿微電“一種低柵極電荷屏蔽柵MOSFET器件及其制作方法”專利獲授權(quán)

派恩杰“集成ESD的SiC功率MOSFET器件及制備方法”專利獲授權(quán)

芯聚能“碳化硅MOSFET器件及其制備方法”專利公布

芯聚能“碳化硅MOSFET器件及其制備方法”專利公布

CSPSD 2024成都前瞻 |東南大學魏家行：碳化硅功率MOSFET器件及其可靠性研究

芯導科技申請TrenchMOSFET器件的自對準的制備方法專利，進一步縮小了接觸孔沿溝道方向尺寸

北京大學申請?zhí)蓟杵矫鏂?span id="gxtlfty" class="highlight">MOSFET器件及其制備方法專利，能夠降低器件的溝道電阻

廈門大學張峰：新型溝槽SiC基MOSFET器件研究

國星光電SiC-MOSFET器件獲得車規(guī)級認證并通過HV-H3TRB加嚴可靠性考核

意法半導體將為汽車T1廠博格華納供應碳化硅MOSFET器件

中電科第五十五研究所黃潤華：SiC MOSFET器件技術(shù)現(xiàn)狀及產(chǎn)品開發(fā)進展

西安衛(wèi)光科技李樸：600V超結(jié)MOSFET器件研究

CASICON 2023前瞻中電科55所黃潤華：SiC MOSFET器件技術(shù)現(xiàn)狀及產(chǎn)品開發(fā)進展

銀河微電：功率MOSFET器件已實現(xiàn)Clip Bond技術(shù)的量產(chǎn)

新品 | 世紀金光推出第二代1200V SiC MOSFET器件

金剛石MOSFET器件最新成果！在(111)金剛石襯底上成功制備高性能C-Si MOSFET器件

MOSFET器件選型的3大法則

西安電子科技大學張藝蒙教授：SiC 功率MOSFET器件的可靠性研究

【CASICON 2021】東南大學教授劉斯揚：SiC功率MOSFET器件可靠性研究進展

CASICON 2021前瞻：SiC功率MOSFET器件可靠性研究進展

電子科技大學教授鄧小川將出席南京功率與射頻應用峰會分享極端應力下SiC MOSFET器件動態(tài)可靠性研究進展

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