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GaN Systems：車用GaN將在2024年爆發(fā)

賽微電子：公司一直在努力解決GaN業(yè)務的供應問題

吳越半導體獲戰(zhàn)略融資，曾發(fā)布厚度突破1厘米的GaN晶體

晶方科技：2000萬美元投資第三代半導體GaN器件設計公司VisIC

賽微電子：GaN（氮化鎵）制造產線正在建設中

GaN功率半導體的可靠性挑戰(zhàn)與應對之策

國星三代半再出新品，SiC模塊、GaN器件、SiC功率分立器件齊上新

納微半導體宣布在上海成立一個電動車GaN芯片設計中心

第三代半導體-氮化鎵(GaN)產業(yè)鏈基本形成

國星光電：公司第三代半導體新產品GaN-DFN器件可應用于新能源汽車充電、手機快充等

河北半導體研究所高楠：國產4英寸GaN襯底上MOCVD外延高質量AlGaN/GaN HEMT材料

西電張進成教授團隊最新成果：基于p-SnO帽層柵的高閾值增強型AlGaN/GaN HEMTs

無錫誕生全球最薄半導體GaN晶體，厚度突破1厘米！

中科院半導體研究所張連：亞毫米波段GaN基HEMT與選區(qū)外延技術研究

南京電子器件研究所張凱：大功率GaN微波毫米波二極管及其創(chuàng)新應用

中國工程物理研究院微系統(tǒng)與太赫茲研究中心曾建平：寬頻段高效率單片集成GaN基SBD倍頻電路研究

日本德島大學教授敖金平：轉換效率超過91%的基于GaN肖特基勢壘二極管的微波整流器

韓國Wavice Inc首席技術官Sangmin LEE：i-line步進器實現的具有各種柵極尺寸的GaN HEMT器件的性能和可靠性

北京大學物理學院楊學林：Si襯底上GaN基功率電子材料及器件研究

加拿大多倫多大學教授吳偉東：GaN功率晶體管和功率模塊的智能柵極驅動器

西交利物浦大學王惟生：使用E/D模式AlGaN/GaN的單片比較器用于高溫應用的MIS-HEMT

南方科技大學深港微電子學院汪青：GaN器件及其系統(tǒng)的最新研究進展

深圳大學微電子研究院劉新科：2寸獨立晶圓上1.7 kV垂直GaN-on-GaN肖特基勢壘二極管

電子科技大學李曦：GaN HEMT功率器件的熱瞬態(tài)測試方法與機理研究

西安電子科技大學寧靜：基于維度調控的GaN紫外LED及光電集成

中山大學江灝：利用界面效應的高Al組分AlGaN的高效p型摻雜及其深紫外光電探測應用

鄭州大學Mussaab I. Niass：藍寶石襯底上BGaN基深紫外邊發(fā)射激光二極管的仿真研究

挪威科學院院士Helge WEMAN：使用石墨烯作為透明導電襯底的AlGaN納米線UV LED

鄭州大學Muhammad Nawaz Sharif：銦摩爾分數對InGaN基近紫外發(fā)光二極管光學性能的影響

第三代半導體產業(yè)乘風破浪，誰將會傲立潮頭？

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