近日，由第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、國家半導體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）聯(lián)合主辦，北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司與半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)共同承辦的第七屆國際第三代半導體論壇暨第十八屆中國國際半導體照明論壇（IFWS & SSLCHINA 2021）在深圳會展中心舉行。
實現(xiàn)高Al組分AlGaN中Mg受主的高摻雜效率是發(fā)展AlGaN基深紫外光電器件的迫切需求。在報告中，江灝教授介紹了利用界面摻雜效應提高Mg摻雜效率的研究工作。研究的核心點是提出了可將摻雜界面劃分為下界面和上界面，其中下界面有利于Mg取代Al，上界面有利于Mg取代Ga。據(jù)此，可通過引入III族金屬源的脈沖流來促進界面效應。通過修飾摻雜面的下界面，在Mg摻雜的AlxGa1-xN（x~0.42）中獲得了8.3×1018cm3的高空穴濃度。由此產(chǎn)生的電阻率低至0.51Ωcm, 而摻雜效率（空穴濃度p/Mg摻雜濃度CMg）高達51.9%。在修飾上、下界面后，雙界面效應使得Mg摻雜雜質(zhì)的并入進一步得到增強，由此得到的在260 nm以上波長的透射率高于90%的AlxGa1−xN（x∼0.6).中最大空穴濃度為1.52×1018cm−3，電阻率達到創(chuàng)紀錄的6.94Ω·cm。
江灝教授介紹，在實現(xiàn)高效p型摻雜的基礎上，研制了具有高增益的全AlxGaN（x≥0.4）外延結構日盲紫外雪崩光電探測器。同時，也研制了具有雙浮光柵的日盲紫外異質(zhì)結場效應光電晶體管。該光電晶體管在5 V偏壓下的光/暗電流比超過108，光增益達7.5×104。其閃爍噪聲（Johnson和散粒噪聲）限制的比探測率高達2.84×1015（2.91×1017） Jones。
期間，“固態(tài)紫外材料與器件技術“論壇上，中山大學電子信息工程學院教授江灝做了題為“利用界面效應的高Al組分AlGaN的高效p型摻雜及其深紫外光電探測應用”的主題報告，分享了最新研究成果。
實現(xiàn)高Al組分AlGaN中Mg受主的高摻雜效率是發(fā)展AlGaN基深紫外光電器件的迫切需求。在報告中，江灝教授介紹了利用界面摻雜效應提高Mg摻雜效率的研究工作。研究的核心點是提出了可將摻雜界面劃分為下界面和上界面，其中下界面有利于Mg取代Al，上界面有利于Mg取代Ga。據(jù)此，可通過引入III族金屬源的脈沖流來促進界面效應。通過修飾摻雜面的下界面，在Mg摻雜的AlxGa1-xN（x~0.42）中獲得了8.3×1018cm3的高空穴濃度。由此產(chǎn)生的電阻率低至0.51Ωcm, 而摻雜效率（空穴濃度p/Mg摻雜濃度CMg）高達51.9%。在修飾上、下界面后，雙界面效應使得Mg摻雜雜質(zhì)的并入進一步得到增強，由此得到的在260 nm以上波長的透射率高于90%的AlxGa1−xN（x∼0.6).中最大空穴濃度為1.52×1018cm−3，電阻率達到創(chuàng)紀錄的6.94Ω·cm。
江灝教授介紹，在實現(xiàn)高效p型摻雜的基礎上，研制了具有高增益的全AlxGaN（x≥0.4）外延結構日盲紫外雪崩光電探測器。同時，也研制了具有雙浮光柵的日盲紫外異質(zhì)結場效應光電晶體管。該光電晶體管在5 V偏壓下的光/暗電流比超過108，光增益達7.5×104。其閃爍噪聲（Johnson和散粒噪聲）限制的比探測率高達2.84×1015（2.91×1017） Jones。
江灝，中山大學電子與信息工程學院教授，廣東省化合物半導體材料與器件研究與開發(fā)工程技術中心主任，主要從事III族氮化物半導體外延中缺陷抑制與電導調(diào)控，增益型InGaN基可見光、AlGaN基紫外光電探測技術，以及發(fā)光技術研究。
（內(nèi)容根據(jù)現(xiàn)場資料整理，如有出入敬請諒解）
