近日，以“創(chuàng)芯生態(tài) 碳索未來”為主題的第七屆國際第三代半導(dǎo)體論壇暨第十八屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（IFWS & SSLCHINA 2021）在深圳會展中心舉行。本屆論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、國家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）聯(lián)合主辦，北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司與半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)共同承辦。

期間，“氮化鎵功率器件”專場上，西交利物浦大學(xué)王惟生帶來了題為”使用E/D模式AlGaN/GaN的單片比較器用于高溫應(yīng)用的MIS-HEMT“的主題報告，GaN MIS-HEMTs、具有Vth調(diào)制的GaN比較器、高溫下的單片GaN比較器、單片GaN MIS-HEMT鋸齒波發(fā)生器、用于GaN智能電源IC的單片PWM電路、用于GaN智能電源IC的單片PWM電路、帶柵極的單片集成DC-DC轉(zhuǎn)換器驅(qū)動程序等角度分享了最新研究成果。報告指出，基于GaN MIS-HEMT集成平臺，基本集成電路模塊是在高溫條件下制造和驗證。

在 DCFL的基礎(chǔ)上，制作單片GaN比較器，當(dāng)差分對是D模式和E模式。D型負載對 Vth 調(diào)制的影響也是分析了。電路在高溫下輸出穩(wěn)定，性能更佳與 Vth 調(diào)制。GaN MIS-HEMT 比較器電路展示了 IC 的靈活性和適用性。它們具有柵極驅(qū)動器、控制和保護模塊應(yīng)用的潛力。

 

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