國家知識產(chǎn)權局信息顯示，華為技術有限公司申請一項名為“碳化硅襯底及其制備方法、半導體器件、電子設備”的專利，公開號 CN 119153493 A，申請日期為 2023 年 6 月。專利摘要顯示，本申請公開一種碳化硅襯底及其制備方法、半導體器件、電子設備。碳化硅襯底，包括：第一表面、與第一表面相對設置的第二表面。而本申請公開的碳化硅襯底，可以實現(xiàn)兩個測試點的應力之差小于或等于 35Mpa，使碳化硅襯底具有較小的應力差，以使得碳化硅襯底內(nèi)部的應力分布均勻。另外，本申請公開的碳化硅襯底還可以實現(xiàn)一個測試點的應力絕對值小于或等于 30Mpa，使得碳化硅襯底具有較小的應力?；诖?，將本申請公開的具有較小應力、且內(nèi)部應力分布均勻的碳化硅襯底應用在半導體器件中，可以使半導體器件具有較高的良率。