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超芯星入駐江北新區(qū)集成電路基地，全面開啟8英寸碳化硅單晶襯底量產(chǎn)

海外首發(fā)！天岳先進(jìn)300mmN型碳化硅襯底全新亮相

天科合達(dá)8英寸SiC襯底二期項目開工！

天岳先進(jìn)向客戶成功交付高質(zhì)量低阻P型碳化硅襯底

【IFWS2024】碳化硅襯底、外延生長及其相關(guān)設(shè)備技術(shù)分會日程公布

1萬伏！我國實現(xiàn)6英寸AlN單晶復(fù)合襯底和晶圓制造全流程突破

IFWS2024：氮化物襯底、外延生長及其相關(guān)設(shè)備技術(shù)分會日程出爐

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杭州鎵仁半導(dǎo)體申請氧化鎵單晶襯底拋光片劃片方法專利，減少切割道周邊晶片解理、崩裂和微裂紋等缺陷的產(chǎn)生

晶盛機(jī)電：產(chǎn)品優(yōu)勢體現(xiàn)在全產(chǎn)業(yè)鏈核心裝備供應(yīng)能力，半導(dǎo)體大硅片設(shè)備國際領(lǐng)先，公司高品質(zhì)碳化硅襯底核心參數(shù)指標(biāo)達(dá)到行業(yè)一流

中國6英寸碳化硅襯底價格暴跌，將低至每片400美元

博藍(lán)特碳化硅襯底項目已投產(chǎn)

科友半導(dǎo)體成功實現(xiàn)8英寸高品質(zhì)碳化硅襯底的批量制備

8英寸碳化硅襯底重慶三安項目已實現(xiàn)襯底廠點亮通線

鎵仁半導(dǎo)體成功研制氧化鎵超薄6英寸襯底

捷報！合盛8英寸導(dǎo)電型4H-SiC襯底項目全線貫通

中圖科技申請一種高深度微結(jié)構(gòu)圖形化半導(dǎo)體襯底及其制備方法專利

重慶三安8英寸碳化硅襯底廠月底投產(chǎn)

安力科技第三代半導(dǎo)體及大硅片襯底研磨液項目投產(chǎn)

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瀚天天成“一種降低碳化硅外延片生長缺陷的方法及碳化硅襯底”專利獲授權(quán)

碳化硅襯底龍頭天岳先進(jìn)披露中報：營收凈利大幅增長，持續(xù)領(lǐng)跑碳化硅行業(yè)

天科合達(dá)擴(kuò)產(chǎn)6/8英寸碳化硅襯底

三安光電：重慶三安項目預(yù)計8月底將實現(xiàn)襯底廠點亮通線

三安意法8英寸碳化硅襯底廠即將點亮通線，11月底將整體通線

新突破︱鎵仁半導(dǎo)體晶圓級(010)氧化鎵單晶襯底直徑突破3英寸

青禾晶元獲超3億元融資，新建40萬片8英寸SiC鍵合襯底產(chǎn)線

天岳先進(jìn)擬定增募資不超3億元，用于8英寸車規(guī)級碳化硅襯底制備技術(shù)提升項目

基爾彼半導(dǎo)體晶圓襯底制造項目簽約南通

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