9月11日晚，杭州鎵仁半導體有限公司（下文簡稱“鎵仁半導體”）宣布，公司今年8月在氧化鎵襯底加工技術上取得突破性進展，成功研制超薄6英寸襯底，襯底厚度小于200微米。
鎵仁半導體指出，氧化鎵（β-Ga2O3）具有禁帶寬度大、擊穿場強高、Baliga品質因數(shù)大等優(yōu)勢，在高壓、大功率、高效率、小體積電子器件方面具有巨大的應用潛力，能夠極大地降低器件工作時的電能損耗，有望成為未來半導體電力電子領域的主力軍。但是，氧化鎵熱導率較低，會加重器件的自熱效應，大量熱量積累在器件內部，會導致器件性能退化，使其在高功率領域的應用受到極大的限制。減薄襯底厚度，能夠使器件產生的熱量通過襯底散出，增強器件的散熱能力，提高器件性能。超薄6英寸襯底為高性能器件的制備提供了一種新選擇，滿足功率器件領域的科研與生產需求，促進業(yè)內產學研協(xié)同合作。
融資方面，鎵仁半導體截至目前已獲2輪融資，其中最高金額近億人民幣。
