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CASICON西安站前瞻|西安電子科技大學(xué)孫汝軍：氧化鎵的電子態(tài)
缺陷
研究
評(píng)論 ?
2023-07-13 15:20
華工科技2022年?duì)I收凈利雙增 SiC襯底外觀
缺陷
檢測(cè)設(shè)備實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)替代應(yīng)用
評(píng)論 ?
2023-03-01 11:15
中國(guó)科大在低維光伏材料點(diǎn)
缺陷
性質(zhì)研究中取得新進(jìn)展
評(píng)論 ?
2022-12-30 09:13
重大突破！科友半導(dǎo)體碳化硅躋身8吋行列，晶體無(wú)
缺陷
最大直徑超過(guò)204毫米
評(píng)論 ?
2022-12-30 08:27
SiC工藝之質(zhì)子注入
缺陷
抑制技術(shù)解決碳化硅層錯(cuò)難題
評(píng)論 ?
2022-12-12 15:24
晶圓切割常見(jiàn)
缺陷
問(wèn)題分析
評(píng)論 ?
2022-11-17 14:42
半導(dǎo)體材料的點(diǎn)空位
缺陷
工程用于環(huán)境修復(fù)以及可持續(xù)能源生產(chǎn)
評(píng)論 ?
2022-05-10 11:30
北大朱瑞團(tuán)隊(duì)與于海峰團(tuán)隊(duì)合作ACS Energy Letters：鈣鈦礦半導(dǎo)體的多種
缺陷
管理實(shí)現(xiàn)高效穩(wěn)定光伏器件
北大朱瑞
于海峰
ACS
Energy
Letters
鈣鈦礦半導(dǎo)體
多種缺陷管理
光伏器件
評(píng)論 ?
2021-08-17 09:46
英諾激光：目前公司產(chǎn)品在芯片制造領(lǐng)域的應(yīng)用為晶圓加工
缺陷
檢測(cè)、碳化硅退火等制造工序
英諾激光
芯片制造
晶圓加工
缺陷檢測(cè)
碳化硅
退火等
制造工序
評(píng)論 ?
2021-07-26 10:54
《自然》子刊：分子橋解決半導(dǎo)體
缺陷
，提高導(dǎo)電性及整體性能
評(píng)論 ?
2021-03-01 15:24
澳大利亞格里菲斯大學(xué)Jisheng HAN：4H-SiC MOS器件中活性
缺陷
的量化表征
評(píng)論 ?
2020-12-23 15:25
天津工業(yè)大學(xué)于莉媛：GaN基器件電子輻照誘生
缺陷
表征和性能分析
評(píng)論 ?
2020-12-03 18:02
臺(tái)積電稱(chēng)EUV技術(shù)讓5納米芯片不良率反低于7納米
納米
密度
缺陷
不良
工藝
制造工藝
評(píng)論 ?
2020-08-27 02:28
仍存“
缺陷
”！英特爾7nm芯片生產(chǎn)時(shí)間推遲半年上市
英特爾
納米
芯片
制程
工藝
延遲
評(píng)論 ?
2020-07-24 06:32
KLA推出全新突破性的電子束
缺陷
檢測(cè)系統(tǒng)
電子束
缺陷
系統(tǒng)
檢測(cè)
器件
技術(shù)
評(píng)論 ?
2020-07-21 05:52
ASML首款用于5nm制程的多光束檢測(cè)工具問(wèn)世
光束
工具
吞吐量
缺陷
計(jì)量學(xué)
檢測(cè)
評(píng)論 ?
2020-06-02 01:26
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