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陜西電子芯業(yè)時代8英寸高性能特色工藝半導(dǎo)體生產(chǎn)線計(jì)劃9月份通線試生產(chǎn)

京東方玻璃基先進(jìn)封裝項(xiàng)目工藝設(shè)備正式搬入

總投資50億元芯慧聯(lián)集成電路工藝設(shè)備研發(fā)制造基地項(xiàng)目奠基

沙特KAUST李曉航團(tuán)隊(duì)：STO新型制備工藝實(shí)現(xiàn)2.3微米超小尺寸深紫外Micro-LED

北方華創(chuàng)“半導(dǎo)體設(shè)備的工藝腔室”專利公布

CSPSD 2025前瞻|愛發(fā)科王鶴鳴：面向功率器件制造的先進(jìn)離子注入解決方案的集成工藝與創(chuàng)新

連科半導(dǎo)體8吋/12吋SiC電阻爐及工藝成套技術(shù)取得突破

三星啟動1nm工藝研發(fā) 2029年后量產(chǎn)

日本Rapidus擬7月完成2納米制程工藝半導(dǎo)體試產(chǎn)

中微公司發(fā)布首款晶圓邊緣刻蝕設(shè)備Primo Halona?，刻蝕關(guān)鍵工藝全覆蓋再進(jìn)一步

芯聯(lián)集成：公司SiC MOSFET系列工藝平臺方面實(shí)現(xiàn)了650V到2000V系列的全面布局

芯粵能半導(dǎo)體成功開發(fā)第一代碳化硅溝槽MOSFET工藝平臺

新微半導(dǎo)體宣布推出650V E-mode氮化鎵功率工藝代工平臺

賽微電子：公司已開展深圳產(chǎn)線建設(shè)，氮化鎵芯片仍處于工藝開發(fā)階段

晶合集成與思特威簽署深化戰(zhàn)略合作協(xié)議，聚焦攻克CIS Stacked工藝瓶頸

北方華創(chuàng)申請工藝腔室及半導(dǎo)體工藝設(shè)備專利，雙重密封提高射頻線圈處的密封性

日月光半導(dǎo)體取得一種封裝結(jié)構(gòu)專利，簡化了制造工藝

北方華創(chuàng)“上電極裝置及半導(dǎo)體工藝設(shè)備”專利公布

鈞聯(lián)電子安徽省首條先進(jìn)工藝SiC車規(guī)功率模塊產(chǎn)線下線！

三星2nm工藝SF2試產(chǎn)良率超預(yù)期，Exynos 2600量產(chǎn)計(jì)劃穩(wěn)步推進(jìn)

上海積塔半導(dǎo)體取得晶圓承載裝置及應(yīng)用其的半導(dǎo)體工藝設(shè)備專利，避免晶圓拿取時破碎

北方華創(chuàng)“一種腔室清潔方法及半導(dǎo)體工藝設(shè)備”專利公布

四方達(dá)：年產(chǎn)70萬克拉功能性金剛石產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目將全部使用自主研發(fā)的MPCVD設(shè)備及CVD金剛石工藝

粵芯半導(dǎo)體新建12英寸集成電路模擬特色工藝生產(chǎn)線項(xiàng)目（三期）通線

上海積塔半導(dǎo)體申請檢測晶圓位置的專利，能夠確保后續(xù)晶圓環(huán)切等工藝順利進(jìn)行

投資20億！路芯半導(dǎo)體掩膜版生產(chǎn)項(xiàng)目首批工藝設(shè)備機(jī)臺入廠

路芯半導(dǎo)體掩膜版生產(chǎn)項(xiàng)目首批工藝設(shè)備機(jī)臺成功搬入

魏少軍關(guān)于芯片設(shè)計(jì)業(yè)的幾點(diǎn)思考：應(yīng)大力發(fā)展不依賴先進(jìn)工藝的芯片設(shè)計(jì)技術(shù)

中國科學(xué)院研制出新型鋯鈦酸鉛光子集成工藝開發(fā)套件

昕感科技申請一種終端復(fù)合結(jié)構(gòu)及高壓 SIC 器件專利，提升終端效率并提高工藝容錯率

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