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盛合晶微半導體（江陰）申請 3D 垂直互連封裝結構及其制備方法專利，實現(xiàn)高密度封裝

中圖科技申請一種高深度微結構圖形化半導體襯底及其制備方法專利

蘇州晶湛半導體取得半導體結構及其形成方法專利，提高半導體外延層的性能

利普思半導體“一種功率模塊結構”專利公布

豪緯集團申請一種基于微納陣列結構 GaN 基光電子芯片的制備方法專利，有效提高微納結構中有源層的發(fā)光效率

揚州晶圓級芯粒先進封裝基地項目主體結構封頂

華羿微電申請高性能 MOSFET 功率器件外延設計結構專利，降低功率器件制造成本

芯聯(lián)集成“溝槽型功率器件結構及其制造方法”專利公布

年產18億片！晶引電子項目一期完成主體結構驗收

總投資1.5億元，諾天科技碳化硅半導體設備與基材生產基地項目主體結構封頂

北京大學申請金剛石基氮化物半導體異質結構制備方法專利，能夠得到高質量且低熱阻的金剛石基氮化物半導體異質結構

長光華芯申請高功率半導體激光芯片性能評估及結構優(yōu)化方法專利，有效提高評估結果準確度

光來精密電子項目月底前主體結構就可實現(xiàn)全部封頂

“芯廬州”集成電路產業(yè)園一期項目主體結構封頂

拓荊科技半導體先進工藝裝備研發(fā)與產業(yè)化項目結構封頂

CSPSD 2024成都前瞻|電子科技大學魏杰：高速低損耗SOI LIGBT新結構與機理研究

CSPSD 2024成都前瞻|成都信息工程大學羅小蓉：《氮化鎵功率器件結構、驅動和電源應用

北京大學取得AlGaN基深紫外發(fā)光二極管器件結構及其制備方法專利，顯著提升器件的光輸出功率

捷捷微電子“一種帶有超結結構的屏蔽柵IGBT”專利公布

宏微科技取得電動汽車用IGBT或MOSFET版圖結構專利，IGBT或MOSFET的芯片尺寸可大大減小

長鑫存儲“半導體結構及其形成方法、存儲器”專利公布

比亞迪半導體申請終端結構及其制造方法以及功率器件專利，能夠提高耐壓值

北京大學申請大尺寸高熱導率III族氮化物外延材料的制備方法專利，提高整個異質集成結構的熱導率

晶合集成申請半導體結構及其制備方法專利

中芯國際“電容器結構及其形成方法”專利公布

華海清科集成電路高端裝備研發(fā)及產業(yè)化項目主體結構順利封頂

長電科技申請光電芯片互聯(lián)封裝結構及其制備方法專利

華南師范大學王幸福：GaN微納結構及其光電子器件研究

光谷筑芯科技產業(yè)園主體結構提前封頂

比亞迪半導體申請半導體器件終端結構、制備方法及半導體器件專利

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