天眼查顯示，江蘇捷捷微電子股份有限公司“一種帶有超結結構的屏蔽柵IGBT”專利公布，申請公布日為2024年3月26日，申請公布號為CN117766576A。本發(fā)明涉及半導體功率器件領域，具體說是一種帶有超結結構的屏蔽柵IGBT。它包括第一導電類型的半導體襯底，半導體襯底的正面設置有若干個元胞，所述元胞中至少有一個深溝槽，深溝槽內有屏蔽柵結構，深溝槽的兩側有離子注入區(qū)及接觸孔。其特點是，所述深溝槽下方有超結結構電荷平衡區(qū)，超結結構電荷平衡區(qū)含有兩層及兩層以上第一導電類型的結構和第二導電類型的結構，相連兩層結構的導電類型不同，且最內層為第二導電類型的結構，其包圍在深溝槽外側。相連兩層結構間，外側的結構包圍在內側的結構外側，且外側的結構頂部不超過內側的結構頂部。該IGBT的可靠性高，開關損耗低。