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盛合晶微半導體(江陰)申請 3D 垂直互連封裝結(jié)構(gòu)及其制備方法專利,實現(xiàn)高密度封裝

日期:2024-09-04 閱讀:278
核心提示:天眼查知識產(chǎn)權(quán)信息顯示,盛合晶微半導體(江陰)有限公司申請一項名為3D 垂直互連封裝結(jié)構(gòu)及其制備方法,公開號 CN202410659699

天眼查知識產(chǎn)權(quán)信息顯示,盛合晶微半導體(江陰)有限公司申請一項名為“3D 垂直互連封裝結(jié)構(gòu)及其制備方法“,公開號 CN202410659699.6,申請日期為 2024 年 5 月。

專利摘要顯示,本發(fā)明提供一種 3D 垂直互連封裝結(jié)構(gòu)及其制備方法,通過層壓法將介電層及金屬層依次平行疊置并在切割后制備具有間隔且平行設置金屬層的 3D 互連結(jié)構(gòu),并在鍵合時將 3D 互連結(jié)構(gòu)垂直設置以構(gòu)成 3D 垂直互連結(jié)構(gòu),從而可通過控制 3D 互連結(jié)構(gòu)中的介電層的厚度控制 3D 垂直互連結(jié)構(gòu)中金屬層間的間距,通過控制 3D 互連結(jié)構(gòu)中的金屬層的長度以控制 3D 垂直互連結(jié)構(gòu)中金屬層的高度,且通過控制 3D 互連結(jié)構(gòu)中的金屬層的厚度以控制 3D 垂直互連結(jié)構(gòu)中金屬層的接觸點的大??;本發(fā)明可實現(xiàn)高密度封裝,且制程工藝靈活,適用范圍廣,可避免金屬偏移確保產(chǎn)品質(zhì)量。

 

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