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森國科申請(qǐng) MOSFET 結(jié)構(gòu)相關(guān)專利，降低飽和電流

上海積塔半導(dǎo)體申請(qǐng)?zhí)蓟杈w管結(jié)構(gòu)及其制備方法專利，有效降低器件VFSD

優(yōu)煒芯紫外LED產(chǎn)業(yè)基地項(xiàng)目一期主體結(jié)構(gòu)封頂

芯聯(lián)集成“一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法”專利公布

順義第三代等先進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化廠房項(xiàng)目（二期）主體結(jié)構(gòu)順利封頂

芯谷第三代半導(dǎo)體設(shè)備項(xiàng)目主體結(jié)構(gòu)正式封頂

昕感科技申請(qǐng)一種終端復(fù)合結(jié)構(gòu)及高壓 SIC 器件專利，提升終端效率并提高工藝容錯(cuò)率

芯導(dǎo)電子“一種靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)及制備方法、半導(dǎo)體器件及制備方法”專利公布

聯(lián)華電子申請(qǐng)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)以及其形成方法專利，具有特定的結(jié)構(gòu)和元件排列

安徽長飛先進(jìn)半導(dǎo)體申請(qǐng)半導(dǎo)體器件相關(guān)專利，使半導(dǎo)體器件獲得更好的散熱結(jié)構(gòu)以及更低的電阻率

飛锃半導(dǎo)體申請(qǐng)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法專利，提高器件性能和可靠性

總投資30億黃埔這一半導(dǎo)體項(xiàng)目主體結(jié)構(gòu)將迎來全面封頂

長鑫存儲(chǔ)申請(qǐng)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及制備方法專利，提高集成電路的存儲(chǔ)密度

揚(yáng)杰電子申請(qǐng)新型多級(jí)溝道SiC MOSFET元胞結(jié)構(gòu)與制造方法專利，方法制作工藝簡單

榮耀“封裝芯片結(jié)構(gòu)及其加工方法、和電子設(shè)備”專利獲授權(quán)

蘇州敏芯微電子申請(qǐng)力傳感器的封裝結(jié)構(gòu)及其制造方法專利，解決現(xiàn)有力傳感器力傳遞靈敏度低的問題

廣東氣派科技申請(qǐng) MOSFET 的封裝結(jié)構(gòu)專利，采用封裝結(jié)構(gòu)得到的 MOSFET 散熱性能佳

長電科技“腔體式封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法”專利獲授權(quán)

長電科技“腔體式封裝結(jié)構(gòu)及封裝方法”專利獲授權(quán)

復(fù)旦微電子學(xué)院季力教授團(tuán)隊(duì)在金屬-絕緣體-半導(dǎo)體(MIS)結(jié)構(gòu)的光催化水裂解電極方向取得成果

格蘭菲申請(qǐng)功率半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)及其制備方法專利，有利于終端區(qū)面積縮小

臻驅(qū)半導(dǎo)體施工總承包項(xiàng)目廠房主體結(jié)構(gòu)順利封頂

提前4個(gè)月！“芯廬州”集成電路產(chǎn)業(yè)園（一期）項(xiàng)目主體結(jié)構(gòu)全面封頂

上海壁仞科技取得封裝結(jié)構(gòu)專利，提高散熱性能

晶合集成申請(qǐng)一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法及動(dòng)態(tài)調(diào)整系統(tǒng)專利，提高半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的良率

威邁芯材年產(chǎn)100噸半導(dǎo)體高端光刻材料項(xiàng)目主體結(jié)構(gòu)全面封頂

芯導(dǎo)科技申請(qǐng)一種 T 型溝槽柵碳化硅 MOSFET 器件結(jié)構(gòu)及其制備方法專利，提高了柵極可靠性

上海積塔半導(dǎo)體申請(qǐng)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)相關(guān)專利，避免因相鄰膜層刻蝕選擇比過大形成底切結(jié)構(gòu)

三責(zé)新材二期半導(dǎo)體設(shè)備用高精度結(jié)構(gòu)陶瓷產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目廠房封頂

士蘭微“功率封裝結(jié)構(gòu)及其引線框”專利獲授權(quán)

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