天眼查知識產(chǎn)權(quán)信息顯示，合肥晶合集成電路股份有限公司申請一項名為“一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法及動態(tài)調(diào)整系統(tǒng)“，公開號 CN202411154851.1，申請日期為 2024 年 8 月。

專利摘要顯示，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法及動態(tài)調(diào)整系統(tǒng)，屬于半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域。制作方法包括：提供一襯底，其上依次形成墊氧化層和墊氮化層；在襯底內(nèi)形成淺溝槽并沉積絕緣介質(zhì)；平坦化絕緣介質(zhì)至與墊氮化層齊平；測量絕緣介質(zhì)的厚度，與目標(biāo)值進行比對；絕緣介質(zhì)的厚度大于目標(biāo)值，調(diào)節(jié)絕緣介質(zhì)的起始厚度，至絕緣介質(zhì)的厚度等于目標(biāo)值；若絕緣介質(zhì)的厚度小于目標(biāo)值，建立絕緣介質(zhì)的厚度與干法刻蝕起始程序的對應(yīng)關(guān)系；去墊氮化層；在進行多次去膠工序中，對比去膠工序的次數(shù)與干法刻蝕起始程序，去膠工序的次數(shù)與干法刻蝕起始程序相等時，開始進行干法刻蝕。