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聯(lián)華電子申請半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)以及其形成方法專利,具有特定的結(jié)構(gòu)和元件排列

日期:2024-11-06 閱讀:251
核心提示:國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示,聯(lián)華電子股份有限公司申請一項名為半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)以及其形成方法的專利,公開號CN 118900619 A,申請日期為

國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示,聯(lián)華電子股份有限公司申請一項名為“半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)以及其形成方法”的專利,公開號CN 118900619 A,申請日期為2023年5月。

專利摘要顯示,本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)以及其形成方法,其中該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包含多個MTJ(Magnetic tunnel junctions,磁性隧穿結(jié)) 元件,從一俯視圖來看,多個MTJ元件排列成一陣列,至少一第二接觸結(jié)構(gòu),位于MTJ元件所排成的陣列之中,至少一第一掩模層,覆蓋于各MTJ元件的一頂面與兩側(cè)壁,其中從一剖面圖來看,第一掩模層的一斷面?zhèn)缺谂c第二接觸結(jié)構(gòu)下方的一第二金屬層的一側(cè)壁切齊。

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