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北京大學(xué)團(tuán)隊成功研制無閾值電壓負(fù)漂650V/10A增強(qiáng)型GaN器件

CSPSD 2025前瞻|北京大學(xué)魏進(jìn)：GaN功率器件動態(tài)電阻與動態(tài)閾值電壓

Wolfspeed功率模塊如何為三相工業(yè)低電壓電機(jī)驅(qū)動帶來變革

萬國半導(dǎo)體申請用于功率 MOSFET 的凹陷型多晶硅 ESD 二極管專利，保護(hù)功率晶體管免受高電壓 ESD 事件影響

日本國立材料研究所廖梅勇團(tuán)隊實現(xiàn)金剛石DUV探測器低電壓高增益新突破！

英飛凌推出CoolSiC?肖特基二極管2000V，直流母線電壓最高可達(dá)1500 VDC，效率更高，設(shè)計更簡單

SiC MOSFET 閾值電壓等9項技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)形成委員會草案

標(biāo)準(zhǔn)| SiC MOSFET 閾值電壓等9項技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)形成征求意見稿

SiC MOSFET 閾值電壓等9項技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)形成征求意見稿

《用于零電壓軟開通電路的GaN HEMT動態(tài)導(dǎo)通電阻測試方法》等兩項團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)形成征求意見稿

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小米發(fā)布 800V 碳化硅高壓平臺：最高電壓 871V，電池續(xù)航可超 1000km

比亞迪趙長江：車企自稱 800V 難免誤導(dǎo)消費者，叫“高電壓平臺”更合理

三安半導(dǎo)體推出650V-1700V寬電壓范圍的SiC MOSFET，發(fā)布8英寸碳化硅襯底！

CASA標(biāo)準(zhǔn)SiC MOSFET閾值電壓測試方法征求意見

“一種低操作電壓高一致性憶阻器及其制備方法”發(fā)明專利發(fā)布

半導(dǎo)體所成功研制一款極低電壓低抖動低功耗頻率綜合器芯片

SiC MOSFET的Vgs門極電壓的選取及其影響

北航學(xué)者發(fā)布成果，可精確測量寬禁帶電力電子器件的高頻暫態(tài)電壓

干貨 | 信號完整性

一款I(lǐng)C 適用于多種 DC-DC 拓?fù)洌弘p輸出降壓型 IC 也可用于 SEPIC 和升壓應(yīng)用

Dialog推出最新大電流DC-DC降壓轉(zhuǎn)換器系列，擴(kuò)充汽車級PMIC產(chǎn)品組合

Crucial英睿達(dá)：不同DRAM可否混搭？

【泰克電源設(shè)計與測試】致工程師系列之五：優(yōu)化寬禁帶材料器件的半橋和門驅(qū)動器設(shè)計

東芝的新型光電繼電器通過降低安裝密度助力設(shè)備小型化

行深無人物流車采用高效電源模塊助推物流行業(yè)發(fā)展

干貨 | 通過5 V至24 V輸入提供雙極性、雙向DC-DC流入和流出電流

格芯贏得AI芯片業(yè)務(wù)

非常見問題：RMS功率與平均功率

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