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廣州南砂晶圓半導(dǎo)體技術(shù)取得交流電阻加熱器及SiC單晶生長(zhǎng)裝置專利，提高晶體生長(zhǎng)速度且有助于4H?SiC晶型穩(wěn)定

【IFWS2024】碳化硅襯底、外延生長(zhǎng)及其相關(guān)設(shè)備技術(shù)分會(huì)日程公布

長(zhǎng)光華芯“半導(dǎo)體材料生長(zhǎng)速率的測(cè)試方法”專利獲授權(quán)

IFWS2024：氮化物襯底、外延生長(zhǎng)及其相關(guān)設(shè)備技術(shù)分會(huì)日程出爐

鎵仁半導(dǎo)體：鑄造法成功生長(zhǎng)超厚6英寸氧化鎵單晶！

標(biāo)準(zhǔn) | 碳化硅單晶生長(zhǎng)用等靜壓石墨等2項(xiàng)技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)形成委員會(huì)草案

江蘇集芯申請(qǐng)大尺寸碳化硅晶體生長(zhǎng)坩堝及生長(zhǎng)裝置專利，保證晶體中心位置和外側(cè)邊緣的生長(zhǎng)速率相一致

長(zhǎng)宇科技取得一項(xiàng)外延生長(zhǎng)基盤(pán)用高均質(zhì)性特種石墨材料的制備方法專利，能夠保持產(chǎn)品制備的穩(wěn)定性

富加鎵業(yè)年產(chǎn)10000片6英寸氧化鎵單晶及外延片生長(zhǎng)線開(kāi)工

河北同光半導(dǎo)體取得SiC專利，實(shí)現(xiàn)將源于生長(zhǎng)區(qū)石墨件腐蝕引起的包裹物分布控制在晶體邊緣

瀚天天成“一種降低碳化硅外延片生長(zhǎng)缺陷的方法及碳化硅襯底”專利獲授權(quán)

晶盛機(jī)電：12英寸硅減壓外延生長(zhǎng)設(shè)備順利實(shí)現(xiàn)銷售出貨，ALD設(shè)備處于驗(yàn)證階段

北方華創(chuàng)“碳化硅晶體生長(zhǎng)裝置”專利公布

北京理工大學(xué)團(tuán)隊(duì)在雜化范德華外延生長(zhǎng)研究方向取得重要突破

標(biāo)準(zhǔn) | 賽邁科牽頭2項(xiàng)SiC單晶生長(zhǎng)用等靜壓石墨標(biāo)準(zhǔn)征求意見(jiàn)

標(biāo)準(zhǔn) | 賽邁科牽頭2項(xiàng)SiC單晶生長(zhǎng)用等靜壓石墨標(biāo)準(zhǔn)征求意見(jiàn)

CASICON晶體大會(huì)前瞻|北京化工大學(xué)張紀(jì)才:（11-22）AlN材料的HVPE生長(zhǎng)及其二極管制備研究

CASICON晶體大會(huì)前瞻|西安交通大學(xué)王若錚：MPCVD法生長(zhǎng)英寸級(jí)單晶金剛石的相關(guān)機(jī)理探討

晶盛機(jī)電：在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域，先后成功研發(fā)8英寸及12英寸常壓硅外延生長(zhǎng)設(shè)備并實(shí)現(xiàn)銷售

科學(xué)家提出傾斜臺(tái)階面外延生長(zhǎng)菱方氮化硼單晶方法

厚度達(dá)100 mm! 碳化硅單晶生長(zhǎng)取得新進(jìn)展

廈門大學(xué)康俊勇教授團(tuán)隊(duì)：人工智能無(wú)損表征技術(shù)，助力SiC晶體生長(zhǎng)

CASA立項(xiàng)《碳化硅單晶生長(zhǎng)用等靜壓石墨》標(biāo)準(zhǔn)

實(shí)驗(yàn)室成功生長(zhǎng)出8英寸碳化硅單晶、2024年度科研資金超百億元

天岳先進(jìn)：持續(xù)進(jìn)行碳化硅單晶基礎(chǔ)研究以提高晶體生長(zhǎng)效率和質(zhì)量

昆明理工大學(xué)在溶液法生長(zhǎng)高純3C-SiC晶體研究方面取得進(jìn)展

電子科技大學(xué)氮化物寬禁帶半導(dǎo)體晶體生長(zhǎng)系統(tǒng)配件與制備耗材采購(gòu)項(xiàng)目競(jìng)爭(zhēng)性磋商采購(gòu)公告

中科院物理所陳小龍團(tuán)隊(duì)：晶圓級(jí)立方碳化硅單晶生長(zhǎng)取得突破

4H-SiC 中基面位錯(cuò)滑移帶表征和外延傳播

北京大學(xué)教授于彤軍：大尺寸AlN單晶生長(zhǎng)研究

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