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國產(chǎn)首顆機器人關(guān)節(jié)“氮化鎵驅(qū)動器芯片”正式商用

中科院蘇州納米所孫錢團隊與合作者在氮化鎵紫外探測領(lǐng)域取得新進展

CSPSD2025 | 近30位專家學者齊聚探討氮化鎵及超寬禁帶功率器件新未來！

氮化鎵明星企業(yè)陷破產(chǎn)危機：聚力成半導體從50億項目到清算邊緣

CSPSD 2025前瞻|英諾賽科孟無忌：GaN“上車”之路——氮化鎵在電動汽車中應(yīng)用方案與優(yōu)勢

CSPSD 2025前瞻|?氮矽科技羅鵬：集成驅(qū)動氮化鎵芯片的必要性與發(fā)展趨勢

江南大學成果推介:氮化鎵微波功率器件

CSPSD 2025前瞻|南京大學周峰：氮化鎵功率器件輻射效應(yīng)與加固技術(shù)研究

CSPSD 2025前瞻|新微半導體王慶宇：氮化鎵賦能未來，突破功率極限，開啟能效革命

意見征集 | 北大光電院牽頭的異質(zhì)外延氮化鎵外延層厚度測試方法標準形成征求意見稿

高純硅粉制備氮化硅陶瓷

Polar與瑞薩電子達成硅基氮化鎵技術(shù)授權(quán)協(xié)議

YS/T 1654-2023《氮化鎵化學分析方法痕量雜質(zhì)元素含量的測定輝光放電質(zhì)譜法》標準解讀

英諾賽科發(fā)布自主開發(fā)的1200V氮化鎵產(chǎn)品

比利時氮化鎵廠商BelGaN擬被2.5億歐元收購，計劃生產(chǎn)光芯片

江西譽鴻錦取得亞垂直結(jié)構(gòu)氮化鎵肖特基勢壘二極管及其制造方法專利

意法半導體與英諾賽科簽署氮化鎵技術(shù)開發(fā)與制造協(xié)議

鎵特半導體取得一種HVPE大尺寸氮化鎵晶圓鎵舟反應(yīng)器專利，能夠提升氮化鎵晶圓片生長尺寸

全球首創(chuàng)！九峰山實驗室在氮極性氮化鎵材料制備領(lǐng)域取得新突破

重磅發(fā)布｜九峰山實驗室GaN系列成果首次發(fā)布！

山東晶鎵申請一種紫外光催化輔助的氮化鎵晶圓拋光方法專利，提高了氮化鎵晶圓的拋光效率

國星光電：子公司風華芯電氮化鎵器件實現(xiàn)量產(chǎn)并開始接單

安徽格恩半導體申請氮化鎵基化合物半導體激光器專利，提升遠場圖像FFP質(zhì)量、光束質(zhì)量因子和激光相干性

西安交大科研人員制備出全球首款六方氮化硼同質(zhì)結(jié)深紫外LED芯片

中企競標收購比利時氮化鎵廠商BelGaN

新微半導體宣布推出650V E-mode氮化鎵功率工藝代工平臺

廣東芯賽威取得電源管理芯片及電路專利，可提高氮化鎵器件在電源應(yīng)用中的可靠性

賽微電子：公司已開展深圳產(chǎn)線建設(shè)，氮化鎵芯片仍處于工藝開發(fā)階段

CASICON重慶站：全面聚焦氮化鎵、氧化鎵、金剛石功率半導體技術(shù)及應(yīng)用發(fā)展

Navitas預計2025年人工智能和電動汽車的氮化鎵需求增加

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