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2025云南晶體大會前瞻| 中國電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展研究院解楠：氮化鋁寬禁帶材料發(fā)展現(xiàn)狀及技術(shù)演進(jìn)趨勢研究

北京大學(xué)電子學(xué)院魏賢龍課題組在二維氮化硼的介電強度研究中取得重要進(jìn)展

標(biāo)準(zhǔn) | 《用于HEMT功率器件的硅襯底氮化鎵外延片》發(fā)布

中國科學(xué)院蘇州納米所陸書龍團(tuán)隊在氮化鎵基單片集成器件領(lǐng)域取得進(jìn)展

1200V全垂直硅基氮化鎵MOSFET

鎵未來完成億元級B++輪融資，專注氮化鎵功率器件研發(fā)

中國科學(xué)院氮化鎵基無源太赫茲相控陣機制研究獲進(jìn)展

科普系列 | 氮化鎵：開啟科技新時代的 “魔法材料”

英諾賽科與聯(lián)合電子成立氮化鎵 (GaN) 技術(shù)聯(lián)合實驗室致力于新能源汽車電力電子系統(tǒng)開發(fā)

氮化鎵半導(dǎo)體智能制造項目暨芯片綜合配套項目簽約

蘇州納米所秦華團(tuán)隊在氮化鎵基無源太赫茲相控陣機制研究方面取得進(jìn)展

中科半導(dǎo)體發(fā)布氮化鎵機器人智能快充芯片

氮化鎵外延層中位錯輔助的電子和空穴傳輸研究取得進(jìn)展

長春光機所聯(lián)合東方理工大學(xué)研究團(tuán)隊在寬禁帶氮化物載流子動力學(xué)研究方面取得重要進(jìn)展

蘇州納米所研制出氮化鎵光子晶體面發(fā)射激光器

北京大學(xué)王新強、王平、王濤團(tuán)隊在纖鋅礦氮化物鐵電半導(dǎo)體研究上取得重要進(jìn)展

比利時氮化鎵廠商BelGaN破產(chǎn)損失高達(dá)100萬歐元

武大、西電合作攻克范德華外延氮化鎵高質(zhì)量成核與生長難題，為跨材料、跨功能的寬禁帶半導(dǎo)體異構(gòu)集成掃清了關(guān)鍵障礙

安徽格恩半導(dǎo)體申請氮化鎵基半導(dǎo)體激光器元件專利，提升限制因子

ROHM 回應(yīng)合作方臺積電計劃 2027 年退出氮化鎵：暫無重大影響

國家重點研發(fā)計劃“大尺寸氮化鎵單晶制備用高溫超高壓反應(yīng)釜設(shè)計制造技術(shù)”項目啟動暨實施方案論證會召開

英飛凌宣布：在300mm氮化鎵生產(chǎn)路線圖方面取得突破！

臺積電證實：未來兩年內(nèi)逐步退出氮化鎵業(yè)務(wù)

納微半導(dǎo)體攜手力積電，啟動8英寸氮化鎵晶圓量產(chǎn)計劃

雷電微力：研制低成本低剖面氮化鎵組件部分已量產(chǎn)

深圳平湖實驗室成功制備國內(nèi)首個氮化鋁/富鋁鎵氮高電子遷移率晶體管

氮矽科技推出TOLL封裝的增強型硅基氮化鎵（GaN）晶體管

英諾賽科與美的威靈合作，加速氮化鎵在空調(diào)電機應(yīng)用！

英諾賽科與美的威靈達(dá)成氮化鎵戰(zhàn)略合作

西交利物浦大學(xué)劉雯課題組招收氮化鎵功率器件方向博士生（英國利物浦大學(xué)學(xué)位）

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