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盛美上海與華東理工大學(xué)攜手共建高端半導(dǎo)體裝備聯(lián)合技術(shù)創(chuàng)新轉(zhuǎn)移中心

中科院微電子所黃森、劉新宇團(tuán)隊(duì)在GaN外延位錯(cuò)傳導(dǎo)載流子及其導(dǎo)致功率電子器件可靠性退化機(jī)制方面取得重要進(jìn)展

長春光機(jī)所聯(lián)合東方理工大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)在寬禁帶氮化物載流子動(dòng)力學(xué)研究方面取得重要進(jìn)展

半導(dǎo)體所在低維半導(dǎo)體偏振光探測方面取得系列進(jìn)展

西電集成電路學(xué)部聯(lián)合武漢大學(xué)在寬禁帶半導(dǎo)體材料領(lǐng)域取得突破性進(jìn)展

中國科學(xué)院微電子研究所在EUV光刻收集鏡紅外輻射抑制方面取得新進(jìn)展

商務(wù)部調(diào)整發(fā)布《中國禁止出口限制出口技術(shù)目錄》新增關(guān)鍵技術(shù)出口限制

蘇州納米所研制出氮化鎵光子晶體面發(fā)射激光器

《計(jì)量支撐產(chǎn)業(yè)新質(zhì)生產(chǎn)力發(fā)展行動(dòng)方案（2025—2030年）》印發(fā) 聚焦集成電路核心計(jì)量技術(shù)支撐等

北京大學(xué)王新強(qiáng)、王平、王濤團(tuán)隊(duì)在纖鋅礦氮化物鐵電半導(dǎo)體研究上取得重要進(jìn)展

晶能與中車時(shí)代半導(dǎo)體簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議，推動(dòng)功率半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新突破

華潤微電子與華南理工大學(xué)共建射頻微電子技術(shù)聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室

武大、西電合作攻克范德華外延氮化鎵高質(zhì)量成核與生長難題，為跨材料、跨功能的寬禁帶半導(dǎo)體異構(gòu)集成掃清了關(guān)鍵障礙

深圳平湖實(shí)驗(yàn)室在SiC激光剝離技術(shù)領(lǐng)域取得新進(jìn)展，性能指標(biāo)達(dá)到國際先進(jìn)水平

西湖儀器：超薄片單晶金剛石加工技術(shù)新突破！

中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所在低維半導(dǎo)體偏振光探測方面取得系列進(jìn)展

國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃“大尺寸氮化鎵單晶制備用高溫超高壓反應(yīng)釜設(shè)計(jì)制造技術(shù)”項(xiàng)目啟動(dòng)暨實(shí)施方案論證會(huì)召開

Wolfspeed 1700V MOSFET技術(shù)，助力重塑輔助電源系統(tǒng)的耐用性和成本

中國科學(xué)院半導(dǎo)體所集體導(dǎo)模共振手性激光器研發(fā)取得進(jìn)展

Wolfspeed與紐約州立大學(xué)理工學(xué)院加強(qiáng)教育研究合作，助力推動(dòng)碳化硅技術(shù)創(chuàng)新發(fā)展

東京大學(xué)研發(fā)“摻鎵氧化銦晶體”取代硅材料

填補(bǔ)新技術(shù)領(lǐng)域標(biāo)準(zhǔn)空白 12項(xiàng)新能源汽車團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)解讀

LG Innotek全球首創(chuàng)移動(dòng)半導(dǎo)體基板用“銅柱”技術(shù)

雷軍官宣：未來五年，核心技術(shù)研發(fā)再投入2000億元

2025 電子峰會(huì)解碼AI服務(wù)器/光儲充/800V超充三大技術(shù)爆點(diǎn)

復(fù)旦大學(xué)田朋飛教授課題組首次在實(shí)驗(yàn)層面實(shí)現(xiàn)了雨天環(huán)境下30 Gbps的VLC系統(tǒng)

深圳平湖實(shí)驗(yàn)室成功制備國內(nèi)首個(gè)氮化鋁/富鋁鎵氮高電子遷移率晶體管

中國科學(xué)院微電子所團(tuán)隊(duì)在高速串行接口芯片方面取得新進(jìn)展

中國科大微電子學(xué)院胡詣?wù)芙淌谡n題組在極低抖動(dòng)高速鎖相環(huán)芯片研究中取得重要突破

突破芯片散熱瓶頸！天津大學(xué)團(tuán)隊(duì)研發(fā)全球最小高能效MEMS冷卻器

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