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中國(guó)科學(xué)院微電子所在碳硅三維異質(zhì)集成器件上取得進(jìn)展

CSPSD 2025前瞻|熾芯微電子朱正宇：功率器件封裝技術(shù)的發(fā)展及展望

中國(guó)科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所郭煒研究員在GaN HEMT器件研究中取得新進(jìn)展

CSPSD 2025前瞻|中國(guó)科學(xué)院微電子所黃森：高可靠GaN基MIS-HEMT功率器件與集成

中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所光電子材料與器件全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室誠(chéng)邀全球英才加盟

標(biāo)準(zhǔn) |“GaN HEMT DHTOL、功率器件用硅襯底GaN HEMT外延片”2項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)形成征求意見(jiàn)稿

CSPSD 2025前瞻| 電子科技大學(xué)喬明：用于XPU供電的DrMOS器件發(fā)展趨勢(shì)與技術(shù)挑戰(zhàn)

瑤芯微申請(qǐng)溝槽型MOSFET器件結(jié)構(gòu)及其制備方法專利，降低器件動(dòng)態(tài)損耗

國(guó)家工程研究中心最新突破：磁控濺射AlN覆蓋層提升p-GaN HEMT器件性能

重慶萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體申請(qǐng)溝槽型功率半導(dǎo)體器件及其制備方法專利，提高開(kāi)關(guān)速度與線性區(qū)能力

蘇州晶湛半導(dǎo)體申請(qǐng)發(fā)光器件相關(guān)專利，提高了發(fā)光器件生產(chǎn)良率

三安半導(dǎo)體“碳化硅功率器件的制備方法及其碳化硅功率器件”專利公布

廣東比亞迪節(jié)能科技申請(qǐng)MEMS器件及其封裝方法專利，降低主體晶圓與襯底晶圓封裝難度

MaM發(fā)表深圳大學(xué)劉新科團(tuán)隊(duì)綜述文章：下一代功率器件的GaN-on-diamond技術(shù)

美國(guó)海關(guān)宣布對(duì)消費(fèi)電子、服務(wù)器、半導(dǎo)體器件等20項(xiàng)商品豁免關(guān)稅

中國(guó)科學(xué)院提出新型平面型面發(fā)光有機(jī)發(fā)光晶體管器件結(jié)構(gòu)

英飛凌科技申請(qǐng)功率半導(dǎo)體器件相關(guān)專利，提升功率半導(dǎo)體器件性能

黑龍江匯芯半導(dǎo)體申請(qǐng)集成有SiC功率器件短路保護(hù)的智能功率模塊專利，短路保護(hù)精度和效率更高

魯晶半導(dǎo)體與山東大學(xué)共建碳化硅功率器件產(chǎn)學(xué)研合作新生態(tài)

中科大微電子學(xué)院在GaN器件輻照效應(yīng)研究方向取得重要進(jìn)展

聞泰科技：公司預(yù)計(jì)包括SiC、GaN和IGBT在內(nèi)的高壓功率器件和模擬芯片產(chǎn)品將從2025年底開(kāi)始逐步放量

冠石科技顯示器件募投項(xiàng)目結(jié)項(xiàng)，將向光掩膜版項(xiàng)目增資1.33億元

國(guó)星光電：子公司風(fēng)華芯電氮化鎵器件實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)并開(kāi)始接單

上海光通信申請(qǐng)半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)相關(guān)專利，縮小半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)線寬提高器件密度

會(huì)議通知| 2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議（CSPSD 2025）將于5月22-24日在南京召開(kāi)

中芯北方取得半導(dǎo)體器件及其形成方法專利

中國(guó)科學(xué)院聯(lián)合納米器件研究部在日盲紫外探測(cè)領(lǐng)域取得新進(jìn)展

清華大學(xué)化學(xué)系馬冬昕團(tuán)隊(duì)開(kāi)發(fā)出高效穩(wěn)定的鈣鈦礦量子點(diǎn)深紅光器件

中信證券：建議關(guān)注SiC器件領(lǐng)軍廠商以及襯底環(huán)節(jié)的本土龍頭

蘭州大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)在日盲光電探測(cè)器件方面突破“RS困境” 實(shí)現(xiàn)高性能光電探測(cè)

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