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CSPSD 2025前瞻|?深圳大學(xué)劉新科：低成本GaN基GaN功率器件

CSPSD 2025前瞻| 西安電子科技大學(xué)趙勝雷：GaN HEMT器件擊穿機(jī)理多維度分析與探討

CSPSD 2025前瞻|西安電子科技大學(xué)宋慶文：高性能SiC功率器件關(guān)鍵技術(shù)研究進(jìn)展

AI驅(qū)動(dòng)產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新，從材料/器件到EDA/設(shè)備的多維探索

CSPSD 2025前瞻|江南大學(xué)黃偉：高性能宇航級(jí)SGT功率器件與輻照模型研究

江南大學(xué)成果推介:氮化鎵微波功率器件

總投資超50億元，中低壓功率器件產(chǎn)業(yè)化（株洲）建設(shè)項(xiàng)目封頂

CSPSD 2025前瞻|南京大學(xué)周峰：氮化鎵功率器件輻射效應(yīng)與加固技術(shù)研究

CSPSD 2025前瞻|南京大學(xué)葉建東：氧化鎵異質(zhì)結(jié)構(gòu)與器件

CSPSD 2025前瞻|愛發(fā)科王鶴鳴：面向功率器件制造的先進(jìn)離子注入解決方案的集成工藝與創(chuàng)新

最新報(bào)告嘉賓公布！2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議（CSPSD2025）

CSPSD 2025前瞻|北京大學(xué)魏進(jìn)：GaN功率器件動(dòng)態(tài)電阻與動(dòng)態(tài)閾值電壓

中國科學(xué)院微電子所在碳硅三維異質(zhì)集成器件上取得進(jìn)展

CSPSD 2025前瞻|熾芯微電子朱正宇：功率器件封裝技術(shù)的發(fā)展及展望

中國科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所郭煒研究員在GaN HEMT器件研究中取得新進(jìn)展

CSPSD 2025前瞻|中國科學(xué)院微電子所黃森：高可靠GaN基MIS-HEMT功率器件與集成

中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所光電子材料與器件全國重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室誠邀全球英才加盟

標(biāo)準(zhǔn) |“GaN HEMT DHTOL、功率器件用硅襯底GaN HEMT外延片”2項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)形成征求意見稿

CSPSD 2025前瞻| 電子科技大學(xué)喬明：用于XPU供電的DrMOS器件發(fā)展趨勢(shì)與技術(shù)挑戰(zhàn)

瑤芯微申請(qǐng)溝槽型MOSFET器件結(jié)構(gòu)及其制備方法專利，降低器件動(dòng)態(tài)損耗

國家工程研究中心最新突破：磁控濺射AlN覆蓋層提升p-GaN HEMT器件性能

重慶萬國半導(dǎo)體申請(qǐng)溝槽型功率半導(dǎo)體器件及其制備方法專利，提高開關(guān)速度與線性區(qū)能力

蘇州晶湛半導(dǎo)體申請(qǐng)發(fā)光器件相關(guān)專利，提高了發(fā)光器件生產(chǎn)良率

三安半導(dǎo)體“碳化硅功率器件的制備方法及其碳化硅功率器件”專利公布

廣東比亞迪節(jié)能科技申請(qǐng)MEMS器件及其封裝方法專利，降低主體晶圓與襯底晶圓封裝難度

MaM發(fā)表深圳大學(xué)劉新科團(tuán)隊(duì)綜述文章：下一代功率器件的GaN-on-diamond技術(shù)

美國海關(guān)宣布對(duì)消費(fèi)電子、服務(wù)器、半導(dǎo)體器件等20項(xiàng)商品豁免關(guān)稅

中國科學(xué)院提出新型平面型面發(fā)光有機(jī)發(fā)光晶體管器件結(jié)構(gòu)

英飛凌科技申請(qǐng)功率半導(dǎo)體器件相關(guān)專利，提升功率半導(dǎo)體器件性能

黑龍江匯芯半導(dǎo)體申請(qǐng)集成有SiC功率器件短路保護(hù)的智能功率模塊專利，短路保護(hù)精度和效率更高

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