基于AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)的絕緣柵高電子遷移率晶體管（MIS-HEMT）器件具有高頻低導通、高柵極可靠性以及良好的尺寸微縮特性，有望應用于航空航天、人工智能和芯片端供電等新興領(lǐng)域，為集成電路提供高能效電源管理方案。然而由于缺乏高質(zhì)量的本征氧化層，介質(zhì)/GaN界面存在高密度的界面態(tài)，這些界面態(tài)的緩慢充放電導致閾值電壓不穩(wěn)定性和動態(tài)導通電阻退化等問題，成為制約GaN基MIS-HEMT器件實用化的兩大難題。
5月22-24日， “2025功率半導體器件與集成電路會議（CSPSD 2025）”將于南京舉辦。本次論壇由第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）指導，南京郵電大學、極智半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)（www.huizhouyinshua.cn）、第三代半導體產(chǎn)業(yè)共同主辦。南京郵電大學集成電路科學與工程學院（產(chǎn)教融合學院）、北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司承辦。電子科技大學、南京郵電大學南通研究院、蘇州鎵和半導體有限公司、揚州揚杰電子科技股份有限公司等單位協(xié)辦。
會議設有開幕大會&主旨報告，以及硅及寬禁帶半導體材料、器件及集成應用，超寬禁帶材料、器件及集成應用，功率集成交叉與應用，先進封裝與異構(gòu)集成等4個平行論壇，將覆蓋晶圓造、芯片設計、芯片加工、模塊封裝、測試分析、軟件工具、設備制造、整機應用等產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)。
屆時，中國科學院微電子研究所，研究員黃森將受邀出席會議，并分享《高可靠GaN基MIS-HEMT功率器件與集成》的主題報告。報告將詳細介紹如何提高自主超薄勢壘AlGaN(<6 nm)/GaN增強型MIS-HEMT的可靠性，同時探討其與GaN基功率和驅(qū)動控制電路集成的可行性，敬請關(guān)注！
嘉賓簡介
黃森，中國科學院微電子研究所研究員，中科院大學博士生導師，IEEE高級會員，獲國家自然基金優(yōu)秀青年基金、中國科學院青促會優(yōu)秀會員等人才項目資助。2009年博士畢業(yè)于北京大學，長期致力于高性能GaN基功率器件工藝和物理研究，在新型增強型器件設計，高壓表面鈍化，低界面態(tài)工藝和高可靠柵介質(zhì)，以及大尺寸Si基GaN絕緣柵功率器件關(guān)鍵制程等方面取得若干具有國際影響力的創(chuàng)新成果。迄今在IEEE EDL/TED等電子器件權(quán)威期刊以及IEDM、ISPSD等微電子領(lǐng)域國際頂級會議上發(fā)表論文120余篇，申請美國專利8項，中國專利40余項，部分技術(shù)成果已經(jīng)被企業(yè)使用。作為負責人主持承擔了科技部重點研發(fā)、國家自然基金重點/面上項目、中科院前沿科學重點研究和中國科學院-裘槎基金會聯(lián)合實驗室資助計劃等項目。2022年獲得中國電子學會自然科學二等獎和中國儀器儀表學會技術(shù)發(fā)明二等獎。
中國科院微電子所寬禁帶半導體研發(fā)團隊是國內(nèi)最早開展化合物半導體器件和電路研究的團隊之一，建立了國內(nèi)第一批化合物半導體研發(fā)線，并引領(lǐng)該研究領(lǐng)域的發(fā)展。規(guī)劃方向主要依托研究所高頻高壓中心，開展GaN、SiC等化合物半導體在5G移動通信、毫米波、以及電力電子器件方面的研究，逐步打造成國內(nèi)化合物半導體電路及器件方面的高端產(chǎn)品研發(fā)平臺、技術(shù)轉(zhuǎn)移轉(zhuǎn)化平臺和技術(shù)服務共享平臺。
組織機構(gòu)
指導單位：
第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）
主辦單位：南京郵電大學極智半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)（www.huizhouyinshua.cn）第三代半導體產(chǎn)業(yè)
承辦單位：南京郵電大學集成電路科學與工程學院（產(chǎn)教融合學院）北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司
協(xié)辦支持：電子科技大學南京郵電大學南通研究院蘇州鎵和半導體有限公司
大會主席：郭宇鋒
聯(lián)合主席：柏松 張波 趙璐冰
程序委員會：盛況 陳敬 張進成 陸海 唐為華 羅小蓉 張清純 龍世兵 王來利 程新紅 楊媛 楊樹 張宇昊 劉斯揚 章文通 陳敦軍 耿博 郭清 蔡志匡 劉雯 鄧小川 魏進 周琦 周弘 葉懷宇 許晟瑞 張龍 包琦龍 金銳 姚佳飛 蔣其夢 明鑫 周春華 等
組織委員會
主 任：姚佳飛
副主任：涂長峰
成 員: 張茂林 周峰 徐光偉 劉盼 王珩宇 楊可萌 張珺 王曦 羅鵬 劉成 劉宇 馬慧芳 陳靜 李曼 賈欣龍等
主題方向
1. 硅基功率器件與集成技術(shù)
硅基、SOI基功率器件、可集成功率器件、器件仿真與設計技術(shù)、器件測試表征技術(shù)、器件可靠性、器件制造技術(shù)、功率集成IC技術(shù)
2. 碳化硅功率器件與集成技術(shù)
碳化硅功率器件、器件設計與仿真技術(shù)、器件制造技術(shù)、器件測試與可靠性、可集成器件與功率集成技術(shù)
3. 氮化鎵、III/V族化合物半導體功率器件與功率集成
氮化鎵功率器件、III/V族化合物（AlN、GaAs）半導體功率器件、器件設計與仿真技術(shù)、器件制造技術(shù)、器件測試與可靠性、可集成器件與功率集成技術(shù)
4. 氧化鎵/金剛石功率器件與集成技術(shù)
氧化鎵/金剛石功率器件、器件設計與仿真技術(shù)、器件制造技術(shù)、器件測試與可靠性、可集成器件與功率集成技術(shù)
5. 模組封裝與應用技術(shù)
功率器件、模組與封裝技術(shù)、先進封裝技術(shù)與封裝可靠性
6. 面向功率器件及集成電路的核心材料、裝備及制造技術(shù)
核心外延材料、晶圓芯片及封裝材料；退火、刻蝕、離子注入等功率集成工藝平臺與制造技術(shù)；制造、封裝、檢測及測試設備等
7. 功率器件交叉領(lǐng)域
基于新材料（柔性材料、有機材料、薄膜材料、二維材料）的功率半導體器件設計、制造與集成技術(shù)；人工智能驅(qū)動的功率器件仿真，建模與設計、封裝與測試
會議日程
參會與擬邀單位
中電科五十五所、電子科技大學、英飛凌、華虹半導體、揚杰科技、士蘭微、捷捷微電、英諾賽科、中科院上海微系統(tǒng)所、氮矽科技、中科院微電子所、中科院半導體所、三安半導體、芯聯(lián)集成、斯達半導體、中國科學技術(shù)大學、浙江大學、東南大學、復旦大學、西安電子科技大學、清華大學、北京大學、廈門大學、南京大學、天津大學、長飛半導體、華為、溫州大學、明義微電子、海思半導體、瞻芯電子、基本半導體、華大九天、博世、中鎵半導體、江蘇宏微、蘇州晶湛、百識電子、超芯星、南瑞半導體、西交利物浦大學、西安理工大學、北京智慧能源研究院、高芯（河南）半導體、中科院納米所、平湖實驗室、北京工業(yè)大學、南方科技大學、華南師范大學、立川、國電投核力創(chuàng)芯、華中科技大學等……
活動參與：
注冊費2800元，5月15日前注冊報名2500元（含會議資料袋，23日午餐、歡迎晚宴、24日自助午餐及晚餐）
繳費方式
①銀行匯款
開戶行：中國銀行北京科技會展中心支行
賬 號：336 356 029 261
名 稱：北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進中心有限公司
②移動支付
備注：通過銀行匯款/移動支付，請務必備注：單位簡稱+姓名+南京，以便后續(xù)查詢及開具發(fā)票。若需開具發(fā)票請將報名信息、轉(zhuǎn)賬憑證及開票信息發(fā)送至郵箱:lilyli@china-led.net。
掃碼預報名
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論文投稿及報告咨詢：
賈老師 18310277858 jiaxl@casmita.com
姚老師 15951945951 jfyao@njupt.edu.cn
張老師 17798562651 mlzhang@njupt.edu.cn
李老師 18601994986 linan@casmita.com
贊助、展示及參會聯(lián)系：
賈先生 18310277858 jiaxl@casmita.com
張女士 13681329411 zhangww@casmita.com
投稿模板下載：投稿模板_CSPSD2025.docx 文章?lián)駜?yōu)推薦到EI期刊《半導體學報（英文）》。
會議酒店
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地址：南京市浦口區(qū)象賢路158號
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